上海6096J9m赛芯内置MOS 两节锂保

DS3056B—2-6串快充充电，比较高功率100W；5V/3A放电管理SOC、DS3056B是一款面向小家电/电动工具等电池包快充充电和小功率放电的快充管理SOC，集成了同步升降压快充驱动器、快充协议控制器、电池充放电管理、电池电量计，I2C通信等功能模块，支持2-6串电芯，比较大100W充电功率，支持CC-CV切换，支持PD3.0，QC2.0、Apple 2.4A, BC1.2 DCP快充充电协议；输出5V/3A。 具有输入输出过压/欠压、电池过放过充、过温、过流、充电超时等完备的保护功能。搭载极简的**线路，即可组成小家电和电动工具充电包等快充充放电方案。芯纳科技作为赛芯芯片代理，XBM3204BCA 当前现货，满足客户批量采购需求。上海6096J9m赛芯内置MOS 两节锂保

手持扫码枪、工业手持平板等，在零售、物流、工业等领域应用，这些设备对充电IC的可靠性、充电速度和抗干扰能力要求较高，深圳市芯纳科技代理的赛芯XR4981A完美契合这些需求，同时芯纳科技的代理优势为客户提供了有力支撑。赛芯XR4981A支持大电流充电，能缩短手持终端的充电时间，满足用户对设备快速补电的需求，同时其具备的抗电磁干扰特性，可确保手持终端在复杂的电磁环境下仍能稳定充电，避免因干扰导致充电中断。作为代理商，深圳市芯纳科技的核心竞争力不容小觑。首先，芯纳科技是赛芯官方认证的代理商，拥有正规的代理资质，所有赛芯XR4981A均为原厂质量，可提供完整的产品溯源信息，让客户采购无后顾之忧。手持终端设备如POS机、南京DS5136赛芯集成MOS 两节锂保高耐压理电保护产品、具有低功耗、高过流精度、小封装、无管压降等特点、支持4.2V。

深圳市芯纳科技，为消费电子企业提供赛芯XR4981A，在Type-c快充设备场景中表现突出。赛芯XR4981A作为同步升压控制器，输入电压范围覆盖3.6-36V，输出功率比较高达120W，能满足多种快充设备的供电需求。据合作企业反馈，搭载该控制器的Type-c快充充电器，充电效率比同类产品平均提升5%，在30分钟内可将手机电量从20%充至80%，缩短了充电时间。其采用QFN3*3-16封装，体积小巧，可集成到小型化的快充设备中，适配便携式充电宝、笔记本电脑充电器等产品。在实际使用中，该控制器的带载能力稳定，即使在多设备同时充电的情况下，也能保持输出电压的稳定，减少了因电压波动导致的设备损坏风险。此外，400KHz的工作频率降低了电磁干扰，使快充设备通过了相关的电磁兼容测试，符合消费电子领域的严格标准，为Type-c快充设备的研发和生产提供了可靠支持。

二级保护电路应用场景二级保护电路通常指的是在电子设备中用于防止电压过高或其他异常情况导致设备损坏的电路。以下是二级保护电路的一些常见应用场景：1.电力系统在电力系统中，过压保护电路是至关重要的。当电网中的电压突然增加时，过压保护电路可以保护发电机、变压器和其他关键设备免受过高电压的损害1。2.各种电子设备过压保护电路可以用于保护各种电子设备，如计算机、电话、电视和音频设备等，免受由于电压波动引起的损坏1。3.交通系统在交通系统中，过压保护电路可以保护号灯、电动汽车充电设备和其他交通设施免受供电电压突然升高的损害1。4.工业系统在工业系统中，过压保护电路可以在设备中使用，以保护关键部件和设备免受电压波动和过高电压的损害1。5.通信系统在通信系统中。芯纳科技专注赛芯芯片代理，XBM4451 现货充足，支持客户批量订单采购。

深圳市芯纳科技作为赛芯 XR4981A 的质量代理商，在智能穿戴设备应用场景中展现出优势。智能穿戴设备对充电 IC 的体积、功耗和稳定性要求极高，赛芯 XR4981A 采用超小封装设计，能完美适配智能手表、手环等紧凑空间，同时低功耗特性可有效延长设备续航时间，满足用户对设备长时间使用的需求。而芯纳科技的代理优势更是为客户提供了坚实保障，作为官方授权代理商，芯纳科技拥有稳定且充足的赛芯 XR4981源，可避免因原厂供货波动导致的断供风险，确保智能穿戴设备厂商的生产计划顺利推进。充电管理芯片、LED驱动芯片、直流 - 直流转换芯片、温度开关芯片、电池放电管理芯片。扬州XBM3214DGB赛芯方案公司

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PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。上海6096J9m赛芯内置MOS 两节锂保