由于不同性质和形态的薄膜对系统的测量量程和精度的需求不尽相同，因而多种测量方法各有优缺，难以一概而论。按照薄膜厚度的增加，适用的测量方式分别为椭圆偏振法、分光光度法、共聚焦法和干涉法。对于小于1μm的较薄薄膜，白光干涉轮廓仪的测量精度较低，分光光度法和椭圆偏振法较适合。而对于小于200nm的薄膜，由于透过率曲线缺少峰谷值，椭圆偏振法结果更可靠。基于白光干涉原理的光学薄膜厚度测量方案目前主要集中于测量透明或者半透明薄膜，通过使用不同的解调技术处理白光干涉的图样，得到待测薄膜厚度。本章在详细研究白光干涉测量技术的常用解调方案、解调原理及其局限性的基础上，分析得到了常用的基于两个相邻干涉峰的白光干涉解调方案不适用于极短光程差测量的结论。在此基础上，我们提出了基于干涉光谱单峰值波长移动的白光干涉测量解调技术。精度高的白光干涉膜厚仪通常采用Michelson干涉仪的结构。光干涉膜厚仪使用方法
薄膜是一种特殊的二维材料，由分子、原子或离子沉积在基底表面形成。近年来，随着材料科学和镀膜技术的不断发展，厚度在纳米量级（几纳米到几百纳米范围内）的薄膜研究和应用迅速增加。与体材料相比，纳米薄膜的尺寸很小，表面积与体积的比值增大，因而表面效应所表现出来的性质非常突出，对于光学性质和电学性质等具有许多独特的表现。纳米薄膜在传统光学领域中的应用越来越广，尤其是在光通讯、光学测量、传感、微电子器件、医学工程等领域有更为广阔的应用前景。白光干涉膜厚仪性价比高它可测量大气压下1纳米到1毫米范围内的薄膜厚度。
莫侯伊膜厚仪在半导体行业中具有重要的应用价值膜厚仪的测量原理主要基于光学干涉原理。当光波穿过薄膜时，会发生干涉现象，根据干涉条纹的变化可以推导出薄膜的厚度。利用这一原理，通过测量干涉条纹的间距或相位差来计算薄膜的厚度。膜厚仪通常包括光源、光路系统、检测器和数据处理系统等部件，能够实现对薄膜厚度的高精度测量。在半导体行业中，薄膜的具体测量方法主要包括椭偏仪法、X射线衍射法和原子力显微镜法等。椭偏仪法是一种常用的薄膜测量方法，它利用薄膜对椭偏光的旋转角度来计算薄膜的厚度。X射线衍射法则是通过测量衍射光的角度和强度来确定薄膜的厚度和结晶结构。原子力显微镜法则是通过探针与薄膜表面的相互作用来获取表面形貌和厚度信息。这些方法各有特点，可以根据具体的测量要求选择合适的方法进行薄膜厚度测量。薄膜的厚度对于半导体器件的性能和稳定性具有重要影响，因此膜厚仪的测量原理和具体测量方法在半导体行业中具有重要意义。随着半导体工艺的不断发展，对薄膜厚度的要求也越来越高，膜厚仪的研究和应用将继续成为半导体行业中的热点领域。
白光干涉的分析方法利用白光干涉感知空间位置的变化，从而得到被测物体的信息。它是在单色光相移干涉术的基础上发展而来的。单色光相移干涉术利用光路使参考光和被测表面的反射光发生干涉，再使用相移的方法调制相位，利用干涉场中光强的变化计算出其每个数据点的初始相位，但是这样得到的相位是位于（-π，+π]间，所以得到的是不连续的相位。因此，需要进行相位展开使其变为连续相位。再利用高度与相位的信息求出被测物体的表面形貌。单色光相移法具有测量速度快、测量分辨力高、对背景光强不敏感等优点。但是，由于单色光干涉无法确定干涉条纹的零级位置。因此，在相位解包裹中无法得到相位差的周期数，所以只能假定相位差不超过一个周期，相当于测试表面的相邻高度不能超过四分之一波长。这就限制了其测量的范围，使它只能测试连续结构或者光滑表面结构。总的来说，白光干涉膜厚仪是一种在薄膜厚度测量领域广泛应用的仪器。
白光扫描干涉法可以避免色光相移干涉法测量的局限性。该方法利用白光作为光源，由于白光是一种宽光谱的光源，相干长度相对较短，因此发生干涉的位置范围很小。在白光干涉时，存在一个确定的零位置，当测量光和参考光的光程相等时，所有波长的光均会发生相长干涉，此时可以观察到一个明亮的零级条纹，同时干涉信号也达到最大值。通过分析这个干涉信号，可以得到被测物体的几何形貌。白光扫描干涉术是通过测量干涉条纹来完成的，而干涉条纹的清晰度直接影响测试精度。因此，为了提高精度，需要更为复杂的光学系统，这使得条纹的测量变得费力费时。白光干涉膜厚仪的应用非常广，特别是在半导体、光学、电子和化学等领域。光干涉膜厚仪供应
Michelson干涉仪的光路长度是影响仪器精度的重要因素。光干涉膜厚仪使用方法
针对微米级工业薄膜厚度测量，开发了一种基于宽光谱干涉的反射式法测量方法，并研制了适用于工业应用的小型薄膜厚度测量系统，考虑了成本、稳定性、体积等因素要求。该系统结合了薄膜干涉和光谱共聚焦原理，采用波长分辨下的薄膜反射干涉光谱模型，利用经典模态分解和非均匀傅里叶变换的思想，提出了一种基于相位功率谱分析的膜厚解算算法。该算法能够有效利用全光谱数据准确提取相位变化，抗干扰能力强，能够排除环境噪声等假频干扰。经过对PVC标准厚度片、PCB板芯片膜层及锗基SiO2膜层的测量实验验证，结果表明该测厚系统具有1~75微米厚度的测量量程和微米级的测量不确定度，而且无需对焦，可以在10ms内完成单次测量，满足工业级测量需要的高效便捷的应用要求。光干涉膜厚仪使用方法
