EVG770自动UV-NIL纳米压印步进机,用于制作主图章。母模是晶圆大小的模板,里面完全装有微透镜模具,每个模具都采用分步重复的方法从一个透镜模板中复制。EVG从金属或玻璃制成的单镜头母版开始,提供了涵盖了制作母模的所有基本工艺步骤的工艺流程,具有WUYULUNBI的镜片位置精度和GAODUAN镜片制造所需的高镜片形状可重复性晶圆级相机模块。IQAligner自动UV-NIL纳米压印系统,用于UV微透镜成型。软UV压印光刻技术是用于制造聚合物微透镜(WLO系统的关键要素)的高度并行技术。EVG从晶圆尺寸的主图章复制的软性图章开始,提供了混合和整体式微透镜成型工艺,可以轻松地将其应用于工作图章和微透镜材料的各种材料组合。此外,EVGroup提供合格的微透镜成型工艺,包括所有相关的材料专业知识。EVG40NT自动测量系统。支持非常高的分辨率和精度的垂直和横向测量,计量对于验证是否符合严格的工艺规范并立即优化集成的工艺参数至关重要。在WLO制造中,EVG的度量衡解决方案可用于关键尺寸(CD)测量和透镜叠层对准验证,以及许多其他应用。EVG与研究机构合作超过35年,能够深入了解他们的独特需求。吉林ABM光刻机
EVG®610掩模对准系统■晶圆规格:100mm/150mm/200mm■顶/底部对准精度达到±0.5µm/±1.0µm■用于双面对准高/分辨率顶部和底部分裂场显微镜■软件,硬件,真空和接近式曝光■自动楔形补偿■键合对准和NIL可选■支持蕞新的UV-LED技术EVG®620NT/EVG®6200NT掩模对准系统(自动化和半自动化)■晶圆产品规格:150mm/200mm■接近式楔形错误补偿■多种规格晶圆转换时间少于5分钟■初次印刷高达180wph/自动对准模式为140wph■可选独力的抗震型花岗岩平台■动态对准实时补偿偏移■支持蕞新的UV-LED技术安徽MEMS光刻机EVG光刻机关注未来市场趋势 - 例如光子学 、光学3D传感- 并为这些应用开发新的方案和调整现有的解决方案。
IQAligner®自动化掩模对准系统特色:EVG®IQ定位仪®平台用于自动非接触近距离处理而优化的用于晶片尺寸高达200毫米。技术数据:IQAligner是具有高度自动化程度的非接触式接近光刻平台,可满足将生产线中的掩模污染降至蕞低并增加掩模寿命和产品良率的需求。除了多种对准功能外,该系统还通过专门配置进行了广范的安装和现场验证,可自动处理和处理翘曲或变薄的晶圆。标准的顶侧或底侧对准与集成的IR对准功能之间的混合匹配操作进一步拓宽了应用领域,尤其是在与工程或粘合基板对准时。该系统还通过快速响应的温度控制工具集支持晶片对准跳动控制。
EVG的光刻机技术:EVG在光刻技术上的关键能力在于其掩模对准器的高产能,接触和接近曝光功能以及其光刻胶处理系统的内部处理的相关知识。EVG的所有光刻设备平台均支持300毫米的晶圆,可以完全集成到其HERCULES光刻轨道系统中,并配有用于从上到下的侧面对准验证的度量工具。EVG不断展望未来的市场趋势,因此提供了针对特定应用的解决方案,尤其是在光学3D传感和光子学市场中,其无人能比的EVG的工艺和材料专业知识-源自对各种光刻胶材料进行的广范优化研究。了解客户需求并提供有效的全球支持是EVG光刻解决方案能够成功的重要因素。光刻机是一种用于制造集成电路和其他微纳米器件的关键设备。
HERCULES光刻轨道系统特征:生产平台以蕞小的占地面积结合了EVG精密对准和光刻胶处理系统的所有优势;多功能平台支持各种形状,尺寸,高度变形的模具晶片甚至托盘的全自动处理;高达52,000cP的涂层可制造高度高达300微米的超厚光刻胶特征;CoverSpinTM旋转盖可降低光刻胶消耗并优化光刻胶涂层的均匀性;OmniSpray®涂覆用于高地形表面的优化的涂层;纳流®涂布,并通过结构的保护;自动面膜处理和存储;光学边缘曝光和/或溶剂清洁以去除边缘颗粒;使用桥接工具系统对多种尺寸的晶圆进行易碎,薄或翘曲的晶圆处理;返工分拣晶圆管理和灵活的盒式系统;多用户的概念(无限数量的用户帐户和程序,可分配的访问权限,不同的用户界面语言)。岱美是EVG光刻机在中国的代理商,提供本地化的贴心服务。吉林ABM光刻机
HERCULES 全电动顶部和底部分离场显微镜支持实时、大间隙、晶圆平面或红外对准,在可编程位置自动定位。吉林ABM光刻机
IQAligner®NT技术数据:产能:全自动:手次生产量印刷:每小时200片全自动:吞吐量对准:每小时160片晶圆工业自动化功能:盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄,弯曲,翘曲,晶圆边缘处理智能过程控制和数据分析功能(框架SW平台)用于过程和机器控制的集成分析功能并行任务/排队任务处理功能设备和过程性能根踪功能智能处理功能事/故和警报分析/智能维护管理和根踪晶圆直径(基板尺寸):高达300毫米对准方式:顶部对准:≤±0,25µm底侧对准:≤±0.5µm红外对准:≤±2,0µm/取决于基材吉林ABM光刻机