将装置主体1内部的蚀刻液进行清洗,具有很好的清理作用。工作原理:对于这类的回收处理装置,首先将蚀刻液倒入进液漏斗6并由过滤网7过滤到进液管8中,之后蚀刻液流入到承载板3上的电解池4中时,启动液压缸11带动伸缩杆12向上移动,从而通过圆环块13配合连接杆14和伸缩管9带动喷头10向上移动,进而将蚀刻液缓慢的由喷头10喷入到电解池4中,避免蚀刻液对电解池4造成冲击而影响其使用寿命,具有保护电解池4的功能,之后金属铜在隔膜5左侧析出;其次在蚀刻液初次电解后,通过控制面板30启动增压泵16并打开一号电磁阀18,将蚀刻液通过回流管15抽入到一号排液管17中,并由进液管8导入到伸缩管9中,直至蚀刻液由喷头10重新喷到电解池4中,可以充分的将蚀刻液中的亚铜离子电解转化为金属铜,起到循环电解蚀刻液的作用,然后打开二号电磁阀23,将蚀刻液通过二号排液管22导入到分隔板2左侧,倾斜板24使得蚀刻液向左流动以便排出到装置主体1外,接着启动抽气泵19,将电解池4中产生的有害气体抽入到排气管20并导入到集气箱21中,实现有害气体的清理,紧接着打开活动板25将金属铜取出,之后启动增压泵16并打开三号电磁阀29,将由进水管27导入到蓄水箱26中的清水。哪家的蚀刻液配方比较好?扬州天马用的蚀刻液蚀刻液供应

负的值表示厚度减小。上述蚀刻液组合物以在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*选择性蚀刻上述氮化物膜为特征,上述氧化物膜推荐包含sio2,上述氮化物膜推荐包含sin。上述蚀刻液组合物用于3dnand闪存制造工序,能够使上述氮化物膜去除工序中发生的副反应氧化物的残留和氧化物膜损伤不良问题**少化。本发明的蚀刻液组合物包含如上选择的添加剂,在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*选择性蚀刻氮化物膜时,能够使因副反应氧化物的残留时间变长而氮化物膜未被完全去除的不良(参照图2)以及氮化物膜虽被完全去除但也造成氧化物膜损伤(damage)的工序不良(参照图3)的发生**少化。因副反应氧化物的残留时间变长而氮化物膜未被完全去除的不良在添加剂的防蚀能力强于适宜水平时发生,氧化物膜不良在添加剂的防蚀能力弱于适宜水平时发生。以下,对于本发明的蚀刻液组合物中所包含的磷酸、作为添加剂的硅烷(silane)系偶联剂以及进行更详细的说明。(a)磷酸本发明的蚀刻液组合物中所包含的上述磷酸(phosphoricacid)作为主氧化剂可以在使氮化物膜氧化时使用。相对于组合物总重量,上述磷酸的含量为50~95重量%,推荐为80~90重量%。在上述磷酸的含量处于上述含量范围内的情况下。池州蚀刻液价格如何选择一家好的做蚀刻液的公司。

