F10-HC轻而易举而且经济有效地分析单层和多层硬涂层F10-HC以FilmetricsF20平台为基础，根据光谱反射数据分析快速提供薄膜测量结果。F10-HC先进的模拟算法是为测量聚碳酸酯和其它单层和多层硬涂层(例如，底涂/硬涂层)专门设计的。全世界共有数百台F10-HC仪器在工作，几乎所有主要汽车硬涂层公司都在使用它们。像我们所有的台式仪器一样，F10-HC可以连接到您装有Windows计算机的USB端口并在几分钟内完成设定。包含的内容：集成光谱仪/光源装置FILMeasure8软件FILMeasure读立软件(用于远程数据分析)CP-1-1.3探头BK7参考材料TS-Hardcoat-4um厚度标准备用灯额外的好处：应用工程师可立刻提供帮助（周一-周五）网上的“手把手”支持(需要连接互联网)硬件升级计划。成功测量光刻胶要面对一些独特的挑战， 而 Filmetrics 自动测量系统成功地解决这些问题。Filmetrics F50膜厚仪高性价比选择
F3-CS：Filmetrics的F3-CS专门为了微小视野及微小样品测量设计,任何人从已线操作到研&发人员都可以此簡易USB供电系统在數秒钟内测量如聚对二甲苯和真空镀膜层厚度.我们具專利的自動校正功能大幅缩短测量设置並可自动调节仪器的灵敏度,使用免手持测量模式時,只需简单地將样品面朝下放置在平台上测量样品,此時该系统已具備可测量数百种膜层所必要的一切设置不管膜层是否在透明或不透明基底上.快速厚度测量可选配FILMeasure厚度测量软件使厚度测量就像在平台上放置你的样品一樣容易,软件內建所有常见的电介质和半导体层（包括C，N和HT型聚对二甲苯）的光学常数(n和k）,厚度结果會及時的以直覺的测量结果显示对于進階使用者，可以進一步以F3-CS测量折射率,F3-CS可在任何运行WindowsXP到Windows864位作業系統的计算机上运行,USB电缆則提供电源和通信功能.Filmetrics膜厚仪出厂价厚度变化 (TTV) ；沟槽深度；过孔尺寸、深度、侧壁角度。
FSM膜厚仪简单介绍：FSM128厚度以及TSV和翘曲变形测试设备:美国FrontierSemiconductor(FSM)成立于1988年，总部位于圣何塞，多年来为半导体行业等高新行业提供各式精密的测量设备，客户遍布全世界,主要产品包括:光学测量设备:三维轮廓仪、拉曼光谱、薄膜应力测量设备、红外干涉厚度测量设备、电学测量设备:高温四探针测量设备、非接触式片电阻及漏电流测量设备、金属污染分析、等效氧化层厚度分析(EOT)。请访问我们的中文官网了解更多的信息。
（光刻胶）polyerlayers（高分子聚合物层）polymide（聚酰亚胺）polysilicon（多晶硅）amorphoussilicon（非晶硅）基底实例：对于厚度测量，大多数情况下所要求的只是一块光滑、反射的基底。对于光学常数测量，需要一块平整的镜面反射基底；如果基底是透明的，基底背面需要进行处理使之不能反射。包括：silicon（硅）glass（玻璃）aluminum（铝）gaas（砷化镓）steel（钢）polycarbonate（聚碳酸脂）polymerfilms（高分子聚合物膜）应用半导体制造液晶显示器光学镀膜photoresist光刻胶oxides氧化物nitrides氮化物cellgaps液晶间隙polyimide聚酰亚胺ito纳米铟锡金属氧化物hardnesscoatings硬镀膜anti-reflectioncoatings增透镀膜filters滤光f20使用**仿真活动来分析光谱反射率数据。标准配置和规格F20-UVF20F20-NIRF20-EXR只测试厚度1nm~40μm15nm~100μm100nm~250μm15nm~250μm测试厚度和n&k值50nmandup100nmandup300nmandup100nmandup波长范围200-1100nm380-1100nm950-1700nm380-1700nm准确度大于％或2nm精度1A2A1A稳定性光斑大小20μm至可选样品大小1mm至300mm及更大探测器类型1250-元素硅阵列512-元素砷化铟镓1000-元素硅&512-砷化铟镓阵列光源钨卤素灯。厚度范围: 测量从 1nm 到 13mm 的厚度。 测量 70nm 到 10um 薄膜的折射率。
FSM8018VITE测试系列设备VITE技术介绍：VITE是傅里叶频域技术，利用近红外光源的相位剪切技术（Phasesheartechnology）设备介绍适用于所有可让近红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度厚度变化(TTV)沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度不同半导体材料的厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...F40-EXR范围：20nm-120µm；波长：400-1700nm。Filmetrics F32膜厚仪要多少钱
F50测厚范围：20nm-70µm；波长：380-1050nm。Filmetrics F50膜厚仪高性价比选择
电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学，半导体，以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。常见的电介质有:二氧化硅 – 蕞简单的材料之一, 主要是因为它在大部分光谱上的无吸收性 (k=0)， 而且非常接近化学计量 (就是说，硅：氧非常接近 1:2)。 受热生长的二氧化硅对光谱反应规范，通常被用来做厚度和折射率标准。 Filmetrics能测量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 对此薄膜的测量比很多电介质困难，因为硅：氮比率通常不是3：4, 而且折射率一般要与薄膜厚度同时测量。 更麻烦的是，氧常常渗入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大测量难度。 但是幸运的是，我们的系统能在几秒钟内 “一键” 测量氮化硅薄膜完整特征!Filmetrics F50膜厚仪高性价比选择
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