对准晶圆键合是晶圆级涂层,晶圆级封装,工程衬**造,晶圆级3D集成和晶圆减薄方面很有用的技术。反过来,这些工艺也让MEMS器件,RF滤波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS图像传感器)的生产迅速增长。这些工艺也能用于制造工程衬底,例如SOI(绝缘体上硅)。
主流键合工艺为:黏合剂,阳极,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬态液相)和金属扩散/热压缩。采用哪种键合工艺取决于应用。EVG500系列可灵活配置选择以上的所有工艺。
键合机厂家EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验,拥有累计2000多年晶圆键合经验的员工。同时,EVG的GEMINI是使用晶圆键合的HVM的行业标准。 EVG键合机通过在高真空,精确控制的真空、温度或高压条件下键合,可以满足各种苛刻的应用。免税价格键合机优惠价格
EVG ® 810 LT
LowTemp™等离子激/活系统
适用于SOI,MEMS,化合物半导体和先进基板键合的低温等离子体活化系统
特色
技术数据
EVG810 LT LowTemp™等离子活化系统是具有手动操作的单腔**单元。处理室允许进行异位处理(晶圆被一一激/活并结合在等离子体激/活室外部)。
特征
表面等离子体活化,用于低温粘结(熔融/分子和中间层粘结)
晶圆键合机制中**快的动力学
无需湿工艺
低温退火(**/高400°C)下的**/高粘结强度
适用于SOI,MEMS,化合物半导体和高级基板键合
高度的材料兼容性(包括CMOS) EVG键合机研发可以用吗自动晶圆键合机系统EVG®560,拥有多达4个键合室,能满足各种键合操作;可以自动装卸键合室和冷却站。
EVG ® 850 SOI的自动化生产键合系统
自动化生产键合系统,适用于多种熔融/分子晶圆键合应用
特色
技术数据
SOI晶片是微电子行业有望生产出更快,性能更高的微电子设备的有希望的新基础材料。晶圆键合技术是SOI晶圆制造工艺的一项关键技术,可在绝缘基板上实现高质量的单晶硅膜。借助EVG850
SOI生产键合系统,SOI键合的所有基本步骤-从清洁和对准到预键合和红外检查-都结合了起来。因此,EVG850确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高产量生产工艺。EVG850是唯/一在高通量,高产量环境下运行的生产系统,已被确立为SOI晶圆市场的行业标准。
EVG ® 810 LT技术数据
晶圆直径(基板尺寸)
50-200、100-300毫米
LowTemp™等离子活化室
工艺气体:2种标准工艺气体(N 2和O 2)
通用质量流量控制器:自校准(高达20.000 sccm)
真空系统:9x10 -2 mbar
腔室的打开/关闭:自动化
腔室的加载/卸载:手动(将晶圆/基板放置在加载销上)
可选功能
卡盘适用于不同的晶圆尺寸
无金属离子活化
混合气体的其他工艺气体
带有涡轮泵的高真空系统:9x10 -3 mbar基本压力
符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统
Si:Si / Si,Si / Si(热氧化,Si(热氧化)/
Si(热氧化)
TEOS / TEOS(热氧化)
绝缘体锗(GeOI)的Si / Ge
Si/Si3N4
玻璃(无碱浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃
化合物半导体:GaAs,GaP,InP
聚合物:PMMA,环烯烃聚合物
用户可以使用上述和其他材料的“**/佳已知方法”配方(可根据要求提供完整列表)
除了支持3D互连和MEMS制造,晶圆级和先进封装外,EVG的EVG500系晶圆键合机还可用于研发,中试和批量生产。
EVG ® 850 LT
特征
利用EVG的LowTemp™等离子激/活技术进行SOI和直接晶圆键合
适用于各种熔融/分子晶圆键合应用
生产系统可在高通量,高产量环境中运行
盒到盒的自动操作(错误加载,SMIF或FOUP)
无污染的背面处理
超音速和/或刷子清洁
机械平整或缺口对准的预键合
先进的远程诊断
技术数据
晶圆直径(基板尺寸)
100-200、150-300毫米
全自动盒带到盒带操作
预键合室
对准类型:平面到平面或凹口到凹口
对准精度:X和Y:±50 µm,θ:±0.1°
结合力:**/高5 N
键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活
真空系统:9x10 -2 mbar(标准)和9x10 -3 mbar(涡轮泵选件) 自动键合系统EVG®540,拥有300 mm单腔键合室和多达4个自动处理键合卡盘。免税价格键合机优惠价格
EVG501键合机:卓/越的压力和温度均匀性、高真空键合室、自动键合和数据记录。免税价格键合机优惠价格
EVG ® 850 LT 的LowTemp™等离子激/活模块
2种标准工艺气体:N 2和O 2以及2种其他工艺气体:高纯度气体(99.999%),稀有气体(Ar,He,Ne等)和形成气体(N 2,Ar含量**/高为4%的气体)2)
通用质量流量控制器:**多可对4种工艺气体进行自校准,可对配方进行编程,流速**/高可达到20.000 sccm
真空系统:9x10 -2 mbar(标准)和9x10 -3 mbar(涡轮泵选件),高频RF发生器和匹配单元
清洁站
清洁方式:冲洗(标准),超音速喷嘴,超音速面积传感器,喷嘴,刷子(可选)
腔室:由PP或PFA制成
清洁介质:去离子水(标准),NH 4 OH和H 2 O 2(**/大)。2%浓度(可选)
旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成
旋转:**/高3000 rpm(5 s)
清洁臂:**多5条介质线(1个超音速系统使用2条线)
可选功能
ISO 3 mini-environment(根据ISO 14644)
LowTemp™等离子活化室
红外检查站 免税价格键合机优惠价格
岱美仪器技术服务(上海)有限公司成立于2002-02-07,注册资本:100-200万元。该公司贸易型的公司。岱美中国是一家其他有限责任公司企业,一直贯彻“以人为本,服务于社会”的经营理念;“质量高速,诚守信誉,持续发展”的质量方针。公司业务涵盖[ "半导体工艺设备", "半导体测量设备", "光刻机 键合机", "膜厚测量仪" ],价格合理,品质有保证,深受广大客户的欢迎。岱美中国将以真诚的服务、创新的理念、***的产品,为彼此赢得全新的未来!