四川通信基站烧结银膏

聚峰烧结银膏针对 AI 芯片、服务器电源等算力设备的封装需求，完成了专项性能优化。AI 芯片、服务器电源工作时功率密度高、发热量极大，传统焊料无法满足其散热与可靠性需求。聚峰烧结银膏烧结后形成的纯银互连层，热阻极低、散热快，可速度导出芯片热量，将器件工作温度降低 15-20℃，避免高温导致的算力衰减。同时，银层优异的导电性能，可承载大电流传输，满足服务器电源、AI 加速卡的高功率需求。此外，产品抗热疲劳、抗电迁移性能突出，在 7×24 小时不间断运行的服务器场景中，可保护器件 10 年以上的稳定运行，为算力基础设施的可靠运行提供关键材料支撑。聚峰有压烧结银膏 PMAg02，烧结后银层均匀致密，为功率器件提供高导热与高可靠粘接。四川通信基站烧结银膏

烧结银膏的连接强度与热匹配性是保障器件长期可靠性的双重保障。其烧结后的连接层剪切强度可达 20-50MPa，远超传统导电胶与部分软钎料，能承受剧烈的机械振动与冲击。更重要的是，烧结银的热膨胀系数（CTE）与硅芯片、陶瓷基板等主流封装基材高度匹配。在器件经历开机、关机的温度循环时，连接层与基材间因热胀冷缩差异产生的热应力被大幅降低，有效避免了传统焊料因热应力疲劳导致的界面开裂、分层等失效模式。这一特性使得烧结银膏在需要长期稳定运行的工业控制、汽车电子等领域，展现出远超传统材料的寿命与稳定性。江苏无压烧结银膏烧结纳米银膏采用纳米级银粉，粒径均匀分散性好，低温烧结即可形成致密导电网络。

聚峰纳米烧结银膏烧结后银层与基材结合强度高，耐冷热冲击、抗振动脱落，通过多项严苛可靠性验证。在高低温冲击、高温高湿、温度循环等测试中，银层结构稳定，无开裂、无氧化、无失效，满足车规级与工业级器件认证标准。其优异的结合力可应对车辆行驶、工业设备运行中的振动与冲击，保证连接不失效。针对极端应用环境，配方可进一步定制优化，提升耐候性与稳定性。无论是车载功率模块、工业控制器还是航空电子设备，聚峰烧结银膏均能提供可靠的封装互连，让设备在复杂工况下长期稳定工作。

纳米烧结银膏是实现功率器件双面散热（DSC）技术的关键材料，为提升模块性能开辟了新路径。传统单面散热结构热阻高、功率密度受限，而双面散热技术通过在芯片上下两面均采用烧结银膏连接，构建了双向散热通道。纳米烧结银膏凭借其超薄、高导热的连接层，将模块整体热阻降低约 30%，同时降低寄生电感约 70%。这一系列性能提升直接转化为功率密度的大幅跃升（约 40%），使得在相同体积内可以集成更多芯片，或实现更高的输出功率。该技术已在 SiC/GaN 功率模块中得到广泛应用，有力推动了电力电子设备向更小、更轻、更强的方向发展。烧结纳米银膏烧结后电阻率低至 10⁻⁸Ω・m 量级，导电性能远超传统锡基焊料。

烧结纳米银膏配合压力辅助烧结工艺，可将连接层的剪切强度提升至40MPa以上。压力辅助意味着在加热过程中同时施加垂直于界面的机械载荷，常用压力范围为5至20MPa。外部压力促进银颗粒之间更紧密的接触，挤压出烧结初期产生的残留溶剂和分解气体。烧结纳米银膏中的纳米银颗粒在压力作用下更容易发生塑性变形，填充微米银颗粒之间的空隙。形成的连接层不仅机械强度高，而且抗蠕变性能优于无压烧结方案。剪切强度测试采用推拉力机以固定速率推动芯片侧面，记录芯片从基板剥离时的峰值力除以面积。40MPa的数值意味着一个5mm×5mm的芯片能够承受1000牛顿以上的侧向推力。这种互连在振动频繁的汽车电子或风电变流器中尤为重要。烧结纳米银膏配合压力烧结时，芯片表面的金属化层通常需要镀银或金以匹配银-银界面扩散。纳米烧结银膏无铅无卤配方，符合 RoHS 标准，助力电子制造绿色化升级。江苏无压烧结银膏

聚峰纳米烧结银膏自研纳米银粉，从源头管控品质，交期短、可定制化满足特殊场景。四川通信基站烧结银膏

聚峰烧结银膏以高纯度纳米银颗粒为原料，依托自研分散与烧结调控技术，可在 230-260℃的低温区间完成致密化烧结，区别于传统焊料 300℃以上的高温工艺要求深圳市聚峰锡制品有限公司。这一特性大幅降低了封装过程中的热应力，避免芯片、基板等敏感元器件因高温产生的性能衰减与结构损伤，尤其适配 IGBT、SiC 等第三代半导体功率器件的低温封装需求深圳市聚峰锡制品有限公司。其低温烧结特性不仅拓宽了工艺兼容范围，还能与现有封装产线适配，无需大幅改造设备即可实现材料升级，为功率器件厂商提供了低成本的封装解决方案，助力提升产品良率与生产效率。四川通信基站烧结银膏