珠海XBM3212DGB赛芯集成MOS 两节锂保

深圳市芯纳科技为电子雾化设备企业供应赛芯XR4981A，在供电系统场景中发挥重要作用。对供电模块的安全性和稳定性要求严苛，赛芯XR4981A的输出电压范围为VIN-36V，能精细匹配雾化器的工作电压，确保烟雾量稳定。实际测试表明，搭载该控制器的，在连续使用1000次后，输出电压波动不超过±2%，避免了因电压不稳导致的雾化芯损坏。其高效的能量转换能力，使电池电量利用率提升6%，单次充电可支持更多次使用，减少了用户充电频率。此外，该控制器具备过流保护功能，当电路出现异常电流时会自动切断输出，降低了的安全隐患。采用QFN封装后，其抗振动性能增强，适应日常携带中的颠簸场景，确保的长期稳定运行，为电子雾化设备的安全使用提供了有力保障。2~3串锂电保护 多节锂电保护芯片(三元/磷酸铁锂)XBM2138/XBM32XX 推挽。珠海XBM3212DGB赛芯集成MOS 两节锂保

PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。南京XBM3215JFG赛芯现货芯纳科技直销赛芯微 ic，快充芯片支持多种协议，适配市面上多数快充设备。

锂电池保护板分为一级保护和二级保护。一级保护通常指的是主动组件保护，包括保护IC和MOSFET，它能够实时监测电池的电压和充放电电流，并在必要时MOSFET的导通或关断，以防止电池过充、过放、过载及短路。而二级保护则是指使用PTC、MHP、丝等被动组件来进一步增强电池的安全性。这些组件通常是温度敏感的，能够在电池温度异常升高时呈现高阻状态，阻止电流流动，从而避免可能的危险情况当电池温度异常升高时，PTC或MHP会呈现高阻状态，阻碍电池的充放电，从而防止锂电池的起火。这种保护方式被称为二级保护，它是一种被动组件保护，通常作为一级保护电路（IC/Mosfet）的补充。多节锂电保护产品二级保护二级保护是指使用PTC、MHP、等被动组件来保护电池。

140W移动电源方案主要分为分立协议芯片（DS6336）和三合一SoC方案 支持多口充、共享C口等场景，需满足3C认证并集成多重保护机制。支持2C1A三口同时放电；ØC口比较大PD3.1-140W双向充放电；ØA口比较大22.5W放电；ØTFT彩屏实时显示功率及其它参数；Ø支持6串锂电池；Ø支持软硬件方案定制；Ø支持USB口升级程序；Ø支持NTC温度检测；Ø支持过充、过放、过流、过温保护；支持多种快充协议、6串锂电池，软件可根据具体项目修改电池总容量参数芯纳科技经销赛芯微 ic，蓝牙充电仓芯片适配性佳，助力蓝牙耳机充电设备研发。

内置MOS内置均衡器高精度电压检测电路和延时电路，用于2节串联锂离子/锂聚合物可再充电电池的保护。适合对2节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护。各延迟时间由内部电路设置（不需外接电容），连接充电器的端子采用高耐压设计（CS端子和OC端子，***额定值是33V），还具备向0V电池充电功能，可选择允许或禁止。内置MOS在高负载时可能发热，需优化PCB散热（如增加铜箔面积）内置MOS，集成均衡功能  XBM2138芯纳科技专注赛芯芯片代理，XBM3214JFG现货充足，支持客户批量订单交付。惠州XBM5254赛芯现货

4-5串锂电池保护 XBM4451/4551 4串和5串/集成Sense/NTC/SOP16。珠海XBM3212DGB赛芯集成MOS 两节锂保

DS3056 快充管理是一款面向小家电/电动工具充电的快充管理SOC，集成了同步开关电压变换器、快充协议控制器、电池充放电管理、电池电量计，I2C通信等功能模块，支持2-6串电芯，比较大100W充电功率，支持CC-CV切换，支持主流快充协议，并提供输入过压/欠压、电池过充、过温、过流等完备的保护功能。可组成小家电和电动工具的快充充电方案。集成了过压/欠压保护、过流保护、过温保护、电池过充保护的功能。过压/欠压保护：电池充电过程中，实时监测输入电压，并和预设的阈值电压比较。如果电压高于过压阈值或低于欠压阈值，且维持时间达到一定长度时，芯片关闭充电通路。过流保护：充电过程中，利用内部的高精度实时监测流经采样电阻的电流。当电流大于预设的过流阈值时，触发过流保护，芯片自动关闭充电通路。过温保护：电池充放电过程中，利用连接在TS管脚上的NTC，实时监测电池温度。当温度超出预设的保护门限时，首先降低功率。，则自动关闭充电通路。电池过充保护：充电过程中，实时监测电池电压。当电池电压达到充电截止电压时。珠海XBM3212DGB赛芯集成MOS 两节锂保