等离子体化学气相沉积法，利用了等离子体的活性来促进反应，使化学反应能在较低的温度下进行。优点是：反应温度降低，沉积速率较快，成膜质量好，不容易破裂。缺点是：设备投资大、对气管有特殊要求。PECVD，等离子体化学气相沉积法是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，使局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，两种或多种气体很容易发生反应，在衬底上沉积出所期待的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因此，这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积。真空镀膜机镀铝层导电性能好，能消除静电效应。德阳真空镀膜
利用PECVD生长的氧化硅薄膜具有以下优点：1.均匀性和重复性好，可大面积成膜，适合批量生长2.可在低温下成膜，对基底要求比较低3.台阶覆盖性比较好 4.薄膜成分和厚度容易控制，生长方法阶段 5.应用范围广，设备简单，易于产业化。评价氧化硅薄膜的质量，简单的方法是采用BOE腐蚀氧化硅薄膜，腐蚀速率越慢，薄膜质量越致密，反之，腐蚀速率越快，薄膜质量越差。另外，沉积速率的快慢也会影响到薄膜的质量，沉积速率过快，会导致氧化硅薄膜速率过快，说明薄膜质量比较差。朝阳真空镀膜涂料真空镀膜技术有真空蒸发镀膜。
电子束蒸发可以蒸发高熔点材料，比一般电阻加热蒸发热效率高、 束流密度大、蒸发速度快，制成的薄膜纯度高、质量好，通过晶振控制，厚度可以较准确地控制，可以广泛应用于制备高纯薄膜和各种光学材料薄膜。电子束蒸发的金属粒子只能考自身能量附着在衬底表面，台阶覆盖性比较差，如果需要追求台阶覆盖性和薄膜粘附力，建议使用磁控溅射。在蒸发温度以上进行蒸发试，蒸发源温度的微小变化即可引起蒸发速率发生很大变化。因此，在镀膜过程中，想要控制蒸发速率，必须精确控制蒸发源的温度，加热时应尽量避免产生过大的温度梯度。蒸发速率正比于材料的饱和蒸气压，温度变化10%左右，饱和蒸气压就要变化一个数量级左右。
真空镀膜：离子镀膜法：目前比较常用的组合方式有：射频离子镀(RFIP)。利用电阻或电子束加热使膜材气化；依靠射频等离子体放电使充入的真空Ar及其它惰性气体、反应气体氧气、氮气、乙炔等离化。这种方法的特点是：基板温升小，不纯气体少，成膜好，适合镀化合物膜，但匹配较困难。可应用于镀光学器件、半导体器件、装饰品、汽车零件等。此外，离子镀法还包括有低压等离子体离子镀，感应离子加热镀，集团离子束镀和多弧离子镀等多种方法。源或靶的不断改进，扩大了真空镀膜材料的选用范围。
真空镀膜的方法：真空蒸镀法：真空蒸镀是将装有基片的真空室抽成真空,然后加热被蒸发的镀料,使其原子或分子从表面气化逸出,形成蒸气流,入射到基片表面,凝结形成固体薄膜的技术。根据蒸发源的不同可以将真空蒸镀分为电阻加热蒸发源、电子束蒸发源、高频感应蒸发源及激光束蒸发源蒸镀法。电阻蒸发源是用低电压大电流加热灯丝和蒸发舟,利用电流的焦耳热是镀料熔化、蒸发或升华。这种方式结构简单,造价低廉,使用相当普遍。采用真空蒸镀法在纯棉织物表面制备负载TiO2织物,紫外线透过率都比未负载的纯棉织物的低,具有好的抗紫外线性能,制备TiO2薄膜时,膜层较均匀,当在玻璃表面蒸镀一层铬钛、镍钛合金等装饰薄膜,装饰效果,光学、耐磨、耐蚀性能良好。真空镀膜机光学镀膜主要有两种：一种是抗反射膜、另一种是加硬膜。朝阳真空镀膜涂料
真空镀膜的操作规程：把零件放入酸洗或碱洗槽中时，应轻拿轻放，不得碰撞及溅出。德阳真空镀膜
真空镀膜：多弧离子镀：多弧离子镀又称作为电弧离子镀，由于在阴极上有多个弧斑持续呈现，所以称作为“多弧”。多弧离子镀的主要特点说明：阴极电弧蒸发离化源可从固体阴极直接产生等离子体，而不产生熔池，所以可以任意方位布置，也可采用多个蒸发离化源。镀料的离化率高，一般达60%～90%，卓著提高与基体的结合力改善膜层的性能。沉积速率高，改善镀膜的效率。设备结构简单，弧电源工作在低电压大电流工况，工作较为安全。广东省科学院半导体研究所。德阳真空镀膜
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