EVG ® 850
特征
生产系统可在高通量，高产量环境中运行
自动盒带间或FOUP到FOUP操作
无污染的背面处理
超音速和/或刷子清洁
机械平整或缺口对准的预键合
先进的远程诊断
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
100-200、150-300毫米
全自动盒带到盒带操作
预键合室
对准类型：平面到平面或凹口到凹口
对准精度：X和Y：±50 µm，θ：±0.1°
结合力：**/高5 N
键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活
真空系统：9x10 -2 mbar（标准）和9x10 -3 mbar（涡轮泵选件）
清洁站
清洁方式：冲洗（标准），超音速喷嘴，超音速面积传感器，喷嘴，刷子（可选）
腔室：由PP或PFA制成（可选）
清洁介质：去离子水（标准），NH 4 OH和H 2 O 2（**/大）。2％浓度（可选）
旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成
旋转：**/高3000 rpm（5 s）
清洁臂：**多5条介质线（1个超音速系统使用2条线）
可选功能
ISO 3 mini-environment（根据ISO 14644）
LowTemp™等离子活化室
红外检查站
EVG®500系列UV键合模块-适用于GEMINI支持UV固化的粘合剂键合。EVG320键合机三维芯片应用
EVG320技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
200、100-300毫米
清洁系统
开室，旋转器和清洁臂
腔室：由PP或PFA制成（可选）
清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）
旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成
旋转：**/高3000 rpm（5秒内）
超音速喷嘴
频率：1 MHz（3 MHz选件）
输出功率：30-60 W
去离子水流量：**/高1.5升/分钟
有效清洁区域：Ø4.0 mm
材质：聚四氟乙烯
兆声区域传感器
可选的
频率：1 MHz（3 MHz选件）
输出功率：**/大 2.5 W /cm²有效面积（**/大输出200 W）
去离子水流量：**/高1.5升/分钟
有效的清洁区域：三角形，确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性
材质：不锈钢和蓝宝石
刷的参数
材质：PVA
可编程参数：刷子和晶圆速度（rpm）
可调参数（刷压缩，介质分配）
自动化晶圆处理系统
扫描区域兼容晶圆处理机器人领域 EVG320，使24小时自动化盒对盒或FOUP到FOUP操作，达到**/高吞吐量。与晶圆接触的表面不会引起任何金属离子污染。
可选功能
ISO 3 mini-environment（根据ISO 14644） 中国台湾晶圆键合机EVG键合机键合工艺可在真空或受控气体条件下进行。
EVG ® 320自动化单晶圆清洗系统
用途：自动单晶片清洗系统，可有效去除颗粒
特色
技术数据
EVG320自动化单晶圆清洗系统可在处理站之间自动处理晶圆和基板。机械手处理系统可确保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自动预对准和装载晶圆。除了使用去离子水冲洗外，配置选项还包括兆频，刷子和稀释的化学药品清洗。
特征
多达四个清洁站
全自动盒带间或FOUP到FOUP处理
可进行双面清洁的边缘处理（可选）
使用1 MHz的超音速喷嘴或区域传感器（可选）进行高/效清洁
先进的远程诊断
防止从背面到正面的交叉污染
完全由软件控制的清洁过程
EVG ® 610 BA键对准系统
适用于学术界和工业研究的晶圆对晶圆对准的手动键对准系统
特色
技术数据
EVG610键合对准系统设计用于**/大200mm晶圆尺寸的晶圆间对准。EV Group的键合对准系统可通过底侧显微镜提供手动高精度对准平台。EVG的键对准系统的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中**苛刻的对准过程。
特征
**适合EVG ® 501和EVG ®
510键合系统
晶圆和基板尺寸**/大为150/200 mm
手动高精度对准台
手动底面显微镜
基于Windows 的用户界面
研发和试生产的**/佳总拥有成本（TCO） 晶圆级涂层、封装，工程衬**造，晶圆级3D集成和晶圆减薄等用于制造工程衬底，如SOI（绝缘体上硅）。
EVG ® 850 LT 的LowTemp™等离子激/活模块
2种标准工艺气体：N 2和O 2以及2种其他工艺气体：高纯度气体（99.999％），稀有气体（Ar，He，Ne等）和形成气体（N 2，Ar含量**/高为4％的气体）2）
通用质量流量控制器：**多可对4种工艺气体进行自校准，可对配方进行编程，流速**/高可达到20.000 sccm
真空系统：9x10 -2 mbar（标准）和9x10 -3 mbar（涡轮泵选件），高频RF发生器和匹配单元
清洁站
清洁方式：冲洗（标准），超音速喷嘴，超音速面积传感器，喷嘴，刷子（可选）
腔室：由PP或PFA制成
清洁介质：去离子水（标准），NH 4 OH和H 2 O 2（**/大）。2％浓度（可选）
旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成
旋转：**/高3000 rpm（5 s）
清洁臂：**多5条介质线（1个超音速系统使用2条线）
可选功能
ISO 3 mini-environment（根据ISO 14644）
LowTemp™等离子活化室
红外检查站 自动键合系统EVG®540，拥有300 mm单腔键合室和多达4个自动处理键合卡盘。EVG320键合机三维芯片应用
旋涂模块-适用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圆键合之前施加粘合剂层。EVG320键合机三维芯片应用
EVG ® 810 LT
LowTemp™等离子激/活系统
适用于SOI，MEMS，化合物半导体和先进基板键合的低温等离子体活化系统
特色
技术数据
EVG810 LT LowTemp™等离子活化系统是具有手动操作的单腔**单元。处理室允许进行异位处理（晶圆被一一激/活并结合在等离子体激/活室外部）。
特征
表面等离子体活化，用于低温粘结（熔融/分子和中间层粘结）
晶圆键合机制中**快的动力学
无需湿工艺
低温退火（**/高400°C）下的**/高粘结强度
适用于SOI，MEMS，化合物半导体和高级基板键合
高度的材料兼容性（包括CMOS） EVG320键合机三维芯片应用
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