国产替代的“自主基石” 在美国对华**半导体设备禁运的背景下，国产测试机成为“卡脖子”环节的突围重点。杭州国磊GT600作为国产**SoC测试平台，支持C++编程、Visual Studio开发环境，软件系统开放可控，避免依赖国外“黑盒子”软件。其硬件架构灵活，16个通用插槽可适配国产探针台、分选机，实现全链路本土化集成。交期短、响应快、...

  国磊（Guolei）的SoC测试机（如GT600）虽然主要面向高性能系统级芯片（SoC）的数字、模拟及混合信号测试，但其技术能力与MEMS（微机电系统）领域存在多维度、深层次的联系。尽管MEMS器件本身结构特殊（包含机械微结构、传感器/执行器等），但在实际应用中，绝大多数MEMS芯片都需与**ASIC或SoC集成封装（如惯性测量单元IMU...

  每通道PPMU：芯片健康的“精密听诊器” 。杭州国磊GT600的每通道集成PPMU（参数测量单元），是其高精度测试的**。PPMU可在FVMI（强制电压测电流）模式下，精确测量nA级静态漏电流（Iddq），相当于检测每秒流过数亿个电子的微小电流。在手机芯片测试中，这能识别因工艺缺陷导致的“待机耗电”问题，确保续航达标。在FIMV（强制电流...

  每通道PPMU：芯片健康的“精密听诊器” 。杭州国磊GT600的每通道集成PPMU（参数测量单元），是其高精度测试的**。PPMU可在FVMI（强制电压测电流）模式下，精确测量nA级静态漏电流（Iddq），相当于检测每秒流过数亿个电子的微小电流。在手机芯片测试中，这能识别因工艺缺陷导致的“待机耗电”问题，确保续航达标。在FIMV（强制电流...

  在“双碳”目标与数据中心PUE限制日益严格的背景下，AI芯片的能效比（TOPS/W）已成为核心竞争力。GT600集成高精度PPMU（每引脚参数测量单元），支持从nA级静态漏电到数安培动态电流的全范围测量，并具备微秒级瞬态响应能力，可精细捕捉电压塌陷、浪涌电流等关键电源事件。这一能力使芯片设计团队能在测试阶段绘制详细的功耗-性能曲线，优化电...

  MEMS射频开关与滤波器（RFMEMS）用于5G通信前端模块，具有低插损、高隔离度优势。虽MEMS本体为无源器件，但常集成驱动/控制CMOS电路。杭州国磊（Guolei）支持点：测试驱动IC的开关时序（TMU精度达10ps）；验证控制逻辑与使能信号的数字功能；测量驱动电压（可达7V）与静态/动态功耗；虽不直接测S参数，但可确保...

  可穿戴设备的“微功耗**” AI眼镜、智能手表等可穿戴设备依赖电池供电，对SoC功耗极其敏感。一颗芯片若待机漏电超标，可能导致设备“一天三充”。杭州国磊GT600的PPMU可精确测量nA级静态电流（Iddq），相当于每秒流过数亿个电子的微小电流，能识别芯片内部的“隐形漏电点”。通过FVMI模式，杭州国磊GT600可在不同电压下测试芯片功耗...

  智能汽车芯片的“安全卫士” 随着比亚迪、蔚来、小鹏等车企加速自研芯片，车规级MCU、功率半导体需求激增。这些芯片必须通过AEC-Q100等严苛认证，确保在-40℃~150℃极端环境下稳定运行十年以上。杭州国磊GT600凭借每通道PPMU，可精确测量nA级静态漏电流（Iddq），识别因制造缺陷导致的微小漏电，从源头剔除“体质虚弱”的芯片。其...

  杭州国磊（Guolei）的GT600SoC测试系统本质上是一款面向高性能系统级芯片（SoC）量产与工程验证的自动测试设备（ATE），其**能力聚焦于高精度数字、模拟及混合信号测试。虽然该设备本身并非为量子计算设计，但在当前科技融合加速发展的背景下，国磊SoC测试系统确实可以在特定环节与量子科技产生间接但重要的联系。量子芯片控制...

  杭州国磊GT600提供高达128M的向量存储深度，相当于可存储1.28亿个测试步骤，这是保障复杂芯片测试完整性的关键。现代SoC的测试程序极为庞大，如AI芯片运行ResNet-50模型推理、手机SoC执行多任务调度、通信芯片处理完整5G协议栈，这些测试序列动辄数百万甚至上千万向量。若向量深度不足，测试机需频繁从硬盘加载数据，导致测试中断、...

  传统测试设备面向通用CPU/GPU设计，难以应对AI芯片特有的稀疏计算、张量**、片上互联等新架构。GT600针对此类需求优化了测试向量调度机制与并行激励生成能力，支持对非规则数据流、动态稀疏***、混合精度运算的专项验证。其灵活的时钟域管理还可模拟多频异构系统的工作状态。这种“为AI而生”的设计理念，使GT600不仅兼容现有芯片，更能前...

  高同测能力加速智能驾驶芯片量产进程。智能驾驶芯片往往需要大规模部署于整车厂供应链中，对测试效率和成本控制极为敏感。杭州国磊GT600支持比较高512 Sites的并行测试能力，意味着可在单次测试周期内同时验证数百颗芯片，极大缩短测试时间、降低单位测试成本。这种高同测（High Parallel Test）特性对于满足车规级芯片动辄百万级出...