通过PVD制备的薄膜通常存在应力问题，不同材料与衬底间可能存在压应力或张应力，在多层膜结构中可能同时存在多种形式的应力。薄膜应力的起源是薄膜生长过程中的某种结构不完整性(杂质、空位、晶粒边界、错位等)、表面能态的存在、薄膜与基底界面间的晶格错配等。PVD镀膜（离子镀膜）技术的主要特点和优势—和真空蒸发镀膜真空溅射镀膜相比较，PVD离子镀膜具有如下优点：膜层与工件表面的结合力强，更加持久和耐磨、离子的绕射性能好，能够镀形状复杂的工件、膜层沉积速率快，生产效率高、可镀膜层种类广、膜层性能稳定、安全性高。化学气相沉积技术是把含有构成薄膜元素的单质气体或化合物供给基体。天津纳米涂层真空镀膜
PECVD技术是在低气压下，利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上（即样品放置的托盘）产生辉光放电，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的工艺气体，这些气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。在反应过程中，反应气体从进气口进入炉腔，逐渐扩散至样品表面，在射频源激发的电场作用下，反应气体分解成电子、离子和活性基团等。这些分解物发生化学反应，生成形成膜的初始成分和副反应物，这些生成物以化学键的形式吸附到样品表面，生成固态膜的晶核，晶核逐渐生长成岛状物，岛状物继续生长成连续的薄膜。在薄膜生长过程中，各种副产物从膜的表面逐渐脱离，在真空泵的作用下从出口排出。湖南等离子体增强气相沉积真空镀膜镀膜层可赋予材料特定的颜色效果。
LPCVD设备的发展历史可以追溯到20世纪50年代，当时美国贝尔实验室的科学家们使用LPCVD方法在硅片上沉积多晶硅薄膜，并用于制造双极型晶体管。随后，LPCVD方法被广泛应用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、动态随机存储器（DRAM）、太阳能电池等器件。20世纪70年代，LPCVD方法开始用于沉积氮化硅和氧化硅等绝缘薄膜，用于制造互连层、保护层、栅介质层等结构。20世纪80年代，LPCVD方法开始用于沉积碳化硅等宽禁带半导体薄膜，用于制造高温、高功率、高频率等特殊应用的器件
目前认为溅射现象是弹性碰撞的直接结果，溅射完全是动能的交换过程。当正离子轰击阴极靶，入射离子撞击靶表面上的原子时，产生弹性碰撞，它直接将其动能传递给靶表面上的某个原子或分子，该表面原子获得动能再向靶内部原子传递，经过一系列的级联碰撞过程，当其中某一个原子或分子获得指向靶表面外的动量，并且具有了克服表面势垒(结合能)的能量，它就可以脱离附近其它原子或分子的束缚，逸出靶面而成为溅射原子。ITO薄膜的磁控溅射靶主要分为InSn合金靶、In2O3-SnO2陶瓷靶两类。在用合金靶制备ITO薄膜时,由于溅射过程中作为反应气体的氧会和靶发生很强的电化学反应,靶面覆盖一层化合物,使溅射蚀损区域缩得很小(俗称“靶中毒”),以至很难用直流溅射的方法稳定地制备出高质的ITO膜。陶瓷靶因能抑制溅射过程中氧的选择性溅射,能稳定地将金属铟和锡与氧的反应物按所需的化学配比稳定地成膜,故无中毒现象,工艺窗口宽,稳定性好。真空镀膜在电子产品中不可或缺。
电子束蒸发法是真空蒸发镀膜中一种常用的方法，是在高真空条件下利用电子束激发进行直接加热蒸发材料，是使蒸发材料由固体转变为气化并向衬底输运，在基底上凝结形成薄膜的方法。在电子束加热装置中，被加热的材料放置于底部有循环水冷的坩埚当中，可避免电子束击穿坩埚导致仪器损坏，而且可避免蒸发材料与坩埚壁发生反应影响薄膜的质量，因此，电子束蒸发沉积法可以制备高纯薄膜。在微电子与光电子集成中，薄膜的形成方法主要有两大类，及沉积和外延生长。沉积技术分为物理沉积、化学沉积和混合方法沉积。蒸发沉积（热蒸发、电子束蒸发）和溅射沉积是典型的物理方法；化学气相沉积是典型的化学方法；等离子体增强化学气相沉积是物理与化学方法相结合的混合方法。薄膜沉积过程，通常生成的是非晶膜和多晶膜，沉积部位和晶态结构都是随机的，而没有固定的晶态结构。真空镀膜可明显提高产品的使用寿命。蚌埠UV真空镀膜
镀膜技术为产品增添独特的美学效果。天津纳米涂层真空镀膜
影响靶中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例，反应气体过量就会导致靶中毒。反应溅射工艺进行过程中靶表面溅射沟道区域内出现被反应生成物覆盖或反应生成物被剥离而重新暴露金属表面此消彼长的过程。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率，化合物覆盖面积增加。在一定功率的情况下，参与化合物生成的反应气体量增加，化合物生成率增加。如果反应气体量增加过度，化合物覆盖面积增加，如果不能及时调整反应气体流量，化合物覆盖面积增加的速率得不到抑制，溅射沟道将进一步被化合物覆盖，当溅射靶被化合物全部覆盖的时候，靶完全中毒。天津纳米涂层真空镀膜
