扬州XBM5770 赛芯厂家

 4串锂电池保护芯片介绍,XBM5574级联功能/集成均衡/NTC/Sense保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节：4串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定，如果觉得该阈值较小，可以将多个开关MOS管进行并联操作，以增大过流电流，将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能正极保护的锂电池保护方案。扬州XBM5770 赛芯厂家

赛芯 XR4981A 具备精细的充电电压和电流控制功能，误差可控制在极小范围，能确保医疗设备电池稳定充电，避免因充电异常影响设备正常工作。同时，该 IC 集成过压、过流、过温等多重保护机制，可有效保障医疗设备在充电过程中的安全，符合医疗行业的严格标准。作为代理商，深圳市芯纳科技的优势进一步强化了客户合作信心。首先，芯纳科技拥有完善的品质管控体系，所有赛芯 XR4981A 均直接从原厂采购，每一批次产品都经过严格的质量检测，确保产品 100% 质量且性能达标，为医疗设备的安全运行筑牢道防线。其次，考虑到医疗设备研发周期长、技术需求复杂的特点，芯纳科技提供 7×24 小时技术支持服务，无论客户在产品研发、测试还是量产阶段遇到技术问题，专业工程师都能在 1 小时内响应，及时提供解决方案，比如协助客户进行 IC 与医疗设备的兼容性测试、优化充电电路设计以满足医疗设备的电磁兼容要求等。此外，针对医疗设备厂商小批量试产、大批量量产的不同需求，芯纳科技可灵活调整供货方案，支持多批次、不同数量的采购订单，同时提供具有竞争力的代理价格，帮助医疗设备厂商在控制成本的同时，获得的赛芯 XR4981A 产品。珠海3m1FAB赛芯厂家6-7串锂电池保护NTC/PWM/SSOP16 多节锂电池保护——二级保护 XBM5772 。Series。

2串锂电池的保护芯片  XBM3214  芯片内置高精度电压检测电路和电流检测电路，支持电池过充电、过放电、充电过电流、放电过电流和短路保护功能，具备25mV过充电检测精度，采用SOT23-6封装多串锂电池保护IC概述锂电池具备电压高、能量密度大、循环寿命长等优点，在各种需要储能的场景都有广泛应用。但对于锂电池而言，过充、过放、过压、过流等情况都会导致电池异常，影响电池使用寿命。因此，多串锂电池需要保护IC来监控和保护电池，避免出现危险状况

内置MOS内置均衡器高精度电压检测电路和延时电路，用于2节串联锂离子/锂聚合物可再充电电池的保护。适合对2节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护。各延迟时间由内部电路设置（不需外接电容），连接充电器的端子采用高耐压设计（CS端子和OC端子，***额定值是33V），还具备向0V电池充电功能，可选择允许或禁止。内置MOS在高负载时可能发热，需优化PCB散热（如增加铜箔面积）内置MOS，集成均衡功能  XBM2138芯纳科技提供赛芯芯片代理服务，XBM5254 当前现货，满足客户即时采购需求。

深圳市芯纳科技作为赛芯 XR4981A 的质量代理商，在智能穿戴设备应用场景中展现出优势。智能穿戴设备对充电 IC 的体积、功耗和稳定性要求极高，赛芯 XR4981A 采用超小封装设计，能完美适配智能手表、手环等紧凑空间，同时低功耗特性可有效延长设备续航时间，满足用户对设备长时间使用的需求。而芯纳科技的代理优势更是为客户提供了坚实保障，作为官方授权代理商，芯纳科技拥有稳定且充足的赛芯 XR4981源，可避免因原厂供货波动导致的断供风险，确保智能穿戴设备厂商的生产计划顺利推进。芯纳科技成立于2011年。专注代理电源芯片和电子元器件的销售服务。广州XBM3215MDA赛芯集成MOS 两节锂保

多节锂电保护产品详细介绍。扬州XBM5770 赛芯厂家

保护IC应用原理图①按锂电池保护芯片的典型原理图设计，锂电保护的GND接电池的B-，不能接外部大地，芯片的VM接外部大地。②带EPAD的芯片，一般EPAD接芯片的GND（B-），请严格按照规格书中的典型原理图来做。③锂电池保护芯片带VT脚的，VT脚通常可接芯片GND（B-），或者悬空。④典型应用图中的100Ω/1KΩ电阻与，滤除电池电压的剧烈波动和外部强烈电压干扰，使得VDD电压尽量稳定，该电阻和电容缺一不可，缺少任何一个都会有少烧芯片的可能，增加生产的不良率（XB5432不加电容）。不同IC的电阻取值有差异，请根据***版的Datesheet的典型应用图或FAE的建议选择电阻的取值。⑤马达应用、LED照明应用、射频干扰应用、负载电流剧烈变化的应用如音频功放等，可能需要增大RC滤波的网络的R和C的值，如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等，比较大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之间靠近管脚加一个，可以增强锂电保护电路的系统级ESD，增强对尖峰电压等外部信号的抗干扰能力。⑦锂电保护芯片可并联使用，减小内阻，增强持续电流，多芯片并联使用时，芯片VDD的RC网络，电阻可共用，但电容须要一个保护芯片配一个电容。扬州XBM5770 赛芯厂家