电容式压力传感器是一种利用电容作为敏感元件，将被测压力转换成电容值改变的压力传感器。这种压力传感器一般采用圆形金属薄膜或镀金属薄膜作为电容器的一个电极，当薄膜感受压力而变形时，薄膜与固定电极之间形成的电容量发生变化，通过测量电路即可输出与电压成一定关系的电信号。电容式压力传感器属于极距变化型电容式传感器，可分为单电容式压力传感器和差动电容式压力传感器。差动电容式压力传感器的受压膜片电极位于两个固定电极之间，构成两个电容器。在压力的作用下一个电容器的容量增大而另一个则相应减小，测量结果由差动式电路输出。它的固定电极是在凹曲的玻璃表面上镀金属层而制成。过载时膜片受到凹面的保护而不致破裂。差动电容式压力传感器比单电容式的灵敏度高、线性度好，但加工较困难（特别是难以保证对称性），而且不能实现对被测气体或液体的隔离，因此不宜于工作在有腐蚀性或杂质的流体中。上海中和D511/7D压力控制器厂家。四川防爆压力控制器咨询报价
早在1930年，出现了首台压力传感器，一直到现在传感器技术持续不断的发展，新研制或生产的压力传感器必须对它的技术性能进行大面积检测，以此来保证它的测量值的准确。目前，校准的基本方法是采用压力控制器，压力控制器提供一个稳定的已知的压力输入给待校准的压力传感器，同时得到压力传感器的输出量后，再处理和比较压力传感器输入量与输出量，从而获得一系列表征两者对应关系的曲线，从而得到压力传感器件性能指标的实测结果。在生产过程中对压力传感器进行校准，其实质是用压力控制器或者校准器内的高精度的压力传感器对低精度的压力传感器进行比对，定值。 浙江防爆温度控制器收购价格上海中和D541/7T防爆温度控制器的价格。
压阻压力传感器是指利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。单晶硅材料在受到力的作用后，电阻率发生变化，通过测量电路就可得到正比于力变化的电信号输出。它又称为扩散硅压阻压力传感器，它不同于粘贴式应变计需通过弹性敏感元件间接感受外力，而是直接通过硅膜片感受被测压力的。压阻压力传感器主要基于压阻效应（Piezoresistiveeffect）。压阻效应是用来描述材料在受到机械式应力下所产生的电阻变化。不同于压电效应，压阻效应只产生阻抗变化，并不会产生电荷。大多数金属材料与半导体材料都被发现具有压阻效应。其中半导体材料中的压阻效应远大于金属。由于硅是现今集成电路的主要原料，以硅制作而成的压阻性元件的应用就变得非常有意义。硅的电阻变化不单是来自与应力有关的几何形变，而且也来自材料本身与应力相关的电阻，这使得其程度因子大于金属数百倍之多。N型硅的电阻变化主要是由于其三个导带谷对的位移所造成不同迁移率的导带谷间的载子重新分布，进而使得电子在不同流动方向上的迁移率发生改变。其次是由于来自与导带谷形状的改变相关的等效质量(effectivemass)的变化。在P型硅中，此现象变得更复杂，而且也导致等效质量改变及电洞转换。
压力传感器（Preesuresensor）：能够测量压力并提供远传电信号的装置统称为压力传感器。压力传感器是压力检测仪表的重要组成部分，其结构型式多种多样，常见的型式有应变式、压阻式、电容式、压电式、振频式压力传感器等。此外还有光电式、光纤式、超声式压力传感器等。采用压力传感器可以直接将被测压力变换成各种形式的电信号，便于满足自动化系统集中检测与控制的要求，因而在工业生产中得到广泛应用。为减小温度变化对芯体电阻值的影响，提高测量精度，压力传感器都采用温度补偿措施使其零点漂移、灵敏度、线性度、稳定性等技术指标保持较高水平。上海中和D502/7D防爆压力控制器的价格。
CPK－100N差压操控器膜片式传感器用于腐蚀性气体、液体介质。设定值调理规模：0～60KPa.工作压力规模：0～250kPa.CPK-100差压操控器选用膜片式的传感器，可用于腐蚀性气体和液体介质，操控器的设定值可调，调理规模0～60kPa，工作压力规模：0～250kPa。CPK-100N差压操控器的特点是耐振、耐冲击、可靠性好。
1、选用操控器，比较好使预订的设定值坐落操控器设定值调理规模的中间部分，一般为调理规模20～80％。
2、操控器若要安装在室外时，应给予满足的防护，以免环境温度的剧烈变化，阳光直接辐射，腐蚀性气体或水的渗入。
3、对于有压力峰值及脉冲压力的受操控液体介质，可在操控器接口上安装一个压力冲击阻尼器，以消除不利影响。
4、通断电流不能大于额定值。
5、翻开前盖，将操控器笔直安装在仪表板上，严禁用手拨动或用东西磕碰操控器中的零部件，以防改变性能。
6、管道接头旋入传感器内深度不行超越12mm。
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大多数金属材料与半导体材料都被发现具有压阻效应。其中半导体材料中的压阻效应远大于金属。由于硅是现今集成电路的主要原料，以硅制作而成的压阻性元件的应用就变得非常有意义。硅的电阻变化不单是来自与应力有关的几何形变，而且也来自材料本身与应力相关的电阻，这使得其程度因子大于金属数百倍之多。N型硅的电阻变化主要是由于其三个导带谷对的位移所造成不同迁移率的导带谷间的载子重新分布，进而使得电子在不同流动方向上的迁移率发生改变。其次是由于来自与导带谷形状的改变相关的等效质量(effective mass)的变化。在P型硅中，此现象变得更复杂，而且也导致等效质量改变及电洞转换。四川防爆压力控制器咨询报价
上海中和自动化仪表有限公司创建于1992年，公司于2007年注入大量技术科技人员，使之成为二位式控制器专业制造公司。
本公司生产的二位式控制器具有***的适用性 ，在电力、石化、冶金工程、船舶制造中有着相应应用。
我公司的宗旨是：中规中矩，诚信待人。
我公司诚意与国内外广大用户竭诚合作，携手共进，共创辉煌。
本公司产品：压力控制器有D系列与Y系列。
差压控制器有D系列与C系列.
温度控制器有D系列与W系列.
靶式流量控制器有：LKB-01,LKB-02.
