高性能GEN3测试系统供应

面对AI架构日新月异（如存算一体、稀疏计算、类脑芯片），测试平台必须具备高度灵活性。GT600采用开放软件架构，支持C++、Python及Visual Studio开发环境，允许用户自定义测试逻辑、数据分析模块与自动化脚本。高校、初创企业甚至“六小龙”中的技术团队均可基于GT600快速搭建专属验证方案，无需依赖封闭厂商的黑盒工具链。这种开放性极大缩短了从算法原型到芯片验证的周期，使杭州成为AI芯片创新的“快速试验田”。GT600不仅是量产设备，更是推动中国AI底层硬件从“跟随”走向“原创”的创新引擎。国磊GT600支持单一部署的NPU芯片如寒武纪、天玑NPU低功耗状态机、唤醒延迟、静态电流与混合信号接口验证。高性能GEN3测试系统供应

现代AI芯片集成度极高，动辄拥有上千引脚，传统测试设备因通道数量不足，往往需分时复用或多轮测试，不仅效率低下，还可能遗漏关键时序问题。杭州国磊GT600比较高支持2048个数字通道，可一次性完成全引脚并行测试，确保高速数据总线、多核NPU互连、HBM内存接口等复杂结构的功能完整性与时序一致性。这一能力对寒武纪、壁仞、燧原等国产AI芯片企业尤为重要。在大模型训练芯片追求***带宽与低延迟的***，GT600的高通道密度成为验证真实工作负载下系统稳定性的关键工具，大幅缩短芯片从流片到量产的周期，助力国产AI算力快速落地数据中心与边缘场景。湖州CAF测试系统供应国磊GT600SoC测试机支持GT-AWGLP02任意波形发生器板卡，THD达-122dB，适用于HBMSerDes接收端灵敏度测试。

    MEMS射频开关与滤波器（RFMEMS）用于5G通信前端模块，具有低插损、高隔离度优势。虽MEMS本体为无源器件，但常集成驱动/控制CMOS电路。杭州国磊（Guolei）支持点：测试驱动IC的开关时序（TMU精度达10ps）；验证控制逻辑与使能信号的数字功能；测量驱动电压（可达7V）与静态/动态功耗；虽不直接测S参数，但可确保控制电路可靠性，间接保障RF性能。光学MEMS（如微镜、光开关）应用于激光雷达（LiDAR）、投影显示（DLP替代）、光通信。其驱动ASIC需提供高精度PWM或模拟电压控制微镜偏转角度。杭州国磊（Guolei）支持点：AWG输出多通道模拟控制波形，验证微镜响应一致性；TMU测量开关建立时间与稳定时间；数字通道验证SPI配置寄存器功能；支持多通道同步测试，适配阵列式MEMS微镜模组。

    车规级MEMS传感器包括用于ESP车身稳定系统的高g加速度计、发动机歧管压力传感器等，需满足AEC-Q100认证。杭州国磊（Guolei）支持点：支持-40℃~125℃环境应力测试（通过GPIB/TTL对接温箱）；高可靠性测试流程（如HAST、HTOL前后的参数对比）；数据自动记录为STDF格式，便于车厂追溯与良率分析；每引脚PPMU检测早期失效（如漏电流异常）。生物医疗MEMS如植入式压力传感器、微流控芯片控制器，对低功耗与长期稳定性要求极高。杭州国磊（Guolei）支持点：nA级静态电流测量（PPMU）；**噪声激励与采集，避免干扰生物信号；支持长期老化测试中的周期性参数回读。杭州国磊（Guolei）SoC测试系统不直接测试MEMS的机械或物理特性（如谐振频率、Q值、位移等），但***覆盖MEMS产品中不可或缺的电子控制与信号处理部分——即配套ASIC/SoC的功能、性能与可靠性验证。在消费电子、汽车电子、工业物联网和新兴智能硬件领域，杭州国磊（Guolei）GT600已成为国产MEMS厂商实现高精度、高效率、低成本、自主可控测试的重要平台，有力支撑中国MEMS产业链从“制造”向“智造”升级。 国磊GT600SoC测试机向量响应存储深度达128M，可完整捕获HBM高速数据传输过程中的误码行为。

在“双碳”目标与数据中心PUE限制日益严格的背景下，AI芯片的能效比（TOPS/W）已成为核心竞争力。GT600集成高精度PPMU（每引脚参数测量单元），支持从nA级静态漏电到数安培动态电流的全范围测量，并具备微秒级瞬态响应能力，可精细捕捉电压塌陷、浪涌电流等关键电源事件。这一能力使芯片设计团队能在测试阶段绘制详细的功耗-性能曲线，优化电源门控策略、时钟门控逻辑及低功耗模式切换机制。对追求***能效的国产AI加速器而言，GT600不仅是验证工具，更是“每瓦特算力”的精算师，助力中国AI芯片在全球绿色计算浪潮中占据先机。国磊GT600测试系统只需通过“配置升级”和“方案打包”，就能快速适配Chiplet的复杂测试需求。吉安CAF测试系统供应商

国磊GT600每通道集成PPMU支持FIMV/FIMI/FVMI/FVMV多种模式，满足运放、比较器等模拟器件特性测试需求。高性能GEN3测试系统供应

每通道PPMU：芯片健康的“精密听诊器” 。杭州国磊GT600的每通道集成PPMU（参数测量单元），是其高精度测试的**。PPMU可在FVMI（强制电压测电流）模式下，精确测量nA级静态漏电流（Iddq），相当于检测每秒流过数亿个电子的微小电流。在手机芯片测试中，这能识别因工艺缺陷导致的“待机耗电”问题，确保续航达标。在FIMV（强制电流测电压）模式下，可验证电源调整率，防止芯片在高负载下电压跌落导致死机。PPMU还支持快速哨兵测试（Quick Sentinel），在毫秒内完成所有引脚的开路/短路检测，大幅提升初筛效率。对于AI芯片，PPMU可逐核测量功耗，筛选出“能效比较好”**。这一“每引脚级”测量能力，让杭州国磊GT600成为芯片可靠性的“***守门人”。高性能GEN3测试系统供应