下面为大家介绍一下石墨盘真空烤盘炉的用途和设计。一、产品介绍真空烤盘炉是与MOCVD设备配套使用的炉体,炉内抽真空,被处理工件放置在炉膛内,采用清洗气体加热反应方式进行干式清洗(清洗气体:N2,H2)。主要用于有效清洗除MOCVD承受器(SiC涂层石墨盘或石英盘)上的氮化镓和氮化铝等,可达到有效清洁...
真萍科技作为冷热冲击试验箱设备制造厂商,在冷热冲击试验箱设备制造领域的专业性是不用多说的。下面让真萍科技从温度方面,带您了解冷热冲击试验箱。一、温度均匀度旧标准称均匀度,新标准称梯度。温度稳定后,在任意时间间隔内,工作空间内任意两点的温度平均值之差的较大值。这个指标比下面的温度偏差指标更可以考核产品的**技术,因此好多公司的样本及方案刻意隐藏此项。一般标准要求指标为≤2℃。二、温度偏差温度稳定后,在任意时间间隔内,工作空间中心温度的平均值和工作空间内其它点的温度平均值之差。虽然新旧标准对此指标的定义和称呼相同,但检测已有所改变,新标准更实际,更苛刻一点,但考核时间短点。一般标准要求指标为±2℃,纯高温试验箱200℃以上可按实际使用温度摄氏度(℃)±2%要求。试验箱的优点体现在哪?厦门高低温高压试验箱
超高真空烘箱被广泛应用于航空、航天、电子、通讯等科研及生产单位,以确定仪器仪表、电工产品、材料、零部件、设备等在低气压、高温单项或同时作用下的环境适应性与可靠性试验。下面为大家介绍一下超高真空烘箱的主要技术指标。1.工作室温度范围:常温~+300℃用户使用温度260℃2.温度波动度:±1.0℃(空载);3.温度偏差:常压温度试验:常温~200℃时±2℃200~300℃时±5.0℃低气压高温综合试验:≤100℃时±2.0℃,100℃~200℃时±5.0℃200℃~300℃时±7.0℃厦门高低温高压试验箱试验箱的发展前景如何呢?
下面为大家介绍一下石墨盘真空烤盘炉的用途和设计。 一、产品介绍 真空烤盘炉是与MOCVD设备配套使用的炉体,炉内抽真空,被处理工件放置在炉膛内,采用清洗气体加热反应方式进行干式清洗(清洗气体:N2,H2)。主要用于有效清洗除MOCVD承受器(SiC涂层石墨盘或石英盘)上的氮化镓和氮化铝等,可达到有效清洁处理,提高制品质量的目的。 二、设计特点 1.后门设计热风电机 2.降温时风机开启,同时两端降温封头开启,炉膛内产生如图所示的气体流向 3.通过气体介质将隔热层内与水冷壁之间进行热交换,达到快速降温的目的。
真空烘箱是将干燥物料处于负压条件下进行干燥的一种箱体式干燥设备。它是利用真空泵进行抽气抽湿,使工作室内形成真空状态,降低水的沸点,加快干燥的速度。下面为大家介绍一下真萍科技真空烘箱的特点。1.长方体工作室,使有效容积达到相当大,微电脑温度控制器,精确控温。2.钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体,一目了然。3.箱体闭合松紧能调节,整体成型的硅橡胶门封圈,确保箱内高真空度4.工作室采用不锈钢板(或拉丝板)制成,确保产品经久耐用。试验箱的发展趋势如何?
中温气氛箱式炉主要用于磷酸铁锂正极材料等类似产品的高温烧结、热处理,下面为大家介绍一下中温气氛箱式炉的系统配置。一、热工系统1.额定温度800℃2.较高温度850℃3.加热元件陶瓷外丝加热管4.加热功率18kw5.空炉保温功率约9kw6.温区个数1个7.控温点数2点8.热偶K分度9.控温稳定度±1℃(恒温平台)10.炉膛温度均匀度±6℃(恒温800℃,1h)二、气氛系统1.炉膛气氛2路氮气,流量计量程为2~20L/min;每路流量可调节2.排气系统在炉膛顶部设置一个排气囱,用于废气排放,废气3.经过水封清洗后进入大气中,减少对环境污染4.氧含量配氧含量分析仪分析氧含量:5.高温状态氧含量≤10ppm+气源氧含量6.低温状态氧含量≤50ppm+气源氧含量合肥真萍科技简述试验箱规范标准。试验箱产品分类选择知识
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无氧干燥箱应用于航空、航天、石油、化工、、船舶、电子、通讯等科研及生产单位,主要作BPO胶/PI胶/BCB胶固化,模压固烤、IC(晶圆、CMOS、Bumping、TSV、MENS、指纹识别)、FPD、高精密电子元件、电子陶瓷材料无尘烘干,电工产品、材料、零备件等的高温洁净和无氧环境中干燥和老化试验。下面为大家简单介绍一下无氧干燥箱。 1.技术指标与基本配置: 1.1使用温度:RT~260℃,极限温度:300℃; 1.2炉膛腔数:2个,上下布置; 1.3炉膛材料:SUS304镜面不锈钢;加热元件:不锈钢加热器;热偶:K分度 1.4温度和氧含量记录:无纸记录仪; 2.氧含量(配氧分析仪): 2.1高温状态氧含量:≤ 10ppm +气源氧含量;低温状态氧含量:≤ 20ppm +气源氧含量 2.2控温稳定度:±1℃; 2.3温度均匀度:±2%℃(260℃平台);厦门高低温高压试验箱
下面为大家介绍一下石墨盘真空烤盘炉的用途和设计。一、产品介绍真空烤盘炉是与MOCVD设备配套使用的炉体,炉内抽真空,被处理工件放置在炉膛内,采用清洗气体加热反应方式进行干式清洗(清洗气体:N2,H2)。主要用于有效清洗除MOCVD承受器(SiC涂层石墨盘或石英盘)上的氮化镓和氮化铝等,可达到有效清洁...
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