辽宁陶瓷封装行价

SiP芯片成品的制造过程，系统级封装（SiP）技术种类繁多，本文以双面塑封SiP产品为例，简要介绍SiP芯片成品的制造过程。SiP封装通常在一块大的基板上进行，每块基板可以制造几十到几百颗SiP成品。无源器件贴片，倒装芯片封装（Flip Chip）贴片——裸片（Die）通过凸点（Bump）与基板互连，回流焊接（正面）——通过控制加温熔化封装锡膏达到器件与基板间的键合焊线，键合（Wire Bond）——通过细金属线将裸片与基板焊盘连接塑封（Molding）——注入塑封材料包裹和保护裸片及元器件。SiP模组是一个功能齐全的子系统，它将一个或多个IC芯片及被动元件整合在一个封装中。辽宁陶瓷封装行价

光电器件、MEMS 等特殊工艺器件的微小化也将大量应用 SiP 工艺。SiP 发展的难点随着 SiP 市场需求的增加，SiP 封装行业的痛点也开始凸显，例如无 SiP 行业标准，缺少内部裸片资源，SiP 研发和量产困难，SiP 模块和封装设计有难度。由于 SiP 模组中集成了众多器件，假设每道工序良率有一点损失，叠乘后，整个模组的良率损失则会变得巨大，这对封装工艺提出了非常高的要求。并且 SiP 技术尚属初级阶段，虽有大量产品采用了 SiP 技术，不过其封装的技术含量不高，系统的构成与在 PCB 上的系统集成相似，无非是采用了未经封装的芯片通过 COB 技术与无源器件组合在一起，系统内的多数无源器件并没有集成到载体内，而是采用 SMT 分立器件。安徽系统级封装方案SiP涉及许多类型的封装技术，如超精密表面贴装技术（SMT）、封装堆叠技术，封装嵌入式技术等。

系统级封装的简短历史，在1980年代，SiP以多芯片模块的形式提供。它们不是简单的将芯片放在印刷电路板上，而是通过将芯片组合到单个封装中来降低成本和缩短电信号需要传输的距离，通过引线键合进行连接的。半导体开发和发展的主要驱动力是集成。从SSI（小规模集成 - 单个芯片上的几个晶体管）开始，该行业已经转向MSI（中等规模集成 - 单个芯片上数百个晶体管），LSI（大规模集成 - 单个芯片上数万个晶体管），ULSI（超大规模集成 - 单个芯片上超过一百万个晶体管），VLSI（超大规模集成 - 单个芯片上数十亿个晶体管），然后是WSI（晶圆级集成 - 整体）晶圆成为单个超级芯片）。所有这些都是物理集成指标，没有考虑所需的功能集成。因此，出现了几个术语来填补空白，例如ASIC（专门使用集成电路）和SoC（片上系统），它们将重点转移到更多的系统集成上。

由于物联网“智慧”设备的快速发展，业界对能够在更小的封装内实现更多功能的系统级封装 (SiP) 器件的需求高涨，这种需求将微型化趋势推向了更高的层次：使用更小的元件和更高的密度来进行组装。 无源元件尺寸已从 01005 （ 0.4 mm× 0.2 mm) 缩小到 008004（ 0.25 mm×0.125 mm) ，细间距锡膏印刷对 SiP 的组装来说变得越来越有挑战性。 对使用不同助焊剂和不同颗粒尺寸锡粉的 3 种锡膏样本进行了研究； 同时通过比较使用平台和真空的板支撑系统，试验了是否可以单独使用平台支撑来获得一致性较好的印刷工艺；并比较了激光切割和电铸钢网在不同开孔尺寸下的印刷结果。先进封装的制造过程中，任何一个环节的失误都可能导致整个封装的失败。

SiP以后会是什么样子的呢？理论上，它应该是一个与外部没有任何连接的单独组件。它是一个定制组件，非常适合它想要做的工作，同时不需要外部物理连接进行通信或供电。它应该能够产生或获取自己的电力，自主工作，并与信息系统进行无线通信。此外，它应该相对便宜且耐用，使其能够在大多数天气条件下运行，并在发生故障时廉价更换。随着对越来越简化和系统级集成的需求，这里的组件将成为明天的SiP就绪组件，而这里的SiP将成为子系统级封装（SSiP）。SiP就绪组件和SSiP将被集成到更大的SiP中，因为系统集成使SiP技术越来越接近较终目标：较终SiP。Sip这种创新性的系统级封装不只大幅降低了PCB的使用面积，同时减少了对外围器件的依赖。安徽系统级封装方案

汽车汽车电子是 SiP 的重要应用场景。辽宁陶瓷封装行价

SiP 封装优势：1）封装面积增大，SiP在同一个封装种叠加两个或者多个芯片。把垂直方向的空间利用起来，同时不必增加引出管脚，芯片叠装在同一个壳体内，整体封装面积较大程度上减少。2）采用超薄的芯片堆叠与TSV技术使得多层芯片的堆叠封装体积减小，先进的封装技术可以实现多层芯片堆叠厚度。3）所有元件在一个封装壳体内，缩短了电路连接，见笑了阻抗、射频、热等损耗影响。提高了光，电等信号的性能。4）SiP 可将不同的材料，兼容不同的GaAs，Si，InP，SiC，陶瓷，PCB等多种材料进行组合进行一体化封装。辽宁陶瓷封装行价