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IGBT的基本结构 IGBT由四层半导体结构（P-N-P-N）构成，内部包含三个区域： 集电极（C，Collector）：连接P型半导体层，通常接电源正极。 发射极（E，Emit...
IGBT 模块通过 MOSFET 的电压驱动控制 GTR 的大电流导通，兼具 高输入阻抗、低导通损耗、耐高压 的特点，成为工业自动化、新能源、电力电子等领域的重要器件。其主要的工作原理是利用电压信...
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