根据型号和加热器尺寸，EVG500系列键合机可以用于碎片和50 mm至300 mm的晶圆。这些工具的灵活性非常适合中等批量生产、研发，并且可以通过简单的方法进行大批量生产，因为键合程序可以转移到EVG GEMINI大批量生产系统中。
键合室配有通用键合盖，可快速排空，快速加热和冷却。通过控制温度，压力，时间和气体，允许进行大多数键合过程。也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于UV固化黏合剂，可选的键合室盖具有UV源。键合可在真空或受控气体条件下进行。顶部和底部晶片的**温度控制补偿了不同的热膨胀系数，从而实现无应力黏合和出色的温度均匀性。在不需要重新配置硬件的情况下，可以在真空下执行SOI / SDB（硅的直接键合）预键合。 GEMINI FB XT适用于诸如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明的CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。贵州EVG850 TB键合机
EVG ® 501
晶圆键合系统
适用于学术界和工业研究的多功能手动晶圆键合系统
特色
技术数据
EVG501是一种高度灵活的晶圆键合系统，可以处理从单个芯片到150 mm（200 mm键合室为200
mm）的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺，例如阳极，玻璃粉，焊料，共晶，瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化，转换时间不到5分钟。这种多功能性是大学，研发机构或小批量生产的理想选择。EVG大批量制造工具（例如EVG GEMINI）上的键合室设计相同，键合程序易于转移，可轻松扩大生产规模。 图像传感器键合机要多少钱EVG键合机的特征有：压力高达100 kN、基底高达200mm、温度高达550°C、真空气压低至1·10-6 mbar。
对准晶圆键合是晶圆级涂层，晶圆级封装，工程衬**造，晶圆级3D集成和晶圆减薄方面很有用的技术。反过来，这些工艺也让MEMS器件，RF滤波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS图像传感器）的生产迅速增长。这些工艺也能用于制造工程衬底，例如SOI（绝缘体上硅）。
主流键合工艺为：黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩。采用哪种键合工艺取决于应用。EVG500系列可灵活配置选择以上的所有工艺。
键合机厂家EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验，拥有累计2000多年晶圆键合经验的员工。同时，EVG的GEMINI是使用晶圆键合的HVM的行业标准。
EVG ® 301单晶圆清洗系统，属于研发型单晶圆清洗系统。
技术数据
EVG301半自动化单晶片清洗系统采用一个清洗站，该清洗站使用标准的去离子水冲洗以及超音速，毛刷和稀释化学药品作为附加清洗选项来清洗晶片。EVG301具有手动加载和预对准功能，是一种多功能的研发型系统，适用于灵活的清洁程序和300
mm的能力。EVG301系统可与EVG的晶圆对准和键合系统结合使用，以消除晶圆键合之前的任何颗粒。旋转夹头可用于不同的晶圆和基板尺寸，从而可以轻松设置不同的工艺。 晶圆键合机系统 EVG®520 IS，拥有EVG®501和EVG®510键合机的所有功能；200 mm的单个或双腔自动化系统。
EVG ® 6200 BA自动键合对准系统
用于晶圆间对准的自动化键合对准系统，用于中等和批量生产
特色
技术数据
EVG键合对准系统提供了**/高的精度，灵活性和易用性，模块化升级功能，并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG键对准器的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中**苛刻的对准过程。
特征
适用于EVG所有的200 mm键合系统
支持**/大200 mm晶圆尺寸的双晶圆或三晶圆堆叠的键合对准
手动或电动对中平台，带有自动对中选项
全电动高/分辨率底面显微镜
基于Windows的用户界面 EVG 晶圆键合机上的键合过程是怎么样的呢？微流控键合机可以免税吗
旋涂模块-适用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圆键合之前施加粘合剂层。贵州EVG850 TB键合机
EVG ® 820层压系统
将任何类型的干胶膜（胶带）自动无应力层压到晶圆上
特色
技术数据
EVG820层压站用于将任何类型的干胶膜自动，无应力地层压到载体晶片上。这项独特的层压技术可对卷筒上的胶带进行打孔，然后将其对齐并层压到晶圆上。该材料通常是双面胶带。利用冲压技术，可以自由选择胶带的尺寸和尺寸，并且与基材无关。
特征
将任何类型的干胶膜自动，无应力和无空隙地层压到载体晶片上
在载体晶片上精确对准的层压
保护套剥离
干膜层压站可被集成到一个EVG ® 850 TB临时键合系统
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
高达300毫米
组态
1个打孔单元
底侧保护衬套剥离
层压
选件
顶侧保护膜剥离
光学对准
加热层压
贵州EVG850 TB键合机
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