南通模组封装流程

随着物联网时代越来越深入人心，不断的开发和研究有助于使SiP更接近SoC，降低成本，减少批量要求和初始投资，并在系统简化方面呈现积极趋势。此外，制造越来越大的单片SoC的推动力开始在设计验证和可制造性方面遇到障碍，因为拥有更大的芯片会导致更大的故障概率，从而造成更大的硅晶圆损失。从IP方面来看，SiP是SoC的未来替代品，因为它们可以集成较新的标准和协议，而无需重新设计。此外，SiP方法允许更快、更节能的通信和电力输送，这是在考虑Si应用的长期前景时另一个令人鼓舞的因素。随着SIP封装元件数量和种类增多，在尺寸受限或不变的前提下，要求单位面积内元件密集程度必须增加。南通模组封装流程

不同类别芯片进行3D集成时，通常会把两个不同芯片竖直叠放起来，通过TSV进行电气连接，与下面基板相互连接，有时还需在其表面做RDL，实现上下TSV连接。4D SIP，4D集成定义主要是关于多块基板的方位和相互连接方式，因此在4D集成也会包含2D，2.5D，3D的集成方式。物理结构：多块基板采用非平行的方式进行安装，且每一块基板上均设有元器件，元器件的安装方式具有多样性。电气连接：基板间采用柔性电路或焊接的方式相连，基板中芯片的电气连接多样化。广东SIP封装厂家SiP是使用成熟的组装和互连技术，把各种集成电路器件集成到一个封装体内，实现整机系统的功能。

SiP技术特点：设计优势，SiP技术允许设计师将来自不同制造商的较佳芯片组合在一起，实现定制化的解决方案，这种灵活性使得SiP在多样化的市场需求中具有普遍的应用前景。主要优势如以下几点：空间优化：通过将多个组件集成到一个封装中，SiP可以明显减少电路板上所需的空间。性能提升：SiP可以通过优化内部连接和布局来提升性能，减少信号传输延迟。功耗降低：紧密集成的组件可以减少功耗，特别是在移动和便携式设备中。系统可靠性：减少外部连接点可以提高系统的整体可靠性。

电镀镍金：电镀是指借助外界直流电的作用，在溶液中进行电解反应，是导电体（例如金属）的表面趁机金属或合金层。电镀分为电镀硬金和软金工艺，镀硬金与软金的工艺基本相同，槽液组成也基本相同，区别是硬金槽内添加了一些微量金属镍或钴或铁等元素，由于电镀工艺中镀层金属的厚度和成分容易控制，并且平整度优良，所以在采用键合工艺的封装基板进行表面处理时，一般采用电镀镍金工艺，铝线的键合一般采用硬金，金线的键合一般都用软金。SiP封装是将多个半导体及一些必要的辅助零件，做成一个相对单独的产品。

SiP系统级封装需求主要包括以下几个方面：1、精度：先进封装对于精度的要求非常高，因为封装中的芯片和其他器件的尺寸越来越小，而封装密度却越来越大。因此，固晶设备需要具备高精度的定位和控制能力，以确保每个芯片都能准确地放置在预定的位置上。2、速度：先进封装的生产效率对于封装成本和产品竞争力有着重要影响。因此，固晶设备需要具备高速度的生产能力，以提高生产效率并降低成本。3、良品率：先进封装的制造过程中，任何一个环节的失误都可能导致整个封装的失败。因此，固晶设备需要具备高良品率的生产能力，以确保封装的质量和可靠性。SiP 兼具低成本、低功耗、高性能、小型化和多元化的优势。河北模组封装方式

SiP技术是一项先进的系统集成和封装技术，与其它封装技术相比较，SiP技术具有一系列独特的技术优势。南通模组封装流程

SiP封装工艺介绍，SiP封装技术采取多种裸芯片或模块进行排列组装，若就排列方式进行区分可大体分为平面式2D封装和3D封装的结构。相对于2D封装，采用堆叠的3D封装技术又可以增加使用晶圆或模块的数量，从而在垂直方向上增加了可放置晶圆的层数，进一步增强SiP技术的功能整合能力。而内部接合技术可以是单纯的线键合（Wire Bonding），也可使用覆晶接合（Flip Chip），也可二者混用。目前世界上先进的3D SiP 采用 Interposer（硅基中介层）将裸晶通过TSV（硅穿孔工艺）与基板结合。南通模组封装流程