湖北IPM封装流程

合封电子技术就是包含SiP封装技术，所以合封技术范围更广，技术更全，功能更多。合封电子应用场景，合封电子的应用场景：合封电子可用于需要多功能、高性能、高稳定性、低功耗、省成本的应用场景。例如家居电子：智能环境监测系统可以实时监测室内空气质量、温度、湿度等环境参数，并根据需要进行调整。遥控玩具：遥控车可以集成多种传感器和执行器，实现自动避障、自动跟随等功能。......应用场景比较全，可以采购原有云茂电子，还能进行定制化云茂电子服务。在电源、车载通讯方面也开始进行了 SiP 探索和开发实践。湖北IPM封装流程

PoP(Package-on-Package)，是用于将逻辑器件和存储器器件进行叠层封装的技术。通常情况下底层多为逻辑器件，例如移动电话基带（调制解调器）处理器或应用处理器，上层为存储器，例如闪存或者叠层内存芯片。显然，这种垂直组合封装的一个优点是节省了电路板空间。适用于需要在更小空间内实现更多功能的应用，例如数码相机、PDA、MP3 播放器和移动游戏设备等。POP的工艺流程，PoP的组装方式目前有两种。一种是预制PoP工序，即先将PoP的多层封装堆叠到一起，焊接成一个元器件，再贴装到PCB上，然后再进行一次回流焊。一种是在板PoP工序上，依次将底部的BGA和顶部BGA封装在PCB上，然后过一次回流焊。辽宁芯片封装工艺据报告，2022年，SiP系统级封装市场总收入达到212亿美元。

什么是系统级SIP封装？系统级封装（SiP）技术是通过将多个裸片（Die）及无源器件整合在单个封装体内的集成电路封装技术。在后摩尔时代，系统级封装（SiP）技术可以帮助芯片成品增加集成度、减小体积并降低功耗。具体来说处理芯片、存储芯片、被动元件、连接器、天线等不同功能的器件，被封装在同一基板上，完成键合和加盖。系统级封装完成后提供的模块，从外观上看仍然类似一颗芯片，却实现了多颗芯片联合的功能。因此可以大幅降低PCB使用面积和对外围器件的依赖，也为设备提供更高的性能与更低的能耗。

SiP是使用成熟的组装和互连技术，把各种集成电路器件（IC、MOS等）以及各类无源元件如电阻、电容等集成到一个封装体内，实现整机系统的功能。由于SiP电子产品向高密度集成、功能多样化、小尺寸等方向发展，传统的失效分析方法已不能完全适应当前技术发展的需要。为了满足SiP产品的失效分析，实现内部互连结构和芯片内部结构中失效点的定位，分析技术必须向高空间分辨率、高电热测试灵敏度以及高频率的方向发展。典型的SiP延用COB工艺，将电路板的主要器件塑封（COB），再把COB器件以元器件贴片到FPC软板上。SiP封装为芯片提供支撑，散热和保护，同时提供芯片与基板之间的供电和机械链接。

SiP 封装优势。在IC封装领域，是一种先进的封装，其内涵丰富，优点突出，已有若干重要突破，架构上将芯片平面放置改为堆叠式封装，使密度增加，性能较大程度上提高，表示着技术的发展趋势，在多方面存在极大的优势特性，体现在以下几个方面。SiP 实现是系统的集成。采用要给封装体来完成一个系统目标产品的全部互联以及功能和性能参数，可同时利用引线键合与倒装焊互连技术以及别的IC芯片堆叠等直接内连技术，将多个IC芯片与分立有源和无源器件封装在一个管壳内。随着SIP封装元件数量和种类增多，在尺寸受限或不变的前提下，要求单位面积内元件密集程度必须增加。湖北IPM封装流程

构成SiP技术的要素是封装载体与组装工艺。湖北IPM封装流程

硅中介层具有TSV集成方式为2.5D集成技术中较为普遍的方式，芯片一般用MicroBump与中介层连接，硅基板做中介层使用Bump与基板连接，硅基板的表面采用RDL接线，TSV是硅基板上、下表面的电连接通道，该2.5D集成方式适用于芯片尺寸相对较大的场合，当引脚密度较大时，通常采用Flip Chip方式将Die键合到硅基板中。硅中介层无TSV的2.5D集成结构一般如下图所示，有一颗面积较大的裸芯片直接安装在基板上，该芯片和基板的连接可以采用Bond Wire 或者Flip Chip两种方式。大芯片上方由于面积较大，可以安装多个较小的裸芯片，但是小芯片无法直接连接到基板，所以需要插入一块中介层，若干裸芯片安装于中介层之上，中介层具有RDL布线可以从中介层边缘引出芯片信号，再经Bond Wire 与基板相连。这种中介层一般无需TSV，只需在interposer的上层布线来实现电气互连，interposer采用Bond Wire和封装基板连接。湖北IPM封装流程