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光刻机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG610,EVG620NT,EVG®6200NT,IQ Aligner,HERCULES
  • 是否定制
光刻机企业商机

EVG ® 610曝光源:

汞光源/紫外线LED光源

楔形补偿

全自动软件控制

晶圆直径(基板尺寸)

高达100/150/200毫米


曝光设定:

真空接触/硬接触/软接触/接近模式

曝光选项:

间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光

先进的对准功能:

手动对准/原位对准验证

手动交叉校正

大间隙对准


EVG ® 610光刻机系统控制:

操作系统:Windows

文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数

多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR

实时远程访问,诊断和故障排除

使用的纳米压印光刻技术为“无紫外线” HERCULES的桥接工具系统可对多种尺寸的晶圆进行易碎,薄或翘曲的晶圆处理。掩模对准光刻机功率器件应用

掩模对准光刻机功率器件应用,光刻机

光刻胶处理系统:EVG100系列光刻胶处理系统为光刻胶涂层和显影建立了质量和灵活性方面的新标准。EVG100系列的设计旨在提供*广范的工艺变革,其模块化功能可提供旋涂和喷涂,显影,烘烤和冷却模块,以满足个性化生产需求。这些系统可处理各种材料,例如正性和负性光刻胶,聚酰亚胺,薄光刻胶层的双面涂层,高粘度光刻胶和边缘保护涂层。这些系统可以处理多种尺寸的基板,直径从2寸到300mm,矩形,正方形甚至不规则形状的基板,而无需或只需很短的加工时间。四川本地光刻机岱美是EVG光刻机在中国的代理商,提供本地化的质量服务。

掩模对准光刻机功率器件应用,光刻机

IQ Aligner®NT曝光设定:硬接触/软接触/接近模式/柔性模式

楔形补偿:全自动软件控制;非接触式


IQ Aligner®NT曝光选项:间隔曝光/洪水曝光

先进的对准功能:自动对准

暗场对准功能/完整的明场掩模移动(FCMM)

大间隙对准

跳动控制对准


IQ Aligner®NT系统控制:

操作系统:Windows

文件共享和备份解决方案/无限制 程序和参数

多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR

实时远程访问,诊断和故障排除


如果您需要确认准确的产品的信息,请联系我们。如果需要键合机,请看官网信息。

IQ Aligner工业自动化功能:盒式磁带/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄,弯曲,翘曲,边缘晶圆处理

晶圆直径(基板尺寸):高达200毫米

对准方式:

上侧对准:≤±0.5 µm

底侧对准:≤±1,0 µm

红外校准:≤±2,0 µm /具体取决于基板材料


曝光设定:真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式

曝光选项:间隔曝光/洪水曝光


系统控制

操作系统:Windows

文件共享和备份解决方案/无限制 程序和参数

多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR

实时远程访问,诊断和故障排除


产能

全自动:第/一批生产量:每小时85片

全自动:吞吐量对准:每小时80片 可以在EVG105烘烤模块上执行软烘烤、曝光后烘烤和硬烘烤操作。

掩模对准光刻机功率器件应用,光刻机

EVG曝光光学:专门开发的分辨率增强型光学元件(REO)可提供高出50%的强度,并显着提高/分辨率,在接近模式下可达到小于3μm的分辨率。REO的特殊设计有助于控制干涉效应以获得分辨率。EVG最/新的曝光光学增强功能是LED灯设置。低能耗和长寿命是UV-LED光源的最/大优势,因为不需要预热或冷却。在用户软件界面中可以轻松、实际地完成曝光光谱设置。此外,LED需要*在曝光期间供电,并且该技术消除了对汞灯经常需要的额外设施(废气,冷却气体)和更换灯的需要。这种理想的组合不仅可以最/大限度地降低运行和维护成本,还可以增加操作员的安全性和环境友好性。我们可以根据您的需求提供进行优化的多用途系统。海南光刻机美元价

EVG620 NT / EVG6200 NT可从手动到自动的基片处理,能够实现现场升级。掩模对准光刻机功率器件应用

光刻机处理结果:EVG在光刻技术方面的核心竞争力在于其掩模对准系统(EVG6xx和IQ Aligner系列)以及高度集成的涂层平台(EVG1xx系列)的高吞吐量的接近和接触曝光能力。EVG的所有光刻设备平台均为300mm,可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中,并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。高级封装:在EVG®IQAligner®上结合NanoSpray™曝光的涂层TSV底部开口 ;在EVG的IQ

Aligner NT®上进行撞击40μm厚抗蚀剂;负侧壁,带有金属兼容的剥离抗蚀剂涂层; 金属垫在结构的中间;用于LIGA结构的高纵横比结构,用EVG® IQ Aligner®曝光200μm厚的抗蚀剂的结果;西门子星状测试图暴露在EVG®6200NT上,展示了高/分辨率的厚抗蚀剂图形处理能力;MEMS结构在20μm厚的抗蚀剂图形化的结果。 掩模对准光刻机功率器件应用

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