真空镀膜的物理过程：PVD（物理的气相沉积技术）的基本原理可分为三个工艺步骤：（1）金属颗粒的气化：即镀料的蒸发、升华或被溅射从而形成气化源（2）镀料粒子（（原子、分子或离子）的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞，产生多种反应。（3）镀料粒子在基片表面的沉积。磁控溅射主要利用辉光放电(glowdischarge)将氩气(Ar)离子撞击靶材(target)表面,靶材的原子被弹出而堆积在基板表面形成薄膜。溅镀薄膜的性质、均匀度都比蒸镀薄膜来的好,但是镀膜速度却比蒸镀慢比较多。新型的溅镀设备几乎都使用强力磁铁将电子成螺旋状运动以加速靶材周围的氩气离子化,造成靶与氩气离子间的撞击机率增加,提高溅镀速率。PECVD，等离子体化学气相沉积法是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离。天津磁控溅射真空镀膜技术
真空镀膜机离子镀目前应用较为普遍，那么它的研究历史过程是怎样的呢？真空镀膜机离子镀替代电镀课题研究历史过程,电镀在工业中应用已久，但它有镀膜不够致密，有气孔，易发生氢脆，更严重的是对环境污染厉害，三废处理费用高昂又不能根除，尤其六价铬，镍，镉元素对人体有害，是致病物质。所以电镀被替代是工业发展的必然，我们经过多年研究，现已研究成功：钢铁、黄铜、铝合金、锌基合金等基材表面进行了离子镀铬、钛、锆、铝、氮化物等可替代电镀锌、电镀镉、电镀镍、电镀铬。北京磁控溅射真空镀膜实验室为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应。
热氧化氧化过程主要分两个步骤：步骤一：氧气或者水蒸气等吸附到氧化硅表面，步骤二：氧气或者水蒸气等扩散到硅表面，步骤三：氧气或者水蒸气等与硅反应生成氧化硅。热蒸发主要是三个过程：1.蒸发材料从固态转化为气态的过程。2.气化原子或分子在蒸发源与基底之间的运输 3.蒸发原子或分子在衬底表面上淀积过程，即是蒸汽凝聚、成核、核生长、形成连续薄膜的过程。热氧化与化学气相沉积不同，她是通过氧气或水蒸气扩散到硅表面并进行化学反应形成氧化硅。热氧化形成氧化硅时，会消耗相当于氧化硅膜厚的45%的硅。
真空镀膜的操作规程：1.在真空镀膜机运转正常情况下，开动真空镀膜机时，必须先开水管，工作中应随时注意水压。2.在离子轰击和蒸发时，应特别注意高压电线接头，不得触动，以防触电。3.在用电子头镀膜时，应在钟罩周围上铝板。观察窗的玻璃较好用铅玻璃，观察时应戴上铅玻璃眼镜，以防X射线侵害人体。4.镀制多层介质膜的镀膜间，应安装通风吸尘装置，及时排除有害粉尘。5.易燃有毒物品要妥善保管，以防失火中毒。6.酸洗夹具应在通风装置内进行，并要戴橡皮手套。7.把零件放入酸洗或碱洗槽中时，应轻拿轻放，不得碰撞及溅出。平时酸洗槽盆应加盖。8.工作完毕应断电、断水。真空镀膜机的优点:其封口性能好，尤其包装粉末状产品时，不会污染封口部分，保证了包装的密封性能。
近年来，真空镀膜机研究者开始注意到ITO-金属-ITO多层膜系统，其优点在于透光、导电和可绕曲等特性的增进，其中导电性和可绕曲性的增进原因较直观，皆来自于金属薄膜本身优异的特性。透光性的增加则来自这类介电-金属-介电多层膜构造对可见光反射的阻止效果，同时透过光学设计可改变穿透光的频谱，造成选择性透明的功能。软性光电元件的发展，须使用可绕曲的透明导电膜才能完善，然而现今被大量使用的金属氧化物电极如ITO，并不能满足这个需求。真空镀膜机透明导电膜技术及其在太阳能元件上的应用，这些技术包括导电高分子、氧化物-金属-氧化物多层膜技术、奈米银自组装及银奈米线等，都能形成透明又导电的薄膜或是网状结构，而且特性和制造成本优于ITO，将来都有可能成功地被应用在可绕曲的光电元件上。真空镀膜机的优点:可采用屏蔽式进行部分镀铝，以获得任意图案或透明窗口，能看到内装物。云南反射溅射真空镀膜工艺
离子镀是真空蒸发与阴极溅射技术的结合。天津磁控溅射真空镀膜技术
对于薄膜应力主要有以下原因：1.薄膜生长初始阶段，薄膜面和界面的表面张力的共同作用；2.沉积过程中膜面温度远高于衬底温度产生热应变；3.薄膜和衬底间点阵错配而产生界面应力；4.金属膜氧化后氧化物原子体积增大产生压应力；5.斜入射造成各向异性成核、生长；6.薄膜内产生相变或化学组分改变导致原子体积变化。热氧化是在一定的温度和气体条件下，使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的。主要有干法氧化和湿法氧化，干法氧化是在硅片表面通入氧气，硅片与氧化反应生成氧化硅，氧化速率比较慢，氧化膜厚容易控制。湿法氧化在炉管当中通入氧气和氢气，两者反应生长水蒸气，水蒸气与硅片表面反应生长氧化硅，湿法氧化，速率比较快，可以生长比较厚的薄膜。天津磁控溅射真空镀膜技术
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