研究所将晶圆键合技术与微纳加工工艺相结合，探索在先进半导体器件中的创新应用。在微纳传感器的制备研究中，团队通过晶圆键合技术实现不同功能层的精确叠加，构建复杂的三维器件结构。利用微纳加工平台的精密光刻与刻蚀设备，可在键合后的晶圆上进行精细图案加工，确保器件结构的精度要求。实验数据显示，键合工艺的引入能简化多层结构的制备流程，同时提升层间连接的可靠性。这些研究不仅丰富了微纳器件的制备手段，也为晶圆键合技术开辟了新的应用方向，相关成果已在学术交流中进行分享。晶圆键合为深空探测提供宇宙尘埃原位捕集与分析一体化芯片。浙江真空晶圆键合工艺
晶圆键合赋能红外成像主要组件升级。锗硅异质界面光学匹配层实现3-14μm宽波段增透，透过率突破理论极限达99%。真空密封腔体抑制热噪声，噪声等效温差压至30mK。在边境安防系统应用中，夜间识别距离提升至5公里，误报率下降85%。自对准结构适应-55℃～125℃极端温差，保障西北高原无人巡逻装备全年运行。创新吸杂层设计延长探测器寿命至10年。量子计算芯片键合突破低温互连瓶颈。超导铝-硅量子阱低温冷焊实现零电阻互联，量子态退相干时间延长至200μs。离子束抛光界面使量子比特频率漂移小于0.01%。谷歌72比特处理器实测显示，双量子门保真度99.92%，量子体积提升100倍。氦气循环冷却系统与键合结构协同，功耗降低至传统方案的1/100。模块化设计支持千级比特扩展。重庆共晶晶圆键合加工工厂晶圆键合在液体活检芯片中实现高纯度细胞捕获结构制造。
针对晶圆键合过程中的气泡缺陷问题，科研团队开展了系统研究，分析气泡产生的原因与分布规律。通过高速摄像技术观察键合过程中气泡的形成与演变，发现气泡的产生与表面粗糙度、压力分布、气体残留等因素相关。基于这些发现，团队优化了键合前的表面处理工艺与键合过程中的压力施加方式，在实验中有效减少了气泡的数量与尺寸。在 6 英寸晶圆的键合中，气泡率较之前降低了一定比例，明显提升了键合质量的稳定性。这项研究解决了晶圆键合中的一个常见工艺难题，为提升技术成熟度做出了贡献。
晶圆键合重塑智慧农业感知网络。可降解聚乳酸-纤维素电路通过仿生叶脉结构键合，环境湿度感知精度±0.3%RH。太阳能虫害预警系统识别棉铃虫振翅频率，预测准确率97%。万亩稻田实测减少农药使用45%，增产22%。自修复封装层抵抗酸雨侵蚀，在东南亚季风气候区稳定运行五年。无线充电模块实现农机自动能量补给，推动无人农场落地。晶圆键合突破神经界面长期记录壁垒。聚多巴胺修饰电极表面促进神经突触融合，脑电信号信噪比较传统提升15dB。癫痫预测系统在8周连续监测中误报率<0.001次/天。临床实验显示帕金森患者运动迟缓症状改善83%，意念控制机械臂响应延迟<100ms。生物活性涂层抑制胶质细胞增生，为渐冻症群体重建交流通道。科研团队尝试将晶圆键合技术融入半导体器件封装的中试流程体系。
在晶圆键合技术的多材料体系研究中，团队拓展了研究范围，涵盖了从传统硅材料到第三代半导体材料的多种组合。针对每种材料组合，科研人员都制定了相应的键合工艺参数范围，并通过实验验证其可行性。在氧化物与氮化物的键合研究中，发现适当的表面氧化处理能有效提升界面的结合强度；而在金属与半导体的键合中，则需重点控制金属层的扩散行为。这些研究成果形成了一套较为多维的多材料键合技术数据库，为不同领域的半导体器件研发提供了技术支持，体现了研究所对技术多样性的追求。晶圆键合确保微型核电池高辐射剂量下的安全密封。东莞真空晶圆键合实验室
晶圆键合解决全固态电池多层薄膜界面离子传导难题。浙江真空晶圆键合工艺
研究所将晶圆键合技术与深紫外发光二极管（UV-LED）的研发相结合，探索提升器件性能的新途径。深紫外 LED 在消毒、医疗等领域有重要应用，但其芯片散热问题一直影响着器件的稳定性和寿命。科研团队尝试通过晶圆键合技术，将 UV-LED 芯片与高导热衬底结合，改善散热路径。利用器件测试平台，对比键合前后器件的温度分布和光输出功率变化，发现优化后的键合工艺能使器件工作温度有所降低，光衰速率得到一定控制。同时，团队研究不同键合层厚度对紫外光透过率的影响，在保证散热效果的同时减少对光输出的影响。这些研究为深紫外 LED 器件的性能提升提供了切实可行的技术方案，也拓展了晶圆键合技术在特殊光电子器件中的应用。浙江真空晶圆键合工艺
