EVG ® 850 TB
自动化临时键合系统
全自动将临时晶圆晶圆键合到刚性载体上
特色
技术数据
全自动的临时键合系统可在一个自动化工具中实现整个临时键合过程-从临时键合剂的施加，烘焙，将设备晶圆与载体晶圆的对准和键合开始。与所有EVG的全自动工具一样，设备布局是模块化的，这意味着可以根据特定过程对吞吐量进行优化。可选的在线计量模块允许通过反馈回路进行全过程监控和参数优化。
由于EVG的开放平台，因此可以使用不同类型的临时键合粘合剂，例如旋涂热塑性塑料，热固性材料或胶带。 EVG501 晶圆键合机（系统）：真正的低强度晶圆楔形补偿系统，可实现**/高产量；研发和试生产的**/低 购置成本。新疆键合机推荐型号
EVG320技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
200、100-300毫米
清洁系统
开室，旋转器和清洁臂
腔室：由PP或PFA制成（可选）
清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）
旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成
旋转：**/高3000 rpm（5秒内）
超音速喷嘴
频率：1 MHz（3 MHz选件）
输出功率：30-60 W
去离子水流量：**/高1.5升/分钟
有效清洁区域：Ø4.0 mm
材质：聚四氟乙烯
兆声区域传感器
可选的
频率：1 MHz（3 MHz选件）
输出功率：**/大 2.5 W /cm²有效面积（**/大输出200 W）
去离子水流量：**/高1.5升/分钟
有效的清洁区域：三角形，确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性
材质：不锈钢和蓝宝石
刷的参数
材质：PVA
可编程参数：刷子和晶圆速度（rpm）
可调参数（刷压缩，介质分配）
自动化晶圆处理系统
扫描区域兼容晶圆处理机器人领域 EVG320，使24小时自动化盒对盒或FOUP到FOUP操作，达到**/高吞吐量。与晶圆接触的表面不会引起任何金属离子污染。
可选功能
ISO 3 mini-environment（根据ISO 14644） 红外键合机推荐产品EVG501键合机：卓/越的压力和温度均匀性、高真空键合室、自动键合和数据记录。
完美的多用户概念（无限数量的用户帐户，各种访问权限，不同的用户界面语言）
桌面系统设计，占用空间**小
支持红外对准过程
EVG ® 610 BA 键合机技术数据
常规系统配置
桌面
系统机架：可选
隔振：被动
对准方法
背面对准：±2 µm 3σ
透明对准：±1 µm 3σ
红外校准：选件
对准阶段
精密千分尺：手动
可选：电动千分尺
楔形补偿：自动
基板/晶圆参数
尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米
厚度：0.1-10毫米
**/高堆叠高度：10毫米
自动对准
可选的
处理系统
标准：2个卡带站
可选：**多5个站
EVG ® 6200键合机选件
自动对准
红外对准，用于内部基板键对准
NanoAlign ®包增强加工能力
可与系统机架一起使用
掩模对准器的升级可能性
技术数据
常规系统配置
桌面
系统机架：可选
隔振：被动
对准方法
背面对准：±2 µm 3σ
透明对准：±1 µm 3σ
红外校准：选件
对准阶段
精密千分尺：手动
可选：电动千分尺
楔形补偿：自动
基板/晶圆参数
尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米
厚度：0.1-10毫米
**/高堆叠高度：10毫米
自动对准
可选的
处理系统
标准：3个卡带站
可选：**多5个站
在不需重新配置硬件的情况下，EVG键合机可以在真空下执行SOI / SDB（硅的直接键合）预键合。
EVG ® 810 LT
LowTemp™等离子激/活系统
适用于SOI，MEMS，化合物半导体和先进基板键合的低温等离子体活化系统
特色
技术数据
EVG810 LT LowTemp™等离子活化系统是具有手动操作的单腔**单元。处理室允许进行异位处理（晶圆被一一激/活并结合在等离子体激/活室外部）。
特征
表面等离子体活化，用于低温粘结（熔融/分子和中间层粘结）
晶圆键合机制中**快的动力学
无需湿工艺
低温退火（**/高400°C）下的**/高粘结强度
适用于SOI，MEMS，化合物半导体和高级基板键合
高度的材料兼容性（包括CMOS） EVG®500系列键合模块-适用于GEMINI，支持除紫外线固化胶以外的所有主流键合工艺。黑龙江键合机当地价格
针对高级封装，MEMS，3D集成等不同市场需求，EVG优化了用于对准的多个键合模块。新疆键合机推荐型号
EVG ® 820层压系统
将任何类型的干胶膜（胶带）自动无应力层压到晶圆上
特色
技术数据
EVG820层压站用于将任何类型的干胶膜自动，无应力地层压到载体晶片上。这项独特的层压技术可对卷筒上的胶带进行打孔，然后将其对齐并层压到晶圆上。该材料通常是双面胶带。利用冲压技术，可以自由选择胶带的尺寸和尺寸，并且与基材无关。
特征
将任何类型的干胶膜自动，无应力和无空隙地层压到载体晶片上
在载体晶片上精确对准的层压
保护套剥离
干膜层压站可被集成到一个EVG ® 850 TB临时键合系统
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
高达300毫米
组态
1个打孔单元
底侧保护衬套剥离
层压
选件
顶侧保护膜剥离
光学对准
加热层压
新疆键合机推荐型号
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