下面为大家介绍一下石墨盘真空烤盘炉的用途和设计。一、产品介绍真空烤盘炉是与MOCVD设备配套使用的炉体,炉内抽真空,被处理工件放置在炉膛内,采用清洗气体加热反应方式进行干式清洗(清洗气体:N2,H2)。主要用于有效清洗除MOCVD承受器(SiC涂层石墨盘或石英盘)上的氮化镓和氮化铝等,可达到有效清洁...
真萍科技电脑式洁净节能氮气柜主要应用于解决晶圆片的潮湿、氧化及被其它气体(ex阿摩利亚气体)破坏,解决探针卡潮湿及氧化问题解决光罩的受潮问题---黄光部封装的金线,解决液晶的受潮问题,解决线路板受潮问题。下面为大家简单介绍一下真萍科技电脑式洁净节能氮气柜的氮气监控系统。1.温湿度记录功能:1.2内建内存,可储存温度/湿度,收集时间1~240分钟可自行设定。1.3可利用RS232连接阜下载至计算机中读取。1.4品管记录格式设计,有助于内部记录追踪并可支持数据库档案格式。2.湿度警报系统:2.1可设定启动警报的湿度值及条件,内配蜂鸣器(90分贝)及闪烁警示功能。2.2可另外选配积层式警示灯。3.温湿度偏移校正功能:内建校正功能,确保显示准确度。合肥真萍告诉您试验箱的应用范围。浙江做试验箱
下面为大家介绍一下全自动HMDS真空烤箱的整机尺寸、真空腔体尺寸。1.内胆尺寸:650*650*650;450*450*450mm;300*300*300mm;2.载物托架:2块3.室温+10℃-250℃控温范围:温度分辨率:0.1℃温度波动度:±0.5℃4.真空泵:油泵或无油真空泵。真空度:133pa,5.加热方式:腔体下部及两侧加温。加热器为外置加热板(防止一侧加热使的HMDS液进入箱体内不能完本转成气态)6.可放2寸晶圆片或4寸晶圆片;6寸晶圆片;8寸晶圆片等。7.开箱温度可以由user自行设定来降低process时间(正常工艺在50分钟-120分钟(按产品所需而定烘烤时间),为正常工作周期不含降温时间(因降温时间为常规降温)。淮北高低温低压试验箱合肥真萍告诉您如何正确使用试验箱?
下面为大家介绍一下全自动HMDS真空烤箱的技术指标。1.HMDS管路加热功能,使HMDS液体进入箱体的前端管路加热,使转为HMDS气态时更易。2.低液报警装置,采用红外液体感测器,能及时灵敏给出指令(当HMDS液过低时发出报警及及时切断工作起动功能)3.温度与PLC联动保护功能(当PLC没有启动程序时,加温功能启动不了,相反加温功能启动时,PLC程序不按正常走时也及时切断工作功能,发出警报)4.整个箱体及HMDS气体管路采用SUS316不锈钢材料,整体使用无缝焊接(避免拼接导致HMDS液体腐蚀外泄对人体的伤害)
中温气氛箱式炉主要用于磷酸铁锂正极材料等类似产品的高温烧结、热处理,下面为大家介绍一下中温气氛箱式炉的系统配置。一、冷却系统1.冷却结构无2.产品降温随炉降温3.安全保护4.报警指示超温、断偶、停水、停气等声光报警保护5.设备安全升温速率≤5℃/min二、温度控制系统1.温度测量采用K分度热偶测量2.控制仪表采用进口智能调节仪控制。具有PID参数自整定、高温3.上限报警、热电偶失效指示等多项报警保护功能4.控制方式固态继电器过零控制5.超温处理⑴.当测量温度超过设定的安全值时,断加热,并报警。⑵.当测量温度超过目标温度达到安全偏差值时,报警。使用试验箱前的检查步骤。
中温气氛箱式炉主要用于磷酸铁锂正极材料等类似产品的高温烧结、热处理等阶段。下面为大家介绍一下中温气氛箱式炉的系统配置。 一、冷却系统 1.冷却结构 无 2.产品降温 随炉降温 3.安全保护 4.报警指示 超温、断偶、停水、停气等声光报警保护 5.设备安全升温速率 ≤5℃/min 二、温度控制系统 1.温度测量 采用 K 分度热偶测量 2.控制仪表 采用进口智能调节仪控制。具有 PID 参数自整定、高温 3.上限报警、热电偶失效指示等多项报警保护功能 4.控制方式 固态继电器过零控制 5.超温处理 ⑴.当测量温度超过设定的安全值时,断加热,并报警。 ⑵.当测量温度超过目标温度达到安全偏差值时,报警。合肥真萍与您分享试验箱发挥的重要作用。高低温交变试验箱标准
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隧道炉适用于五金模具、航天航空、纳米材料、精密陶瓷、粉末治金、铁氟龙喷涂、五金、锂电池、化工、运动器材、汽车零配件、电机、化工、工业之烘烤、干燥、预热回火、退火、老化等用途。下面为大家介绍一下真萍科技隧道炉的产品特点。1.双边配有链条传动,解决传送过程中跑偏的现象;2.烘箱分段式加热,单独电箱控制,方便操作。结构主要由输送机系统与烘干炉两大部分组成,多段单独;3.PID温度控制,炉内温度均匀;4.输送速度变频调速,调节自如,运行平稳,产能高;5.每段单独箱体设置废气排放接口,可外接到车间外面,避免车间废气污染。浙江做试验箱
下面为大家介绍一下石墨盘真空烤盘炉的用途和设计。一、产品介绍真空烤盘炉是与MOCVD设备配套使用的炉体,炉内抽真空,被处理工件放置在炉膛内,采用清洗气体加热反应方式进行干式清洗(清洗气体:N2,H2)。主要用于有效清洗除MOCVD承受器(SiC涂层石墨盘或石英盘)上的氮化镓和氮化铝等,可达到有效清洁...
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