很多客户的实验室使用 1-2 年后，会因科研方向调整、人员增加、设备更新而需要改造，传统方案往往缺乏扩展空间，改造时需要破坏原有结构，成本高、周期长。南京拓展科技的整体建设方案，会提前考虑客户未来 3-5 年的发展规划，预留扩展空间与接口：空间扩展：方案中预留 10%-15% 的弹性空间，可根据未来需求增加实验台、设备或功能区；例如某企业研发实验室方案，预留了 2 个实验台的位置，2 年后企业研发团队扩大，Jin用 1 周就完成了实验台的加装，无需改造其他区域；系统扩展：水电、通风、气体、智能化系统预留扩展接口。如电路系统预留扩容接口，未来增加设备时无需重新铺设电缆；通风系统预留新增通风柜的接口，后期只需增加风机与管道即可；气体管道预留新增气体种类的接口，满足未来实验需求；设备兼容：设计时考虑未来设备的更新换代，预留足够的安装空间与承重基础。如某生物实验室方案，为未来可能新增的高通量测序仪预留了安装空间（宽度≥1.5m，深度≥0.8m）与承重基础（承重≥500kg/㎡），确保设备到场后即可安装使用。为航天零部件检测打造的专属环境，满足其对温湿度、洁净度近乎苛刻的要求。光刻机温湿度实验环境
生物实验室：温度应控制在20°C到25°C之间，湿度控制在40%到60%之间。化学实验室：温度通常应控制在20°C到25°C之间，湿度应控制在40%到60%之间。光学实验室：温度应控制在20°C到25°C之间，湿度应控制在40%到60%之间。材料实验室：温度应控制在20°C到25°C之间，湿度应控制在40%到60%之间。试剂室：温度10～30℃，湿度35～80%。样品存放室：温度10～30℃，湿度35～80%。天平室：温度10～30℃，湿度35～80%。水分室：温度10～30℃，湿度35～65%。红外室：温度10～30℃，湿度35～60%。中心实验室：温度10～30℃，湿度35～80%。留样室：温度10～25℃，湿度35～70%。微生物实验室：一般温度为：18-26度，湿度：45%-65%。动物实验室：湿度应维持在40%～60%RH之间。抗生su实验室：冷处是2～8℃，阴凉处不超过20℃。混凝土实验室：温度应稳定保持在20℃土220℃，相对湿度不低于50%。以上就是部分实验室的温湿度要求。需要注意的是，不同实验室的温湿度要求可能会有所不同，具体要求需要根据实验的类型和目的来确定。光刻机温湿度实验环境设备的气流循环系统经过特殊设计，确保每个角落都能均匀享受稳定环境。
恒温恒湿实验室的用途是非常广的，我们平时穿的纤维材质的衣服，办公室内的纸张等，都是在恒温恒湿实验室内经过测试后制作而成的，在测试的过程中，水系统的作用是非常大的，因此我们就需要重视水系统的建设。1、水系统设备的准确度和精度要高。产品不同，它们对于温度和湿度的要求都是不同的，在温度方面，有的是需要常温，有的是需要低温和高温，而水系统在控制温度和湿度方面，就起着关键性的作用，因此恒温恒湿实验室的水系统设备，要做到经久耐用，要有很高的准确度和精度。
2、在水系统运行之后，它所产生的废水一定要达标。因为恒温恒湿的环境，对于水质的影响是非常明显的，对于化工类的实验来说，实验之后的水就大部分是劣质的水了，如果不进行处理的话，就会给周围的环境造成很大的危害。因此恒温恒湿实验室内要有符合要求的水系统设备，以满足环保方面的要求，比如可以使用臭氧系数很低的绿色环保制冷设备。3、要有水位的自动补偿和缺水的报警系统。水系统中，不能只含有实验室中的运行系统，还需要有水位的缺水报警和自动补水系统等，这样就能够让实验室更好的工作。
激光干涉仪用于测量微小位移，精度可达纳米级别。温度波动哪怕只有1℃，由于仪器主体与测量目标所处环境温度不一致，二者热胀冷缩程度不同，会造成测量基线的微妙变化，导致测量位移结果出现偏差，在高精度机械加工零件的尺寸检测中，这种偏差可能使零件被误判为不合格品，增加生产成本。高湿度环境下，水汽会干扰激光的传播路径，使激光发生散射，降低干涉条纹的对比度，影响测量人员对条纹移动的精确判断，进而无法准确获取位移数据，给精密制造、航空航天等领域的科研与生产带来极大困扰。
针对光学镜片研磨车间，提供稳定温湿度，保证镜片加工精度。
光刻设备对温湿度的要求也极高，光源发出的光线需经过一系列复杂的光学系统聚焦到硅片表面特定区域，以实现对光刻胶的曝光，将设计好的电路图案印制上去。当环境温度出现极其微小的波动，哪怕只是零点几摄氏度的变化，光刻机内部的精密光学元件就会因热胀冷缩特性而产生细微的尺寸改变。这些光学元件包括镜片、反射镜等，它们的微小位移或形状变化，会使得光路发生偏差。原本校准、聚焦于硅片特定坐标的光线，就可能因为光路的改变而偏离预定的曝光位置，出现曝光位置的漂移。
为满足多样化需求，箱体采用高质量钣金材质，可按需定制外观颜色。光刻机温湿度实验环境
电子显微镜观测时，设备营造的稳定环境，确保成像清晰，助力科研突破。光刻机温湿度实验环境
随着半导体生产工艺的不断发展， 更精密、集成度更高是行业发展的趋势。目前，制造工艺已经进入亚纳米时代,线宽都在30-180 纳米之间，对生产设备的精度要求越来越严格，因此，除了设备本身的工艺水平需要达到生产要求以外，其所处的生产环境——洁净室的各项指标也必须被严格地控制，包括：洁净度、温湿度、照度、气流方向、振动静电、磁场以及有害气体等。其中的温湿度控制是重点，其控制的效果直接影响着生产的优良率。目前半导体洁净室对温湿度的控制范围通常为： 温度22+/-0.5℃，湿度45+/-3%RH。本文通过对现有洁净室温湿度控制系统的研究，引入模糊控制，以提高温湿度控制的实际效果。光刻机温湿度实验环境
