企业商机
SIP封装基本参数
  • 品牌
  • 云茂
  • 型号
  • 齐全
  • 封装形式
  • B***GA,CSP,QFP/PFP,MCM,SDIP,SOP/SOIC,PLCC,TSOP,TQFP,PQFP,SMD,DIP
SIP封装企业商机

根据国际半导体路线组织(ITRS)的定义: SiP(System-in-package)为将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件,以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件优先组装到一起,实现一定功能的单个标准封装件,形成一个系统或者子系统。SiP技术特点:组件集成,SiP可以包含各种类型的组件,如:数字和模拟集成电路,无源元件(电阻、电容、电感),射频(RF)组件,功率管理模块,内存芯片(如DRAM、Flash),传感器和微电机系统(MEMS)。由于SiP电子产品向高密度集成、功能多样化、小尺寸等方向发展,传统的失效分析方法已不能完全适应。吉林MEMS封装方案

吉林MEMS封装方案,SIP封装

SiP 封装优势。在IC封装领域,是一种先进的封装,其内涵丰富,优点突出,已有若干重要突破,架构上将芯片平面放置改为堆叠式封装,使密度增加,性能较大程度上提高,表示着技术的发展趋势,在多方面存在极大的优势特性,体现在以下几个方面。SiP 实现是系统的集成。采用要给封装体来完成一个系统目标产品的全部互联以及功能和性能参数,可同时利用引线键合与倒装焊互连技术以及别的IC芯片堆叠等直接内连技术,将多个IC芯片与分立有源和无源器件封装在一个管壳内。吉林MEMS封装方案SiP封装基板具有薄形化、高密度、高精度等技术特点。

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光电器件、MEMS 等特殊工艺器件的微小化也将大量应用 SiP 工艺。SiP 发展的难点随着 SiP 市场需求的增加,SiP 封装行业的痛点也开始凸显,例如无 SiP 行业标准,缺少内部裸片资源,SiP 研发和量产困难,SiP 模块和封装设计有难度。由于 SiP 模组中集成了众多器件,假设每道工序良率有一点损失,叠乘后,整个模组的良率损失则会变得巨大,这对封装工艺提出了非常高的要求。并且 SiP 技术尚属初级阶段,虽有大量产品采用了 SiP 技术,不过其封装的技术含量不高,系统的构成与在 PCB 上的系统集成相似,无非是采用了未经封装的芯片通过 COB 技术与无源器件组合在一起,系统内的多数无源器件并没有集成到载体内,而是采用 SMT 分立器件。

合封电子技术就是包含SiP封装技术,所以合封技术范围更广,技术更全,功能更多。合封电子应用场景,合封电子的应用场景:合封电子可用于需要多功能、高性能、高稳定性、低功耗、省成本的应用场景。例如家居电子:智能环境监测系统可以实时监测室内空气质量、温度、湿度等环境参数,并根据需要进行调整。遥控玩具:遥控车可以集成多种传感器和执行器,实现自动避障、自动跟随等功能。......应用场景比较全,可以采购原有云茂电子,还能进行定制化云茂电子服务。SiP可以说是先进的封装技术、表面安装技术、机械装配技术的融合。

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SiP可以说是先进的封装技术、表面安装技术、机械装配技术的融合。根据ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors)的定义:系统级封装是多个具有不同功能的有源电子元件的组合,组装在一个单元中,提供与系统或子系统相关的多种功能。一个SiP可以选择性地包含无源器件、MEMS、光学元件以及其他封装和设备。SiP 封装技术采取多种裸芯片或模块进行排列组装,若就排列方式区分可大体分为平面式2D封装和3D封装的结构。采用堆叠的3D技术可以增加使用晶圆或模块的数量,从而在垂直方向上增加可放置晶圆的层数,进一步增强SiP技术的功能整合能力;而其内部接合技术可以是单纯的线键合(Wire Bonding),也可使用倒装键合(Flip chip),也可二者混用。SOC与SIP都是将一个包含逻辑组件、内存组件、甚至包含无源组件的系统,整合在一个单位中。吉林MEMS封装方案

SiP系统级封装技术将处理芯片、存储芯片、被动元件、连接器、天线等多功能器件整合在同一基板上。吉林MEMS封装方案

电镀镍金:电镀是指借助外界直流电的作用,在溶液中进行电解反应,是导电体(例如金属)的表面趁机金属或合金层。电镀分为电镀硬金和软金工艺,镀硬金与软金的工艺基本相同,槽液组成也基本相同,区别是硬金槽内添加了一些微量金属镍或钴或铁等元素,由于电镀工艺中镀层金属的厚度和成分容易控制,并且平整度优良,所以在采用键合工艺的封装基板进行表面处理时,一般采用电镀镍金工艺,铝线的键合一般采用硬金,金线的键合一般都用软金。吉林MEMS封装方案

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广东半导体芯片封装供应 2024-09-28

SIP工艺解析,引线键合封装工艺工序介绍:圆片减薄,为保持一定的可操持性,Foundry出来的圆厚度一般在700um左右。封测厂必须将其研磨减薄,才适用于切割、组装,一般需要研磨到200um左右,一些叠die结构的memory封装则需研磨到50um以下。圆片切割,圆片减薄后,可以进行划片,划片前需要将晶元粘贴在蓝膜上,通过sawwing工序,将wafer切成一个 一个 单独的Dice。目前主要有两种方式:刀片切割和激光切割。芯片粘结,贴装的方式可以是用软焊料(指Pb-Sn合金,尤其是含Sn的合金)、Au—Si低共熔合金等焊接到基板上,在塑料封装中较常用的方法是使用聚合物粘结剂粘贴到金属框架上。...

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