下面为大家介绍一下石墨盘真空烤盘炉的用途和设计。一、产品介绍真空烤盘炉是与MOCVD设备配套使用的炉体,炉内抽真空,被处理工件放置在炉膛内,采用清洗气体加热反应方式进行干式清洗(清洗气体:N2,H2)。主要用于有效清洗除MOCVD承受器(SiC涂层石墨盘或石英盘)上的氮化镓和氮化铝等,可达到有效清洁...
超高真空烘箱广泛应用于航空、航天、电子、通讯等科研及生产单位。确定仪器仪表、电工产品、材料、零部件、设备等在低气压、高温单项或同时作用下的环境适应性与可靠性试验。下面为大家介绍一下超高真空烘箱的主要技术指标。1.工作室温度范围:常温~+300℃用户使用温度260℃2.温度波动度:±1.0℃(空载);3.温度偏差:常压温度试验:常温~200℃时±2℃200~300℃时±5.0℃低气压高温综合试验:≤100℃时±2.0℃,100℃~200℃时±5.0℃200℃~300℃时±7.0℃合肥真萍告诉您什么是试验箱?哪里有试验箱市面价
下面为大家介绍一下高温钟罩炉的结构系统。一、炉体配置炉膛结构:采用多晶莫来石材料砌筑而成有效尺寸:φ300×320mm(D×H)设备重量:约1200Kg外观颜色:挂板采用高温喷塑,颜色为江淮蓝外形尺寸:W1300×H2200×D1510(mm),不含(囱、指示灯)二、热工系统1.额定温度:1550℃2.限制温度:1600℃3.加热元件:U型硅钼棒4.加热功率:16kW5.空炉保温功率≤8kW6.温区个数:1个7.控温点数:1点8.热偶:B分度9.程序**精度:±2℃(大于600℃,升温速率≤3℃/min)10.控温稳定度:±1℃(恒温平台)11.炉膛温度均匀度:±4℃(恒温1500℃,2h)高低温快速试验箱的价格和照片合肥真萍告诉您试验箱的应用范围。
1.储存、加热、试验和干燥都是在没有氧气或者充满惰性气体环境里进行,所以不会氧化。2.相当短加热时间,与传统干燥烘箱比加热时间减少50%以上。真空烘箱因为是由电力提供热能,而湿的物品是会导电的,故在使用上宜小心不要有漏电的现象发生,故一般烘箱都要接地使用,以保安全。若没有地线也要确认烘箱没有漏电的现象;若有轻微的漏电现象,可试着将插座拔起后将插脚以相反方向再插入,若没有漏电现象可小心使用,若仍有漏电现象则应立即停用。
精密鼓风烘箱适用于电子元器件、橡胶、塑料、装饰材料等行业对温度均匀性要求比较严格的实验。真萍科技作为精密鼓风烤箱的优良原厂厂家,设备都是自主生产销售,质量可靠,品质保证,欢迎来电咨询。大家对精密鼓风烘箱有没有些许了解呢,下面小编就带大家走近精密鼓风烘箱,为大家介绍一下真萍科技精密鼓风烤箱的参数。技术参数:1.型号:CB-9023A2.产品类型:液晶显示3.电源电压:AC220V±10%/50Hz±2%4.控温范围:室温+10℃-200℃5.温度分辨率:0.1℃6.温度波动度:≤±0.2℃7.温度均匀度:≤±1.5%8.输入功率:500W9.工作室尺寸(mm):300(宽)*300(深)*270(高)10.载物托架:2块11.定时范围:0-9999分钟试验箱的基本结构级应用。
下面为大家介绍一下石墨盘真空烤盘炉的用途和设计。 一、产品介绍 真空烤盘炉是与MOCVD设备配套使用的炉体,炉内抽真空,被处理工件放置在炉膛内,采用清洗气体加热反应方式进行干式清洗(清洗气体:N2,H2)。主要用于有效清洗除MOCVD承受器(SiC涂层石墨盘或石英盘)上的氮化镓和氮化铝等,可达到有效清洁处理,提高制品质量的目的。 二、设计特点 1.后门设计热风电机 2.降温时风机开启,同时两端降温封头开启,炉膛内产生如图所示的气体流向 3.通过气体介质将隔热层内与水冷壁之间进行热交换,达到快速降温的目的。试验箱,有哪些好处值得选择?常州高低温高压试验箱
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连续炉即是连续作业炉,是指连续地或间歇地装料,工件在炉内不断移动,完成加热、保温,有时包括冷却在内全过程的热处理炉。连续作业炉可借助某些机械结构连续地或间歇地进行装料和出料,连续顺序地通过按零件处理工艺要求的不同温度区完成加热过程。使用连续作业炉可提高产品质量,提高劳动生产率和改善劳动条件。下面为大家介绍一下连续炉的技术参数。 1.送风方式:送风循环系统; 2.温度范围:RT+30℃~300℃; 3.温度精度:±1℃ 4.温度均匀性:±1℃ 5.温控装置:富士智能PID温控仪,LED数字显示,PID自动演算及定时; 6.材质:内胆不锈钢,外箱体钢板静电喷塑; 7.传送方式:链杆、链网、自动锟轮,相当强承重; 8.复合式电加热器; 9.保护装置:漏电保护、断路保护、电机过载保护、接地保护、非正常运行情况下蜂鸣报警。哪里有试验箱市面价
下面为大家介绍一下石墨盘真空烤盘炉的用途和设计。一、产品介绍真空烤盘炉是与MOCVD设备配套使用的炉体,炉内抽真空,被处理工件放置在炉膛内,采用清洗气体加热反应方式进行干式清洗(清洗气体:N2,H2)。主要用于有效清洗除MOCVD承受器(SiC涂层石墨盘或石英盘)上的氮化镓和氮化铝等,可达到有效清洁...
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