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膜厚仪基本参数
  • 产地
  • 美国
  • 品牌
  • Frontier Semiconductor (FSM)
  • 型号
  • FSM 413EC, FSM 413MOT,FSM 413SA DP FSM 413C2C, FSM
  • 是否定制
膜厚仪企业商机

非晶态多晶硅硅元素以非晶和晶体两种形式存在, 在两级之间是部分结晶硅。部分结晶硅又被叫做多晶硅。


非晶硅和多晶硅的光学常数(n和k)对不同沉积条件是独特的,必须有精确的厚度测量。 测量厚度时还必须考虑粗糙度和硅薄膜结晶可能的风化。

Filmetrics 设备提供的复杂的测量程序同时测量和输出每个要求的硅薄膜参数, 并且“一键”出结果。

测量范例多晶硅被***用于以硅为基础的电子设备中。这些设备的效率取决于薄膜的光学和结构特性。随着沉积和退火条件的改变,这些特性随之改变,所以准确地测量这些参数非常重要。监控晶圆硅基底和多晶硅之间,加入二氧化硅层,以增加光学对比,其薄膜厚度和光学特性均可测得。F20可以很容易地测量多晶硅薄膜的厚度和光学常数,以及二氧化硅夹层厚度。Bruggeman光学模型被用来测量多晶硅薄膜光学特性。


F30-UV测厚范围:3nm-40µm;波长:190-1100nm。Filmetrics F32sX膜厚仪服务为先

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F3-sX 系列:

F3-sX 系列能测量半导体与介电层薄膜厚度到3毫米,而这种较厚的薄膜与较薄的薄膜相比往往粗糙且均匀度较为不佳

波长选配F3-sX系列使用近红外光来测量薄膜厚度,即使有许多肉眼看来不透光(例如半导体)。 F3-s980 是波长为980奈米的版本,是为了针对成本敏锐的应用而设计,F3-s1310是针对重掺杂硅片的**jia化设计,F3-s1550则是为了**厚的薄膜设计。附件附件包含自动化测绘平台,一个影像镜头可看到量测点的位置以及可选配可见光波长的功能使厚度测量能力**薄至15奈米。 Filmetrics F32sX膜厚仪服务为先厚度范围: 测量从 1nm 到 13mm 的厚度。 测量 70nm 到 10um 薄膜的折射率。

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厚度测量产品:我们的膜厚测量产品可适用于各种应用。我们大部分的产品皆備有库存以便快速交货。请浏览本公司网页产品资讯或联系我们的应用工程师针对您的厚度测量需求提供立即协助。


单点厚度测量:

一键搞定的薄膜厚度和折射率台式测量系统。 测量 1nm 到 13mm 的单层薄膜或多层薄膜堆。

大多数产品都有库存而且可立即出货。

F20全世界销量**hao的薄膜测量系统。有各种不同附件和波长覆盖范围。


微米(显微)级别光斑尺寸厚度测量当测量斑点只有1微米(µm)时,需要用您自己的显微镜或者用我们提供的整个系统。

F30包含的内容:集成光谱仪/光源装置光斑尺寸10微米的单点测量平台FILMeasure 8反射率测量软件Si 参考材料FILMeasure **软件 (用于远程数据分析)

额外的好处:每台系统內建超过130种材料库, 随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助(周一 - 周五)网上的 “手把手” 支持 (需要连接互联网)硬件升级计划

型号厚度范围*波长范围

F3-s 980:10µm - 1mm  960-1000nm

F3-s1310:15µm - 2mm 1280-1340nm 

F3-s1550:25µm - 3mm 1520-1580nm

*取决于薄膜种类 几乎任何形状的样品厚度和折射率的自动测绘。人工加载或机器人加载均可。

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参考材料

备用 BK7 和二氧化硅参考材料。

BG-Microscope显微镜系统内取背景反射的小型抗反光镜

BG-F10-RT平台系统内获取背景反射的抗反光镜

REF-Al-1mmSubstrate基底 - 高反射率铝基准

REF-Al-3mmSubstrate基底 - 高反射率铝基准

REF-BK71½" x 1½" BK7 反射基准。

REF-F10RT-FusedSilica-2Side背面未经处理的石英,用于双界面基准。

REF-Si-22" 单晶硅晶圆

REF-Si-44" 单晶硅晶圆

REF-Si-66" 单晶硅晶圆

REF-Si-88" 单晶硅晶圆

REF-SS3-Al專為SS-3样品平台設計之铝反射率基准片

REF-SS3-BK7專為SS-3样品平台設計之BK7玻璃反射率基准片

REF-SS3-Si專為SS-3样品平台設計之硅反射率基准片 产品型号:FSM 413EC, FSM 413MOT,FSM 413SA DP FSM 413C2C, FSM 8108 VITE C2C。官方授权经销商膜厚仪样品测试

F30 系列是监控薄膜沉积,**强有力的工具。Filmetrics F32sX膜厚仪服务为先

集成电路故障分析故障分析 (FA) 技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。

故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装) 和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度,并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。 Filmetrics F3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。 厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量,另外可选配模组来延伸**小测量厚度至0.1微米,同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。

测量范例現在我們使用我們的 F3-s1550 系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具備特殊光學設計之 F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度 Filmetrics F32sX膜厚仪服务为先

岱美仪器技术服务(上海)有限公司是一家磁记录、半导体、光通讯生产及测试仪器的批发、进出口、佣金代理(拍卖除外)及其相关配套服务,国际贸易、转口贸易,商务信息咨询服务 的公司,是一家集研发、设计、生产和销售为一体的专业化公司。岱美中国拥有一支经验丰富、技术创新的专业研发团队,以高度的专注和执着为客户提供半导体工艺设备,半导体测量设备,光刻机 键合机,膜厚测量仪。岱美中国继续坚定不移地走高质量发展道路,既要实现基本面稳定增长,又要聚焦关键领域,实现转型再突破。岱美中国始终关注仪器仪表行业。满足市场需求,提高产品价值,是我们前行的力量。

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