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晶闸管模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高
  • 型号
  • 多种型号
  • 是否定制
晶闸管模块企业商机

晶闸管模块电流规格的选取

1、根据负载性质及负载额定电流进行选取

(1)电阻负载的较大电流应是负载额定电流的2倍。

(2)感性负载的较大电流应为额定负载电流的3倍。

(3)负载电流变化较大时,电流倍数适当增大。

(4)在运行过程中,负载的实际工作电流不应超过模块的较大电流。

2、散热器风机的选用

模块正常工作时必须配备散热器和风机,推荐采用厂家配套的散热器和风机。如果用户是自己提供的,则使用以下原则来选择:

(1)模块正常工作时,必须能保证冷却底板温度不超过75℃;

(2)当模块负载较轻时,可减小散热器的尺寸或采用自然冷却;

(3) 有水冷条件的,应优先水冷散热 。

3、使用要求

(1)工作场所环境温度范围:-25℃~+45℃;

(2)模块周围需要干燥、通风、远离热源、无尘、无腐蚀性液体或气体。

(3)模块电极上的铜线严禁不用端子直接压接,以免接触不良引起附加发热。

(4)应经常测量固体继电器导热衬底侧或固态继电器附近散热器的表面温度,测点温度应小于80℃。 “质量优先,用户至上,以质量求发展,与用户共创双赢”是正高电气新的经营观。聊城小功率晶闸管模块

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    1晶闸管模块被广泛应用于工业行业中,对于一些专业的电力技术人员,都知道晶闸管模块的来历及各种分类。不过现在从事这一行的人越来越多,有的采购人员对这方面还不是很了解。有的客户也经常问起我们晶闸管模块的来历。现在晶闸管厂家昆二晶就为大家分享一下:2晶闸管模块诞生后,其结构的改进和工艺的,为新器件的不断出现提供了条件。1964年,双向晶闸管在GE公司开发成功,应用于调光和马达控制;1965年,小功率光触发晶闸管出现,为其后出现的光耦合器打下了基础;60年代后期,大功率逆变晶闸管问世,成为当时逆变电路的基本元件;1974年,逆导晶闸管和非对称晶闸管研制完成。3普通晶闸管广泛应用于交直流调速、调光、调温等低频(400Hz以下)领域,运用由它所构成的电路对电网进行控制和变换是一种简便而经济的办法。不过,这种装置的运行会产生波形畸变和降低功率因数、影响电网的质量。目前水平为12kV/1kA和6500V/4000A。4双向晶闸管可视为一对反并联的普通晶闸管的集成,常用于交流调压和调功电路中。正、负脉冲都可触发导通,因而其控制电路比较简单。其缺点是换向能力差、触发灵敏度低、关断时间较长,其水平已超过2000V/500A。蓄电池充放电晶闸管智能调压模块配件正高电气产品质量好,收到广大业主一致好评。

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晶闸管模块的工作原理

在晶闸管模块T的工作过程中,晶闸管模块的阳极A和阴极K与电源和负载相连,构成晶闸管模块的主电路。晶闸管模块的栅极G和阴极K与控制可控硅的装置相连,形成晶闸管模块的控制电路。

从晶闸管模块的内部分析工作过程:

晶闸管模块是一种四层三端器件。它有J1、J2和J3的三个pn结图。中间的NP可分为PNP型三极管和NPN型三极管两部分。

当晶闸管模块承载正向阳极电压时,为了制造晶闸管模块导体铜,承受反向电压的pn结J2必须失去其阻挡作用。每个晶体管的集电极电流同时是另一个晶体管的基极电流。因此,当有足够的栅极电流Ig流入时,两个复合晶体管电路会形成较强的正反馈,从而导致两个晶体管饱和导通,晶体管饱和导通。

