对于GaN、SiC等化合物半导体和MEMS传感器等精密器件，传统的等离子体工艺因其高能离子轰击和热效应容易造成器件性能的不可逆损伤。RPS远程等离子源应用领域在此提供了低损伤、高精度的解决方案。在GaN HEMT器件的制造中，RPS可用于栅极凹槽的刻蚀预处理或刻蚀后残留物的清理 ，其低离子能量特性确保了AlGaN势垒层和二维电子气（2DEG）不受损伤，从而维持了器件的高跨导和频率特性。在MEMS制造中，关键的步骤是层的释放，以形成可活动的微结构。RPS远程等离子源能够使用氟基或氧基自由基，温和且均匀地刻蚀掉结构下方的氧化硅或聚合物层，避免了因“粘附效应”（Stiction）导致的结构坍塌，极大地提升了MEMS陀螺仪、加速度计和麦克风的良品率和可靠性。在射频滤波器制造中实现压电薄膜的精确刻蚀。江西国内RPS光伏设备清洗
RPS远程等离子源是一款基于电感耦合等离子体技术的自成一体的原子发生器，它的功能是用于半导体设备工艺腔体原子级别的清洁，使用工艺气体三氟化氮（NF3）/O2，在交变电场和磁场作用下，原材料气体会被解离，从而释放出自由基，活性离子进入工艺室与工艺室上沉积的污染材料（SIO/SIN）或者残余气体（H2O、O2、H2、N2）等物质产生化学反应，聚合为高活性气态分子经过真空泵组抽出处理腔室，提高处理腔室内部洁净度；利用原子的高活性强氧化特性，达到清洗CVD或其他腔室后生产工艺的目的，为了避免不必要的污染和工作人员的强度和高风险的湿式清洗工作，提高生产效率。海南远程等离子电源RPS腔室清洗为纳米压印模板提供深度清洁。
RPS远程等离子源在超表面制造中的精密加工在光学超表面制造中，RPS远程等离子源通过SF6/C4F8远程等离子体刻蚀氮化硅纳米柱，将尺寸偏差控制在±2nm以内。通过优化刻蚀选择比，将深宽比提升至20:1，使超表面工作效率达到80%。实验结果显示，经RPS远程等离子源加工的超透镜，数值孔径达0.9，衍射极限分辨率优于200nm。RPS远程等离子源的技术演进与未来展望新一代RPS远程等离子源集成AI智能控制系统，通过实时监测自由基浓度自动调节工艺参数。采用数字孪生技术，将工艺开发周期缩短50%。未来，RPS远程等离子源将向更高精度（刻蚀均匀性>99%）、更低损伤（损伤层<1nm）方向发展，支持2nm以下制程和第三代半导体制造，为先进制造提供主要 工艺装备。
光伏产业中的薄膜沉积工艺（如硅基CVD）同样面临腔室污染问题。残留膜层会干扰沉积均匀性，影响太阳能电池的转换效率。RPS远程等离子源提供了一种高效的清洁解决方案，利用氧基或氟基自由基快速分解污染物，恢复腔室洁净状态。其远程设计避免了等离子体直接暴露于敏感涂层，确保了工艺安全。此外，RPS远程等离子源的高能效特性有助于降低整体能耗，符合绿色制造趋势。在大规模光伏生产中，采用RPS远程等离子源进行定期维护，可以明显 提升生产效率和产品可靠性。该技术通过远程等离子体分离原理避免器件表面损伤。
远程等离子体源RPS腔体结构，包括进气口，点火口，回流腔连通电离腔顶端与进气腔靠近进气口一侧顶部，气体由进气口进入经过进气腔到达电离腔，点火发生电离反应生成氩离子然后通入工艺气体，通过出气口排出至反应室内，部分电离气体经回流腔流至进气腔内，提高腔体内部电离程度，以便于维持工艺气体的电离，同时可提高原子离化率；电离腔的口径大于进气腔，气体在进入电离腔内部时降低了压力，降低了F/O原子碰撞导致的原子淬灭问题，保证电离率，提高清洁效率。在微透镜阵列制造中实现精确图形化。河南国内RPS石墨舟腔体清洗
为量子计算超导电路提供无损伤表面清洁。江西国内RPS光伏设备清洗
RPS远程等离子源在量子计算器件中的前沿应用在超导量子比特制造中，RPS远程等离子源通过O2/Ar远程等离子体去除表面磁噪声源，将量子比特退相干时间延长至100μs以上。在约瑟夫森结制备中，采用H2/N2远程等离子体精确控制势垒层厚度，将结电阻均匀性控制在±2%以内。实验结果显示，经RPS远程等离子源处理的量子芯片，保真度提升至99.95%。RPS远程等离子源在先进传感器制造中的精度突破在MEMS压力传感器制造中，RPS远程等离子源通过XeF2远程等离子体释放硅膜结构，将残余应力控制在10MPa以内。在红外探测器制造中，采用SF6/O2远程等离子体刻蚀悬臂梁结构，将热响应时间缩短至5ms。实测数据表明，采用RPS远程等离子源制造的传感器，精度等级达到0.01%FS，温度漂移<0.005%/℃。江西国内RPS光伏设备清洗
