对于透明基片的双面光刻加工，其准标记可灵活设计，沿目镜的光轴上方的图案区域如果是不透光的，该区域的对准标记可以简单设计成透光十字或透光方框作为对准标记。如果目镜光轴上方掩模板图案区域是透光的，该区域设...

湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将被刻蚀固体材料转化为液体化合物。选择性非常高，是因为所使用的腐蚀液可以非常精确地腐蚀特定薄膜。对于大多数刻蚀方案，选择性大于100:1。湿法腐蚀必须满足以下要求：1....

随着光刻对准技术的发展，一开始只是作为评价及测试光栅质量的莫尔条纹技术在光刻对准中的应用也得到了更深层的开发。起初，其只能实现较低精度的人工对准，但随着细光栅衍射理论的发展，利用莫尔条纹相关特性渐渐也...

SU-8光刻胶在近紫外光(365nm-400nm)范围内光吸收度很低，且整个光刻胶层所获得的曝光量均匀一致，可得到具有垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形；它还具有良好的力学性能、抗化学腐蚀性和热稳定性;在受...

泛曝光是在不使用掩膜的曝光过程，会对未暴露的光刻胶区域进行曝光，从而可以在后续的显影过程被溶解显影。为了使光刻胶轮廓延伸到衬底，(衬底附近)光刻胶区域也应获得足够的曝光剂量。泛曝光的剂量过大并不会影响...

光刻工艺就是将光学掩膜版的图形转移至光刻胶中。掩膜版按基板材料分为树脂和玻璃基板，其中玻璃基板又包含石英玻璃，硅硼玻璃，苏打玻璃等，石英玻璃硬度高，热膨胀系数低但价格较高等主要用于高精度领域；按光学掩...

剥离工艺（lift-off）是指在有光刻胶图形的掩膜上镀膜后，再去除光刻胶获得图案化的金属的工艺。在剥离工艺中，有几种关键因素影响得到的金属形貌。1.光刻胶的厚度。光刻胶厚度需大于金属厚度，一般光刻胶...

现有光刻主要利用的是光刻胶中光敏分子的单光子吸收效应所诱导的光化学反应。光敏分子吸收一个能量大于其比较低跃迁能级的光子，从基态跃迁到激发态，经过电子态之间的转移生成活性种，诱发光聚合、光分解等化学反应...

高精度的微细结构可以通过电子束直写或激光直写制作，这类光刻技术，像“写字”一样，通过控制聚焦电子束（光束）移动书写图案进行曝光，具有比较高的曝光精度，但这两种方法制作效率极低，尤其在大面积制作方面捉襟...

晶圆键合赋能红外成像主要组件升级。锗硅异质界面光学匹配层实现3-14μm宽波段增透，透过率突破理论极限达99%。真空密封腔体抑制热噪声，噪声等效温差压至30mK。在边境安防系统应用中，夜间识别距离提升...

该研究所将晶圆键合技术与微机电系统（MEMS）的制备相结合，探索其在微型传感器与执行器中的应用。在 MEMS 器件的多层结构制备中，键合技术可实现不同功能层的精确组装，提高器件的集成度与性能稳定性。科...

晶圆键合开创量子安全通信硬件新架构。磷化铟基量子点与硅波导低温键合生成纠缠光子对，波长精确锁定1550.12±0.01nm。城市光纤网络中实现MDI-QKD密钥生成速率12Mbps（400km），攻击...