企业商机
SIP封装基本参数
  • 品牌
  • 云茂
  • 型号
  • 齐全
  • 封装形式
  • B***GA,CSP,QFP/PFP,MCM,SDIP,SOP/SOIC,PLCC,TSOP,TQFP,PQFP,SMD,DIP
SIP封装企业商机

SiP系统级封装作为一种集成封装技术,在满足多种先进应用需求方面发挥着关键作用。以其更小、薄、轻和更多功能的竞争力,为芯片和器件整合提供了新的可能性,目前其主要应用领域为射频/无线应用、移动通信、网络设备、计算机和外设、数码产品、图像、生物和MEMS传感器等。固晶贴片机(Die bonder),是封装过程中的芯片贴装(Die attach)的主要设备。随着SiP系统级封装、3D封装等先进封装的普及,对固晶机设备在性能方面提出了更高的需求。不同的芯片排列方式,与不同的内部接合技术搭配,使 SiP 的封装形态产生多样化的组合。天津COB封装供应

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SiP失效机理:失效机理是指引起电子产品失效的物理、化学过程。导致电子产品失效的机理主要包括疲劳、腐蚀、电迁移、老化和过应力等物理化学作用。失效机理对应的失效模式通常是不一致的,不同的产品在相同的失效机理作用下会表现为不一样的失效模式。SiP产品引入了各类新材料和新工艺,特别是越来越复杂与多样化的界面和互连方式,这也必然引入新的失效机理与失效模式。SiP的基本组成包括芯片、组件和互连结构。不同功能的芯片通过粘接等方式安装在基板上,电学连接是通过键合丝键合、倒装焊、粘接、硅通孔等方式实现的。天津COB封装供应SiP 封装优势:缩短产品研制和投放市场的周期。

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在当前时代,Sip系统级封装(System-in-Package)技术崭露头角,通过将多个裸片(Die)和无源器件融合在单个封装体内,实现了集成电路封装的创新突破。这项技术为芯片成品增加了明显的集成度,有效减小产品体积,并在降低功耗方面取得了一定的成果。具体而言,SiP系统级封装技术将处理芯片、存储芯片、被动元件、连接器、天线等多功能器件整合在同一基板上,通过精密的键合和封装过程,创造了一个外观类似单一芯片的模块。尽管仍呈现芯片状,但这一模块实现了多颗芯片协同工作的强大功能。

SiP整体制程囊括了着晶、打线、主/被动组件SMT及塑封技术,封装成型可依据客户设计制作不同形状模块,甚至是3D立体结构,藉此可将整体尺寸缩小,预留更大空间放置电池,提供更大电力储存,延长产品使用时间,但功能更多、速度更快,因此特别适用于射频相关应用如5G毫米波模块、穿戴式装置及汽车电子等领域。微小化制程三大关键技术,在设计中元器件的数量多寡及排布间距,即是影响模块尺寸的较主要关键。要能够实现微小化,较重要的莫过于三项制程技术:塑封、屏蔽及高密度打件技术。SiP 封装技术采取多种裸芯片或模块进行排列组装。

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通信SiP 在无线通信领域的应用较早,也是应用较为普遍的领域。在无线通讯领域,对于功能传输效率、噪声、体积、重量以及成本等多方面要求越来越高,迫使无线通讯向低成本、便携式、多功能和高性能等方向发展。SiP 是理想的解决方案,综合了现有的芯核资源和半导体生产工艺的优势,降低成本,缩短上市时间,同时克服了 SOC 中诸如工艺兼容、信号混合、噪声干扰、电磁干扰等难度。手机中的射频功放,集成了频功放、功率控制及收发转换开关等功能,完整地在 SiP 中得到了解决。SiP系统级封装为设备提供了更高的性能和更低的能耗,使电子产品在紧凑设计的同时仍能实现突出的功能。天津COB封装供应

SiP模组是一个功能齐全的子系统,它将一个或多个IC芯片及被动元件整合在一个封装中。天津COB封装供应

「共形」及「分段型」屏蔽,另一方面,系统级封装模块需要高密度整合上百颗电子组件,同时避免与PCB主板上其他组件相互干扰。此外,在模块外部也必须解决相同的干扰问题。因此,必须透过一项重要制程来形成组件之间的屏障,业界称之为共形屏蔽(Conformal Shielding)和分段型屏蔽(Compartment Shielding)。 在业界普遍常见的金属屏蔽罩,每一段均需要保留约1mm宽度的焊盘与排除区域 (Keep-Out Zone),云茂电子的共形及分段型屏蔽只需10%的宽度。以一个多频4G模块为例,可为其他组件腾出超过17%的空间,并可屏蔽40-50 dB的电磁干扰。 天津COB封装供应

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山西模组封装方式 2024-06-23

除了2D和3D的封装结构外,另一种以多功能性基板整合组件的方式,也可纳入SiP的范围。此技术主要是将不同组件内藏于多功能基板中,亦可视为是SiP的概念,达到功能整合的目的。不同的芯片,排列方式,与不同内部结合技术搭配,使SiP 的封装形态产生多样化的组合,并可按照客户或产品的需求加以客制化或弹性生产。SiP技术路线表明,越来越多的半导体芯片和封装将彼此堆叠,以实现更深层次的3D封装。图2.19 是8芯片堆叠SiP,将现有多芯片封装结合在一个堆叠中。微晶片的减薄化是SiP增长面对的重要技术挑战。现在用于生产200mm和300mm微晶片的焊接设备可处理厚度为50um的晶片,因此允许更密集地堆叠芯片...

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