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交流充电桩一般体积一般比直流的的充电桩小，因为它的充电速度比直流慢一点，因此它的功率一般不会很大，一般为3.5KW、7KW、15KW等。两者的区别：简单来说，交流充电桩需要借助车载充电机来充电，直流快速充电桩不需要这个设备。二者在充电速度上差别较大，一辆纯电动汽车（普通电池容量）完全放电后通过交流充电桩充满需要8个小时，而通过直流快速充电桩需要2到3个小时。交流充电桩给电动汽车的充电机提供电力输入，由于车载充电机的功率并不大，所以不能实现快速充电。直流快速充电桩是固定安装在电动汽车外、与交流电网连接，可以为非车载电动汽车的动力电池提供直流电源的供电装置，直流充电桩可以提供足够的功率，输出的电压和电流调整范围大，可以实现快充的要求。

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先从快充说起，电动自行车快速充电站是一个伪需求，现在市面上所谓的快速充电站都是通过加压来实现的快速充电，这样充电会极大程度的缩短电池的寿命，同时也会造成火灾安全隐患；其实快速充电的需求特别少，不是万不得已的情况下不会使用快速充电，因为损害电池。无锡天诚电动车充电桩设备备本身质量也是过硬，具有电流自动控制、电池检测、充满断电、过载保护、短路保护、漏电保护及露天防水等功能，均经专业机构检测上线，真正带来多方面安全守护。新吴电动车充电桩生产厂家哪家好！滨湖区景观智能充电站电动车充电桩销售厂家

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这种拓扑通常使用带直流-直流转换器、基于Vienna整流器的功率因数校正(PFC)方法(图1)。这种交流-直流转换方法充分利用了电网三相电源中三个互不相同的电平，能够以高效率、高密度、低物料消耗的方式实现所需输出功率。图1：采用ViennaPFC转换器拓扑的纯电动车三级充电桩(来源：安森美)采用Vienna拓扑有着诸多优势，但也会带来不小的挑战，因为采用该拓扑需要实现大功率高频转换开关操作，此举还会产生开关损耗，加之转换损耗所产生的热量也需要得到处理。这些挑战以及充电设备的位置所带来的空间限制，驱使着电源设计工程师不断寻求超越当今硅基二极管和MOSFET特性的半导体制程技术。宽禁带器件与传统硅技术相比，宽禁带半导体制程技术［例如碳化硅(SiC)］的开关速度更高，因而能够使用更小的电感器和电容器，从而降低物料成本，缩小所需的电路板空间(图2)。碳化硅MOSFET的RDS(ON)较低，因而开关损耗也较低，通常比硅MOSFET低100倍。总体而言，由于碳化硅器件的导电禁带较宽，其击穿电压也较高，通常可达硅器件介电强度的10倍。碳化硅还能在更高的温度下维持导电性，从而使设备能够运行在更高温的环境中。总之，将碳化硅二极管和MOSFET用于三级充电桩可以带来诸多优势。吴中区新能源电动车充电桩24小时售后