本发明下述示例性实施例可以多种不同的形式来实施,并且不应当被解释为只限于这里所阐述的具体实施例。应当理解的是,提供这些实施例是为了使得本发明的公开彻底且完整,并且将这些示例性具体实施例的技术方案充分传达给本领域技术人员。如图1所示,本发明提供的光刻胶剥离去除方法主要实施例,用于半导体制造工艺中,可应用于包括但不限于mos、finfet等所有现有技术中涉及光刻胶剥离去除的生产步骤,主要包括以下步骤:s1,在半导体衬底上淀积介质层;s2,旋涂光刻胶并曝光显影,形成光刻图形阻挡层;s3,执行离子注入:s4,采用氮氢混合气体执行等离子刻蚀,对光刻胶进行干法剥离;s5,对衬底表面进行清洗。本发明刻胶剥离去除方法主要实施例采用能与主要光刻胶层和第二光刻胶层反应生成含氨挥发性化合物气体,与主要光刻胶层和第二光刻胶层反应速率相等的等离子体氮氢混合气体能更高效的剥离去除光刻胶,有效降低光刻胶残留。进而避免由于光刻胶残留造成对后续工艺的影响,提高产品良率。参考图11和图12所示,在生产线上采用本发明的光刻胶剥离去除方法后,监控晶圆产品缺陷由585颗降低到32颗,证明本发明光刻胶剥离去除方法的的改善的产品缺陷,促进了产品良率的提升。国内那里可以买到效果好的剥离液;东莞哪家蚀刻液剥离液费用

所述硫脲类缓蚀剂包括硫脲、苯基硫脲或月桂酰基硫脲中的一种。具体的,所述聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂为聚氧乙烯聚氧丙烯单丁基醚、壬基酚聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧乙烯醚、十二烷基聚氧乙烯醚、二壬基酚聚氧乙烯醚中的一种。采用上述技术方案,本发明技术方案的有益效果是:本用于叠层晶圆的光刻胶剥离液具有较快的剥离速度,对金属的腐蚀率低,而且使用寿命长。具体实施方式本发明涉及一种用于叠层晶圆的光刻胶剥离液,配方包括10~20wt%二甲基亚砜,10~20wt%一乙醇胺,5~11wt%四甲基氢氧化铵,~1wt%硫脲类缓蚀剂和~2wt%聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂,5~15wt%n-甲基吡咯烷酮和余量的去离子水。聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂因为分子中的醚键不易被酸、碱破坏,所以稳定性较高,水溶性较好,耐电解质,易于生物降解,泡沫小。硫脲类缓蚀剂呈现弱碱性,所以在酸性介质中能够起到缓蚀的效果,另外与聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂和n-甲基吡咯烷酮配合可以起到提高处理量的作用。下面结合具体实施例对本发明作进一步详细说明。合肥京东方用的蚀刻液剥离液溶剂剥离液的发展趋势如何。

图3是一现有技术光刻胶剥离去除示意图二,其离子注入步骤。图4是一现有技术光刻胶剥离去除示意图三,其显示离子注入后光刻胶形成了主要光刻胶层和第二光刻胶层。图5是一现有技术光刻胶剥离去除示意图四,其显示光刻胶膨胀。图6是一现有技术光刻胶剥离去除示意图五,其显示光刻胶炸裂到临近光刻胶。图7是一现有技术光刻胶剥离去除示意图六,其显示光刻胶去除残留。图8是本发明光刻胶剥离去除示意图一,其显示首先剥离去除主要光刻胶层。图9是本发明光刻胶剥离去除示意图二,其显示逐步剥离去除第二光刻胶层的中间过程。图10是本发明光刻胶剥离去除示意图三,其显示完全去除光刻胶后的衬底。图11是采用现有技术剥离去除光刻胶残留缺陷示意图。图12是采用本发明剥离去除光刻胶残留缺陷示意图。具体实施方式以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所公开的内容充分地了解本发明的其他优点与技术效果。本发明还可以通过不同的具体实施方式加以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点加以应用,在没有背离发明总的设计思路下进行各种修饰或改变。需说明的是,在不的情况下,以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
采用此方法可以制备出负性光刻胶所能制备的任意结构,同时相比于传统的加工,本方案加工效率可以提高上千倍,且图形的结构越大相对的加工效率越高。本发明为微纳制造领域,光学领域,电学领域,声学领域,生物领域,mems制造,nems制造,集成电路等领域提供了一种新的有效的解决方案。附图说明图1为本发明制备用电子束在pmma上曝光出圆形阵列的轮廓;图2为本发明用黏贴层撕走pmma轮廓以外的结构后得到的圆形柱状阵列;图3为实施例1步骤三的结构图;图4为实施例1步骤四的结构图;图5为实施例1步骤五的结构图;图6为实施例1步骤六的结构图。具体实施方式为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明作进一步详细的描述。实施例1一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法,包括以下步骤:步骤一、提供衬底,并清洗;步骤二、使用十三氟正辛基硅烷利用高温气体修饰法对衬底进行修饰;步骤三、利用旋涂的方法在衬底上旋涂光刻胶pmma得到薄膜,如图3。步骤四、在光刻胶上加工出所需结构的轮廓如圆形,如图4所示。步骤五、在加工出结构轮廓的薄膜上面覆盖一层黏贴层,如图5。步骤六、揭开黏贴层及结构轮廓以外的薄膜,在衬底上留下轮廓内的微纳尺度结构。剥离液中加入特有添加剂可有效保护对应金属;

