生物医疗设备涂层应用生物医疗器械应用中的涂层生物医疗器械的制造和准备方面会用到许多类型的涂层。 有些涂层是为了保护设备免受腐蚀，而其他的则是为了预防组 织损伤、***或者是排异反应。 药 物传输涂层也变得日益普通。 其它生物医学器械，如血管成型球囊，具有**的隔膜，必须具有均匀和固定的厚度才能正常工作。
这些涂层厚度的测量方法各不相同，但有一件事是确定的。使用普通方法 (例如，在涂层前后称某一部分的重量)， 无法检测到会导致器械故障的涂层不完全覆盖或涂层的不均匀性。
Filmetrics 提供一系列的和测绘系统来测量 3nm 到 1mm 的单层、 多层、 以及单独的光刻胶薄膜。工艺薄膜膜厚仪推荐产品
厚度标准：
所有 Filmetrics 厚度标准都是得到验证可追溯的 NIST 标准。
S-Custom-NIST：在客户提供的样品上定制可追溯的 NIST 厚度校准。
TS-Focus-SiO2-4-3100SiO2-on-Si ：厚度标准，外加调焦区和单晶硅基准，厚度大约 3100A，4" 晶圆。
TS-Focus-SiO2-4-10000SiO2-on-Si ：厚度标准，外加调焦区和单晶硅基准，厚度大约 10000A，4" 晶圆。
TS-Hardcoat-4µm：丙烯酸塑料硬涂层厚度标准，厚度大约 4um，直径 2"。
TS-Hardcoat-Trans：背面透明的硬涂层，可用于透射测量。
TS-Parylene-4um：丙烯酸塑料上的聚对二甲苯厚度标准，厚度大约 4um ，直径2"。
TS-Parylene-8um：硅基上的聚对二甲苯厚度标准，厚度大约 8um，23mm x 23mm。
TS-SiO2-4-7200：硅基上的二氧化硅厚度标准，厚度大约 7200A，4" 晶圆。
TS-SiO2-4-7200-NIST：可追溯的 NIST SiO2-4-7200 厚度标准。
TS-SiO2-6-Multi：多厚度硅基上的二氧化硅标准: 125埃米，250埃米，500埃米，1000埃米，5000埃米，和 10000埃米 (+/-10%误差)，6英寸晶圆。TS-SS3-SiO2-8000：專為SS-3样品平台設計之二氧化硅厚度标准片,厚度大约為 8000A。 半导体膜厚仪国内代理利用可选的 UPG-F10-AR-HC 软件升级能测量 0.25-15um 的硬涂层厚度。
Filmetrics 的技术Filmetrics 提供了范围***的测量生物医疗涂层的方案：支架： 支架上很小的涂层区域通常需要显微镜类的仪器。 我们的 F40 在几十个实验室内得到使用，测量钝化和/或药 物输送涂层。我们有独特的测量系统对整個支架表面的自動厚度测绘，只需在测量时旋轉支架。植入件： 在测量植入器件的涂层时，不规则的表面形状通常是***挑战。 Filmetrics 提供这一用途的全系列探头。导丝和导引针： 和支架一样，这些器械常常可以用象 F40 这样的显微镜仪器。导液管和血管成型球囊的厚度:大于 100 微米的厚度和可见光谱不透明性决定了 F20-NIR 是这一用途方面全世界众多实验室内很受欢迎的仪器。
F30包含的内容：集成光谱仪/光源装置光斑尺寸10微米的单点测量平台FILMeasure 8反射率测量软件Si 参考材料FILMeasure **软件 (用于远程数据分析)
额外的好处：每台系统內建超过130种材料库, 随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助（周一 - 周五）网上的 “手把手” 支持 (需要连接互联网)硬件升级计划
型号厚度范围*波长范围
F3-s 980:10µm - 1mm 960-1000nm
F3-s1310:15µm - 2mm 1280-1340nm
F3-s1550:25µm - 3mm 1520-1580nm
*取决于薄膜种类 测量SU-8 其它厚光刻胶的厚度有特别重要的应用。
FSM 413MOT 红外干涉测量设备：
适用于所有可让红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石 英、聚合物…………
应用:
衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)
平整度
厚度变化 (TTV)
沟槽深度
过孔尺寸、深度、侧壁角度
粗糙度
薄膜厚度
不同半导体材料的厚度
环氧树脂厚度
衬底翘曲度
晶圆凸点高度(bump height)
MEMS 薄膜测量
TSV 深度、侧壁角度...
如果您想了解更多关于FSM膜厚仪的技术问题，请联系我们岱美仪器。 监测控制生产过程中移动薄膜厚度。高达100 Hz的采样率可以在多个测量位置得到。Profilm3D膜厚仪技术支持
紫外光可测试的深度：***的薄膜（SOI 或 Si-SiGe）或者厚样的近表面局部应力。工艺薄膜膜厚仪推荐产品
集成电路故障分析故障分析 (FA) 技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。
故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装) 和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。 Filmetrics F3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。 厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量，另外可选配模组来延伸**小测量厚度至0.1微米，同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。
测量范例現在我們使用我們的 F3-s1550 系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具備特殊光學設計之 F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度 工艺薄膜膜厚仪推荐产品
