光刻分辨率Resolution：0.18～0.25μm（一般采用了偏轴照明OAI_Off-Axis Illumination和相移掩膜板技术PSM_Phase Shift Mask增强）；套刻精度Overlay：65nm；产能Throughput：30～60wafers/hour（200mm）；视场尺寸Field Size：25×32mm；后烘方法：热板，110～130C,1分钟。目的：a、减少驻波效应；b、激发化学增强光刻胶的PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。显影方法：a、整盒硅片浸没式显影（Batch Development）。缺点：显影液消耗很大；显影的均匀性差；b、连续喷雾显影（Continuous Spray Development）/自动旋转显影（Auto-rotation Development）。一个或多个喷嘴喷洒显影液在硅片表面，同时硅片低速旋转（100～500rpm）。电子束入射到抗蚀剂及基片上时，电子会与固体材料的原子发生“碰撞”产生电子散射现象。甘肃贵金属真空镀膜
所有实际电子束曝光、显影后图形的边缘要往外扩展，这就是所谓的“电子束邻近效应。同时，半导体基片上如果有绝缘的介质膜，电子通过它时也会产生一定量的电荷积累，这些积累的电荷同样会排斥后续曝光的电子，产生偏移，而不导电的绝缘体（如玻璃片）肯定不能采用电子束曝光。还有空间交变磁场、实验室温度变化等都会引起电子束曝光产生“漂移”现象。因此，即使拥有2nm电子束斑的曝 光 系统，要曝光出50nm以下的图形结构也不容易。麻省理工学院（MIT）已经采用的电子束光刻技术分辨率将推进到9nm。电子束直写光刻可以不需要制造掩模版，比较灵活。江西材料刻蚀世界三大光刻机生产商浸没式光刻机样机都是在原有193nm干式光刻机的基础上改进研制而成。
显影液：正性光刻胶的显影液。正胶的显影液位碱性水溶液。KOH和NaOH因为会带来可动离子污染（MIC，Movable Ion Contamination），所以在IC制造中一般不用。较普通的正胶显影液是四甲基氢氧化铵（TMAH）（标准当量浓度为0.26，温度15～25C）。在I线光刻胶曝光中会生成羧酸，TMAH显影液中的碱与酸中和使曝光的光刻胶溶解于显影液，而未曝光的光刻胶没有影响；在化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist）中包含的酚醛树脂以PHS形式存在。CAR中的PAG产生的酸会去除PHS中的保护基团（t-BOC），从而使PHS快速溶解于TMAH显影液中。
世界三大光刻机生产商浸没式光刻机样机都是在原有193nm干式光刻机的基础上改进研制而成，较大降低了研发成本和风险。因为浸没式光刻系统的原理清晰而且配合现有的光刻技术变动不大，目前193nmArF准分子激光光刻技术在65nm以下节点半导体量产中已经普遍应用；ArF浸没式光刻技术在45nm节点上是大生产的主流技术。为把193i技术进一步推进到32和22nm的技术节点上，光刻**一直在寻找新的技术，在没有更好的新光刻技术出现前，两次曝光技术（或者叫两次成型技术，DPT）成为人们关注的热点。目前EUV技术采用的曝光波长为13．5nm。
虽然g-line光刻胶和i-line 光刻胶使用的成分类似，但是其树脂和感光剂在微观结构上均有变化，因而具有不同的分辨率。G-line光刻胶适用于0.5um(500nm)以上尺寸的集成电路制作，而i-line光刻胶使用于0.35um（350nm至0.5um（500nm）尺寸的集成电路制作。此外，这两种光刻胶均可以用于液晶平板显示等较大面积电子产品的制作。90年代后半期，遵从摩尔定律的指引，半导体制程工艺尺寸开始缩小到0.35um（350nm）以下，因而开始要求更高分辨率的光刻技术。深紫外光由于波长更短，衍射作用小，所以可以用于更高分辨率的光刻光源。由于所有的光学材料对该波长的光有强烈的吸收，所以只能采取反射式的光路。安徽氮化镓材料刻蚀
2009年9月Intel首先次向世人展示了22nm工艺晶圆，称继续使用193nm浸没式光刻技术。甘肃贵金属真空镀膜
EUV系统主要成像原理是光波波长为10～14nm的极端远紫外光波经过周期性多层膜反射镜投射到反射式掩模版上，通过反射式掩模版反射出的极紫外光波再通过由多面反射镜组成的缩小投影系统，将反射式掩模版上的集成电路几何图形投影成像到硅片表面的光刻胶中，形成集成电路制造所需要的光刻图形。目前EUV技术采用的曝光波长为13．5nm，由于其具有如此短的波长，所有光刻中不需要再使用光学邻近效应校正（OPC）技术，因而它可以把光刻技术扩展到32nm以下技术节点。2009年9月Intel首先次向世人展示了22nm工艺晶圆，称继续使用193nm浸没式光刻技术，并规划与EUV及EBL曝光技术相配合，使193nm浸没式光刻技术延伸到15和11nm工艺节点。甘肃贵金属真空镀膜
广东省科学院半导体研究所致力于电子元器件，是一家服务型的公司。公司自成立以来，以质量为发展，让匠心弥散在每个细节，公司旗下微纳加工技术服务，真空镀膜技术服务，紫外光刻技术服务，材料刻蚀技术服务深受客户的喜爱。公司注重以质量为中心，以服务为理念，秉持诚信为本的理念，打造电子元器件良好品牌。在社会各界的鼎力支持下，持续创新，不断铸造***服务体验，为客户成功提供坚实有力的支持。
