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3或4串电池组的  二级保护芯片   主要描述内置高精度的电压检测电路和延迟电路，是一款用于可充电电池组的二级保护芯片，通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能：过充电检测电压-（步进50mV），精度±25mV；过充电电压0-（步进50mV），精度±50mV；过放电检测电压-（步进100mV），精度±80mV；过放电电压0V-（步进100mV），精度±100mV1。保护延时内置可选：可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能（可选）：增加了电池使用的安全性1。输出方式可选：有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选：动态输出H、动态输出。XBM4X30系列产品、芯纳科技主营赛芯微 ic，锂电池充电 IC 适配性强，满足多场景充电设备需求。无锡2e1EAB赛芯代理

3-4串锂电池的保护芯片，XBM5244   芯片内置高精度电压检测电路和电流检测电路，支持电池过充电、过放电、充电过电流、放电过电流和短路保护功能，具备25mV过充电检测精度，3~4串集成均衡/NTC/Sense/SSOP16概述锂电池具备电压高、能量密度大、循环寿命长等优点，在各种需要储能的场景都有广泛应用。但对于锂电池而言，过充、过放、过压、过流等情况都会导致电池异常，影响电池使用寿命。因此，多串锂电池需要保护IC来监控和保护电池，避免出现危险状况惠州3T1FAA赛芯内置MOS 两节锂保4-7串锂电池保护 XBM5774 级联功能/集成均衡/NTC/Sense/SSOP24。

XBM2138QFA2串锂电池保护芯片介绍35W以内XBM2138QFA内置MOS2串锂保内置均衡：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节：保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能

XR4981A 应用在扫地机器人身上，其高效的能量转换能力使电池续航延长12%，单次充电可覆盖150平方米的清洁面积，减少了中途充电的频率。此外，赛芯XR4981A采用的QFN3*3-16封装体积小巧，为智能家居设备的小型化设计留出更多空间，比如在智能开关面板中，可集成更多功能模块而不增加产品厚度。合作的智能家居品牌反馈，使用该控制器后，设备的电源模块故障率降低15%，主要得益于其完善的过流、过压保护功能，能有效应对家庭电路中的突发电压波动，为智能家居系统的安全稳定运行提供了可靠保障。7串-10串 多节电池保护芯片 XBM7101 集成均衡/NTC/SSOP24。

深圳市芯纳科技，为消费电子企业提供赛芯XR4981A，在Type-c快充设备场景中表现突出。赛芯XR4981A作为同步升压控制器，输入电压范围覆盖3.6-36V，输出功率比较高达120W，能满足多种快充设备的供电需求。据合作企业反馈，搭载该控制器的Type-c快充充电器，充电效率比同类产品平均提升5%，在30分钟内可将手机电量从20%充至80%，缩短了充电时间。其采用QFN3*3-16封装，体积小巧，可集成到小型化的快充设备中，适配便携式充电宝、笔记本电脑充电器等产品。在实际使用中，该控制器的带载能力稳定，即使在多设备同时充电的情况下，也能保持输出电压的稳定，减少了因电压波动导致的设备损坏风险。此外，400KHz的工作频率降低了电磁干扰，使快充设备通过了相关的电磁兼容测试，符合消费电子领域的严格标准，为Type-c快充设备的研发和生产提供了可靠支持。2串 XBM2138 集成均衡/集成MOS 锂电池保护IC.天津XBM5774 赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

芯纳科技、锂电池充电管理XA4246。无锡2e1EAB赛芯代理

保护IC应用原理图①按锂电池保护芯片的典型原理图设计，锂电保护的GND接电池的B-，不能接外部大地，芯片的VM接外部大地。②带EPAD的芯片，一般EPAD接芯片的GND（B-），请严格按照规格书中的典型原理图来做。③锂电池保护芯片带VT脚的，VT脚通常可接芯片GND（B-），或者悬空。④典型应用图中的100Ω/1KΩ电阻与，滤除电池电压的剧烈波动和外部强烈电压干扰，使得VDD电压尽量稳定，该电阻和电容缺一不可，缺少任何一个都会有少烧芯片的可能，增加生产的不良率（XB5432不加电容）。不同IC的电阻取值有差异，请根据***版的Datesheet的典型应用图或FAE的建议选择电阻的取值。⑤马达应用、LED照明应用、射频干扰应用、负载电流剧烈变化的应用如音频功放等，可能需要增大RC滤波的网络的R和C的值，如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等，比较大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之间靠近管脚加一个，可以增强锂电保护电路的系统级ESD，增强对尖峰电压等外部信号的抗干扰能力。⑦锂电保护芯片可并联使用，减小内阻，增强持续电流，多芯片并联使用时，芯片VDD的RC网络，电阻可共用，但电容须要一个保护芯片配一个电容。无锡2e1EAB赛芯代理