可用于银镍合金、银铜合金以及纯银的蚀刻,蚀刻后板面平整光滑。剂对油墨没有影响,可用于花纹蚀刻处理。三、使用方法:1、原液使用,不须加水,操作温度可以是25℃-60℃,温度越高,速度越快。2、将银板浸泡在银蚀刻剂中。用软毛刷来回轻轻刷动,使药水与银充分均匀反应;或者也可以用摇床,使药水来回动运,使板蚀刻速度加快。但不能超声波,以免破坏(感光)油墨。参考数据:50℃→5分钟→0.1毫米深度。30℃→20分钟→0.1毫米深度。3、水洗后做后续处理。
本发明涉及铜蚀刻液技术领域,具体涉及一种酸性铜蚀刻液的生产工艺。背景技术:高精细芯片和显示集成电路主要采用铜制程,其光刻工艺中形成铜膜层结构所需用的铜刻蚀液中主要的为过氧化氢系铜刻蚀液。过氧化氢系铜蚀刻液较其他铜刻蚀液体系(如三氯化铁体系,过硫酸铵体系)具有不引人其他金属离子在铜层表面或线路体系中,产物亲和、友好、环境污染少,刻蚀效率高且使用寿命较长的特点。大部分过氧化氢系铜刻蚀液包括参与氧化的过氧化氢组分、参与溶解的无机酸/有机酸组分,以及部分铜缓蚀剂等各类添加三个部分。由于铜蚀刻液中各物质的反应为放热反应,体系中又含有过氧化氢在制备铜蚀刻液的生产过程中需要保证生产安全。技术实现要素:本发明的目的在于,克服现有技术中存在的缺陷,提供一种铜蚀刻液大规模量产的生产工艺,该生产工艺温控严格,生产过程中安全性高。为实现上述目的,本发明的技术方案是设计一种酸性铜蚀刻液的生产工艺,所述工艺包括以下步骤:第一步:将纯水进行低温处理,使纯水温度≤10℃在纯水罐中备用;第二步:配制和准备原料,将亚氨基二乙酸、氢氟酸和乙醇酸分别投入对应的原料罐中,经过过滤器循环过滤,备用。金属蚀刻液有哪些种类分类?;

为本实用新型挡液板结构其二较佳实施例的宣泄孔排列示意图,以及其三较佳实施例的宣泄孔排列示意图,在本实用新型其二较佳实施例中,开设于该第二挡板12上的宣泄孔121亦呈千鸟排列的直通孔态样,且位于同一列的宣泄孔121之间具有相同的距离,例如:图4中所示的w1,其中w1大于图3的w或图5的w2,其中w2大于w,而该宣泄孔121的一孔径a0亦小于3mm,以使该宣泄孔121的孔洞内产生毛细现象,若该第二挡板12的该上表面123有水滴出现时,则该水滴不至于经由该宣泄孔121落至下表面,但仍旧可以提供空气宣泄的管道,以借由该宣泄孔121平衡该第二挡板12上、下二端部的压力。此外,请参阅图6与图7所示,为本实用新型蚀刻设备其一较佳实施例的整体结构示意图,以及挡液板结构运作局部放大图,其中本实用新型的蚀刻设备1设置于一湿式蚀刻机的一槽体(图式未标示)内,该蚀刻设备1包括有一如上所述的挡液板结构10、一输送装置30、一基板20,以及一风刀装置40,其中本实用新型主要借由具有复数个宣泄孔121的挡液板结构10搭配该风刀装置40的硬体设计,有效使该风刀装置40吹出的气体43得以由该复数个宣泄孔121宣泄。蚀刻液的技术指标哪家比较好?合肥铜蚀刻液蚀刻液溶剂
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本发明涉及一种用来在铜的存在下选择性地蚀刻钛的蚀刻液及使用该蚀刻液的蚀刻方法。背景技术:以往,在蚀刻钛时一直使用含有氢氟酸或过氧化氢的蚀刻液。例如专利文献1中提出了一种钛的蚀刻液,该钛的蚀刻液是用来在铜或铝的存在下蚀刻钛,并且该蚀刻液的特征在于:利用由10重量%至40重量%的过氧化氢、%至5重量%的磷酸、%至%的膦酸系化合物及氨所构成的水溶液将pH值调整为7至9。但是,含有氢氟酸的蚀刻液存在毒性高的问题,含有过氧化氢的蚀刻液存在缺乏保存稳定性的问题。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特许第4471094号说明书。技术实现要素:发明所要解决的问题本发明是鉴于所述实际情况而成,其目的在于提供一种蚀刻液及使用该蚀刻液的蚀刻方法,所述蚀刻液可在铜的存在下选择性地蚀刻钛,而且毒性低,保存稳定性优异。解决问题的技术手段本发明的蚀刻液是为了在铜的存在下选择性地蚀刻钛而使用,并且含有:选自由硫酸、盐酸及三氯乙酸所组成的群组中的至少一种酸;以及选自由硫酮系化合物及硫醚系化合物所组成的群组中的至少一种有机硫化合物。所述硫酮系化合物推荐为选自由硫脲、二乙基硫脲及三甲基硫脲所组成的群组中的至少一种。扬州天马用的蚀刻液蚀刻液供应