DDR5的接收端容限测试
前面我们在介绍USB3 . 0、PCIe等高速串行总线的测试时提到过很多高速的串行总线 由于接收端放置有均衡器,因此需要进行接收容限的测试以验证接收均衡器和CDR在恶劣 信 号 下 的 表 现 。 对 于 D D R 来 说 , D D R 4 及 之 前 的 总 线 接 收 端 还 相 对 比 较 简 单 , 只 是 做 一 些 匹配、时延、阈值的调整。但到了DDR5时代(图5 . 19),由于信号速率更高,因此接收端也 开 始 采 用 很 多 高 速 串 行 总 线 中 使 用 的 可 变 增 益 调 整 以 及 均 衡 器 技 术 , 这 也 使 得 D D R 5 测 试 中必须关注接收均衡器的影响,这是之前的DDR测试中不曾涉及的。 DDR1 电气一致性测试应用软件。青海DDR一致性测试协议测试方法
DDR总线上需要测试的参数高达上百个,而且还需要根据信号斜率进行复杂的查表修 正。为了提高DDR信号质量测试的效率,比较好使用御用的测试软件进行测试。使用自动 测试软件的优点是:自动化的设置向导避免连接和设置错误;优化的算法可以减少测试时 间;可以测试JEDEC规定的速率,也可以测试用户自定义的数据速率;自动读/写分离技 术简化了测试操作;能够多次测量并给出一个统计的结果;能够根据信号斜率自动计算建 立/保持时间的修正值。广东DDR一致性测试联系方式DDR总线一致性测试对示波器带宽的要求;
测试软件运行后,示波器会自动设置时基、垂直增益、触发等参数进行测量并汇总成一 个测试报告,测试报告中列出了测试的项目、是否通过、spec的要求、实测值、margin等。 自动测试软件进行DDR4眼图睁开度测量的一个例子。信号质量的测试还可以 辅 助 用 户 进 行 内 存 参 数 的 配 置 , 比 如 高 速 的 D D R 芯 片 都 提 供 有 O D T ( O n D i e Termination)的功能,用户可以通过软件配置改变内存芯片中的匹配电阻,并分析对信号质 量的影响。
除了一致性测试以外,DDR测试软件还可以支持调试功能。比如在某个关键参数测试 失败后,可以针对这个参数进行Debug。此时,测试软件会捕获、存储一段时间的波形并进 行参数统计,根据统计结果可以查找到参数违规时对应的波形位置,
(2)根据读/写信号的幅度不同进行分离。如果PCB走线长度比较 长,在不同位置测试时可能读/写信号的幅度不太一样,可以基于幅度进行触发分离。但是 这种方法对于走线长度不长或者读/写信号幅度差别不大的场合不太适用。
(3)根据RAS、CAS、CS、WE等控制信号进行分离。这种方法使用控制信号的读/写 来判决当前的读写指令,是可靠的方法。但是由于要同时连接多个控制信号以及Clk、 DQS、DQ等信号,要求示波器的通道数多于4个,只有带数字通道的混合信号示波器才能 满足要求,而且数字通道的采样率也要比较高。图5.11是用带高速数字通道的示波器触发 并采集到的DDR信号波形。 用于 DDR、DDR2、DDR3、DDR4 调试和验证的总线解码器。
通常测量眼图很有效的一种方法就是使用示波器的眼图测量功能,即用时钟做触发对数 据信号进行累积,看累积结果的差情况是否在可以容许的范围内。但遗憾的是,想用这种 方法直接测量DDR的信号质量非常困难,因为DDR信号读写时序是不一样的。
可以看到,写数据(DQ)的跳变位置对应着锁存信号(DQS)的中心,而 读数据的跳变位置却对应着锁存信号的边沿,而且在总线上还有三态,因此如果直接用DQS 触发对DQ累积进行眼图测量的话,会得到的结果。 DDR3信号质量测试,信号一致性测试。广东DDR一致性测试联系方式
DDR3和 DDR4设计分成几个方面:仿真、有源信号验证和功能测试。用于电气物理层、协议层和功能测试解决方案。青海DDR一致性测试协议测试方法
由于读/写时序不一样造成的另一个问题是眼图的测量。在DDR3及之前的规范中没 有要求进行眼图测试,但是很多时候眼图测试是一种快速、直观衡量信号质量的方法,所以 许多用户希望通过眼图来评估信号质量。而对于DDR4的信号来说,由于时间和幅度的余量更小,必须考虑随机抖动和随机噪声带来的误码率的影响,而不是做简单的建立/保 持时间的测量。因此在DDR4的测试要求中,就需要像很多高速串行总线一样对信号叠加 生成眼图,并根据误码率要求进行随机成分的外推,然后与要求的小信号张开窗口(类似 模板)进行比较。图5 . 8是DDR4规范中建议的眼图张开窗口的测量方法(参考资料: JEDEC STANDARD DDR4 SDRAM,JESD79-4)。青海DDR一致性测试协议测试方法
按照存储信息方式的不同,随机存储器又分为静态随机存储器SRAM(Static RAM)和 动态随机存储器DRAM(Dynamic RAM)。SRAM运行速度较快、时延小、控制简单,但是 SRAM每比特的数据存储需要多个晶体管,不容易实现大的存储容量,主要用于一些对时 延和速度有要求但又不需要太大容量的场合,如一些CPU芯片内置的缓存等。DRAM的 时延比SRAM大,而且需要定期的刷新,控制电路相对复杂。但是由于DRAM每比特数据存储只需要一个晶体管,因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特点,目前已经成为大 容量RAM的主流,典型的如现在的PC、服务器、嵌入式系统上用的大容量内存都是DRA...