    所述第三螺栓和第三螺母之间还设置有弹簧垫圈和平垫圈。此外,所述晶闸管单元中,所述压块7上还设置有绝缘套管。其中,所述绝缘套管与对应的压块之间还设置有垫圈。相类似地,所述第二晶闸管单元中,所述第二压块12上还设置有绝缘套管。其中,所述绝缘套管与对应的压块之间还设置有垫圈。为了实现门极铜排的安装,所述外壳1上还设置有门极铜排安装座。综上所述,本发明的立式晶闸管模块通过设置接头、第二接头和第三接头、封装于外壳内部的晶闸管单元和第二晶闸管单元能够实现电力系统的多路控制,有效保证了电力系统的正常运行。对于本领域技术人员而言,显然本发明不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本发明。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式*包含一个**的技术方案。正高电气运用高科技,不断创新为企业经营发展的宗旨。

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    3)换相冲击电压包括换相过电压和换相振荡过电压。换相过电压是由于晶闸管的电流降为0时器件内部各结层残存载流子复合所产生的,所以又叫载流子积蓄效应引起的过电压。换相过电压之后,出现换相振荡过电压,它是由于电感、电容形成共振产生的振荡电压,其值和换相结束后的反向电压有关。反向电压越高,换相振荡过电压也越大。针对形成过电压的不同原因,可以采取不同的方法,如减少过电压源,并使过电压幅值衰减;过电压能量上升的速率,延缓已产生能量的消散速度,增加其消散的途径;采用电子线路进行保护等。**常用的是在回路中接入吸收能量的元件,使能量得以消散,常称之为吸收回路或缓冲电路。(4)阻容吸收回路通常过电压均具有较高的频率,因此常用电容作为吸收元件,为防止振荡,常加阻尼电阻,构成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在电路的交流侧、直流侧,或并接在晶闸管的阳极和阴极之间。吸收电路比较好选用无感电容,接线应尽量短。。5)由硒堆及压敏电阻等非线性元件组成吸收回路上述阻容吸收回路的时间常数RC是固定的,有时对时间短、峰值高、能量大的过电压来不及放电,过电压的效果较差。因此,一般在变流装置的进出线端还并有硒堆或压敏电阻等非线性元件。正高电气尊崇团结、信誉、勤奋。大连行吊可控硅集成调压模块

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    它可以用控制移相触发脉冲来方便地改变负载的交流工作电压,从而应用于精确地调温、调光等阻性负载及部分感性负载场合。⑵双向可控硅输出的普通型与单向可控硅反并联输出的增强型的区别在感性负载的场合,当LSR由通态关断时,由于电流、电压的相位不一致,将产生一个很大的电压上升率dv/dt(换向dv/dt)加在双向可控硅两端,如此值超过双向可控硅的换向dv/dt指标(典型值为10V/μs)则将导致延时关断,甚至失败。而单向可控硅为单极性工作状态,只受静态电压上升率dv/dt(典型值为100V/μs)影响,由两只单向可控硅反并联构成的增强型LSR比由一只双向可控硅构成的普通型LSR的换向dv/dt有了很大提高,因此在感性或容性负载场合宜选取增强型LSR。㈣继电器负载输出端电流等级及型号如下表:电流普通型2A普通型4A普通型8A普通型16A普通型25A普通型40A增强型15A增强型35A型号LSR-3Z02D3LSR-3Z02D2LSR-3Z02A3LSR-3P02D1-3Z04D3-3Z04D2-3Z04A3-3P04D1-3Z08D3-3Z08D2-3Z08A3-3P08D1-3Z16D3-3Z16D2-3Z16A3-3P16D1-3Z25D3-3Z25D2-3Z25A3-3P25D1-3Z40D3-3Z40D2-3Z40A3-3P40D1LSR-H3Z15D3LSR-H3Z15D2LSR-H3Z15A3LSR-H3P15D1-H3Z35D3-H3Z35D2-H3Z35A3-H3P35D1电流增强型50A增强型70A增强型90A。聊城小功率晶闸管模块

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