所述功能切换口外部并联有高纯水输入管线和沉淀剂输入管线,所述二级过滤罐的底部设有废液出口,所述一级过滤罐和二级过滤罐内部均悬设有拦截固体成分的过滤筒。上述的光刻胶废剥离液回收装置,所述一级过滤罐和二级过滤罐的结构相同,均由外壳、悬设于外壳内的过滤筒、扣装于过滤筒顶部的压盖组成,所述压盖中心设有对应进料管路的通孔,所述过滤筒由均匀布设多孔的支撑筒体、设于支撑筒体内表面的金属滤网、设于金属滤网表面的纤维滤布组成,所述支撑筒体的上沿伸出外壳顶部并利用水平翻边支撑于外壳上表面,所述金属滤网的上沿设有与支撑筒体的水平翻边扣合的定位翻边,所述支撑筒体的底面为向筒体内侧凹陷的锥面。上述的光刻胶废剥离液回收装置,所述搅拌釜设有ph计,用于检测溶液ph值。本实用新型的有益效果是:使用时,先将高纯水与光刻胶废剥离液在搅拌釜内搅拌均匀,形成固液混合物,打开一级过滤罐进料管路上的电磁阀,固液混合物进入一级过滤罐的过滤筒中,先由一级过滤罐的过滤筒过滤得到一级线性酚醛树脂,滤液由提升泵送往搅拌釜的循环料口,往复设定次数后,一级线性酚醛树脂回收完成,关闭一级过滤罐进料管路上的电磁阀。选择剥离液,提升工作效率,降低成本。浙江剥离液销售价格
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用显微镜观察也难以看出的程度)3:有少量残渣4:基本能剥离,但一部分残渣多5:一半以上能剥离,但一部分残渣多6:基本不能剥离,但一部分剥离7:不能剥离【表2】由该结果可知,在含有溶纤剂的抗蚀剂的剥离液中使用氢氧化钾代替氢氧化钠的本发明组成,与使用氢氧化钠的比较组成相比,即使l/s狭窄,也能除去抗蚀剂。(3)剥离性能的评价方法将液温设为50℃的各剥离液使用喷涂装置向上述试验片实施剥离处理,将试验片的粘性部分的dfr以目视全部面积的90%以上被剥离的时刻作为剥离时间。另外,剥离片尺寸(长边)是采集喷涂停止后附着于设置于试验基板固定用的台上的排渣用网眼的剥离片以目视实施的。此时的喷涂装置的条件设为全锥喷嘴且流量5l/min、压力。将其结果示于表3。(4)金属的浸蚀性的评价方法利用上述评价方法实施将喷涂运行时间固定在10分钟的处理。其后,将基板的镀铜部位通过电子显微镜(日立高新技术制:s-3400n)按照以下的评价基准评价表面形状。其结果也示于表3。<金属浸蚀性的评价基准>(分数)(内容)1:没有变化2:极略微有变化(用显微镜观察也难以看出的程度)3:略有变化4:发生***变色【表3】剥离时间(sec)剥离片尺寸。东莞哪家蚀刻液剥离液费用