下面为大家介绍一下石墨盘真空烤盘炉的用途和设计。一、产品介绍真空烤盘炉是与MOCVD设备配套使用的炉体,炉内抽真空,被处理工件放置在炉膛内,采用清洗气体加热反应方式进行干式清洗(清洗气体:N2,H2)。主要用于有效清洗除MOCVD承受器(SiC涂层石墨盘或石英盘)上的氮化镓和氮化铝等,可达到有效清洁...
真萍科技作为冷热冲击试验箱设备制造厂商,在冷热冲击试验箱设备制造领域的专业性是不用多说的。下面让真萍科技从温度方面,带您了解冷热冲击试验箱。一、温度波动度这个指标也有叫温度稳定度,控制温度稳定后,在给定任意时间间隔内,工作空间内任一点的较高和较低温度之差。这里有个小小的区别“工作空间”并不是“工作室”,是大约工作室去掉离箱壁各自边长的1/10的一个空间。这个指标考核产品的控制技术。二、温度范围指产品工作室能耐受和(或)能达到的极限温度。通常含有能控制恒定的概念,应该是可以相对长时间稳定运行的极值。一般温度范围包括极限高温和极限低温。一般标准要求指标为≤1℃或±0.5℃。上海试验箱的价格是多少?高低温交变试验箱的厂家
一、测控系统1.温度控制装置:日本进口温控器,内置PID自动整定,斜率设定功能2.温度控制方式为SSR固态继电器功率调整输出,温度采集探头为特制铠装K型热电偶3.温度监控装置:采用日本六通道巡回检测有纸记录仪,可将烤箱内实时环境温度进行检测打印。二、控制系统1.操作控制系统,采用精密电子仪器仪表结合电力拖动系统控制,更快速,更稳定。2.防护措施:紧急停止,超温保护,断线报警,相序保护,过载保护,短路保护,漏电保护,及电磁门禁保护等。甘肃高低温低压试验箱上海哪家试验箱厂家值得信赖?
本篇介绍专业全自动HMDS真空烤箱,首先简单介绍一下HMDS预处理系统的必要性:在半导体生产工艺中,光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节,涂胶质量直接影响到光刻的质量,涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的,而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的,这造成光刻胶和硅片的黏合性较差,尤其是正胶,显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处,容易造成漂条、浮胶等,导致光刻图形转移的失败,同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后,经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水,其疏水基可很好地与光刻胶结合,起着偶联剂的作用。
真萍科技电脑式洁净节能氮气柜主要应用于防止晶圆片的潮湿、氧化及被其它气体(ex阿摩利亚气体)破坏,防止探针卡潮湿及氧化,防止光罩的受潮---黄光部封装的金线, 液防止晶的受潮,以及防止线路板受潮。下面为大家简单介绍一下真萍科技电脑式洁净节能氮气柜的氮气监控系统。1.温湿度记录功能:1.2内建内存,可储存温度/湿度,收集时间1~240分钟可自行设定。1.3可利用RS232连接阜下载至计算机中读取。1.4品管记录格式设计,有助于内部记录追踪并可支持数据库档案格式。2.湿度警报系统:2.1可设定启动警报的湿度值及条件,内配蜂鸣器(90分贝)及闪烁警示功能。2.2可另外选配积层式警示灯。3.温湿度偏移校正功能:内建校正功能,确保显示准确度。试验箱如何发挥重要作用?合肥真萍告诉您。
隧道炉适用于五金模具、航天航空、纳米材料、精密陶瓷、粉末治金、铁氟龙喷涂、五金、锂电池、化工、运动器材、汽车零配件、电机、化工、工业之烘烤、干燥、预热回火、退火、老化等用途。作为隧道炉的优良供应商原产厂家,小编下面就为大家介绍一下真萍科技隧道炉的产品材质的构成。1.外箱构成。外箱采用1.5mm厚Q235冷轧钢板/内箱采用1.5mm厚SUS304#不锈钢2.系统装置保护装置定时报警断电装置、超温断电、漏电保护断路器、电机过载保护。合肥真萍告诉您试验箱的运用方式。试验箱的价格和照片
试验箱的发展前景如何?高低温交变试验箱的厂家
中温气氛箱式炉主要用于磷酸铁锂正极材料等类似产品的高温烧结、热处理,下面为大家介绍一下中温气氛箱式炉的系统配置。一、热工系统1.额定温度800℃2.较高温度850℃3.加热元件陶瓷外丝加热管4.加热功率18kw5.空炉保温功率约9kw6.温区个数1个7.控温点数2点8.热偶K分度9.控温稳定度±1℃(恒温平台)10.炉膛温度均匀度±6℃(恒温800℃,1h)二、气氛系统1.炉膛气氛2路氮气,流量计量程为2~20L/min;每路流量可调节2.排气系统在炉膛顶部设置一个排气囱,用于废气排放,废气3.经过水封清洗后进入大气中,减少对环境污染4.氧含量配氧含量分析仪分析氧含量:5.高温状态氧含量≤10ppm+气源氧含量6.低温状态氧含量≤50ppm+气源氧含量高低温交变试验箱的厂家
下面为大家介绍一下石墨盘真空烤盘炉的用途和设计。一、产品介绍真空烤盘炉是与MOCVD设备配套使用的炉体,炉内抽真空,被处理工件放置在炉膛内,采用清洗气体加热反应方式进行干式清洗(清洗气体:N2,H2)。主要用于有效清洗除MOCVD承受器(SiC涂层石墨盘或石英盘)上的氮化镓和氮化铝等,可达到有效清洁...
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