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膜厚仪基本参数
  • 产地
  • 美国
  • 品牌
  • Frontier Semiconductor (FSM)
  • 型号
  • FSM 413EC, FSM 413MOT,FSM 413SA DP FSM 413C2C, FSM
  • 是否定制
膜厚仪企业商机

集成电路故障分析故障分析 (FA) 技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。

故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装) 和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度,并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。 Filmetrics F3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。 厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量,另外可选配模组来延伸**小测量厚度至0.1微米,同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。

测量范例現在我們使用我們的 F3-s1550 系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具備特殊光學設計之 F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度 红外干涉测量技术, 非接触式测量。干涉膜厚仪24小时在线服务

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参考材料

备用 BK7 和二氧化硅参考材料。

BG-Microscope显微镜系统内取背景反射的小型抗反光镜

BG-F10-RT平台系统内获取背景反射的抗反光镜

REF-Al-1mmSubstrate基底 - 高反射率铝基准

REF-Al-3mmSubstrate基底 - 高反射率铝基准

REF-BK71½" x 1½" BK7 反射基准。

REF-F10RT-FusedSilica-2Side背面未经处理的石英,用于双界面基准。

REF-Si-22" 单晶硅晶圆

REF-Si-44" 单晶硅晶圆

REF-Si-66" 单晶硅晶圆

REF-Si-88" 单晶硅晶圆

REF-SS3-Al專為SS-3样品平台設計之铝反射率基准片

REF-SS3-BK7專為SS-3样品平台設計之BK7玻璃反射率基准片

REF-SS3-Si專為SS-3样品平台設計之硅反射率基准片 Filmetrics F10-ARc膜厚仪推荐型号产品名称:红外干涉厚度测量设备。

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F60 系列生产环境的自动测绘Filmetrics F60-t 系列就像我们的 F50产品一样测绘薄膜厚度和折射率,但它增加了许多用于生产环境的功能。 这些功能包括凹槽自动检测、自动基准确定、全封闭测量平台、预装软件的工业计算机,以及升级到全自動化晶圆传输的机型。

不同的 F60-t 仪器根据波长范围加以区分。 较短的波长 (例如, F60-t-UV) 一般用于测量较薄的薄膜,而较长的波长则可以用来测量更厚、更不平整以及更不透明的薄膜。 

包含的内容:集成平台/光谱仪/光源装置(不含平台)4", 6" and 200mm 参考晶圆TS-SiO2-4-7200 厚度标准真空泵备用灯

    更可加装至三个探头,同时测量三个样品,具紫外线区或标准波长可供选择。F40:這型號安裝在任何顯微鏡外,可提供*小5um光點(100倍放大倍數)來測量微小樣品。F50:這型號配備全自動XY工作台,由8"x8"到18"x18"或客戶提供所需尺寸均可。通过快速扫瞄功能,可取得整片样品厚度分布情况(mapping)。F70:*通过在F20基本平台上增加镜头,使用Filmetrics*新的颜色编码厚度测量法(CTM),把设备的测量范围极大的拓展至。F10-RT:在F20实现反射率跟穿透率的同时测量,特殊光源设计特别适用于透明基底样品的测量。PARTS:在垂直入射光源基础上增加70º光源,特别适用于超薄膜层厚度和n、k值测量。**膜厚测量仪系统F20使用F20**分光计系统可以简便快速的测量厚度和光学参数(n和k)。您可以在几秒钟内通过薄膜上下面的反射比的频谱分析得到厚度、折射率和消光系数。任何具备基本电脑技术的人都能在几分钟内将整个桌面系统组装起来。F20包括所有测量需要的部件:分光计、光源、光纤导线、镜头**和Windows下运行的软件。您需要的只是接上您的电脑。膜层实例几乎任何光滑、半透明、低吸收的膜都能测。包括:sio2(二氧化硅)sinx(氮化硅)dlc(类金刚石碳)photoresist。F3-sX 系列测厚范围:10µm - 3mm;波长:960-1580nm。

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电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学,半导体,以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。 

测量范例氮化硅薄膜作为电介质,钝化层,或掩膜材料被广泛应用于半导体产业。这个案例中,我们用F20-UVX成功地测量了硅基底上氮化硅薄膜的厚度,折射率,和消光系数。有趣的事,氮化硅薄膜的光学性质与薄膜的分子当量紧密相关。使用Filmetrics专有的氮化硅扩散模型,F20-UVX可以很容易地测量氮化硅薄膜的厚度和光学性质,不管他们是富硅,贫硅,还是分子当量。 F40测量范围;20nm-40µm;波长:400-850nm。薄膜测试仪膜厚仪研发生产

基本上所有光滑的、半透明的或低吸收系数的薄膜都可以测量。干涉膜厚仪24小时在线服务

样品视频包括硬件和照相机的F20系统视频。视频实时显示精确测量点。 不包括SS-3平台。SampleCam-sXsX探头摄像机包含改装的sX探头光学配件,但不包含平台。StageBase-XY8-Manual-40mm8“×8” 样品平台,具有SS-3镜头与38mm的精密XY平移聚焦平台。能够升级成电动测绘与自动对焦。StageBase-XY10-Auto-100mm10“×10” 全电动样品平台。可以进行100mm高精度XY平移,包括自动焦距调节。SS-Microscope- UVX-1显微镜(15倍反射式物镜)及X-Y平台。 包含UV光源与照明光纤。SS-Microscope- EXR-1显微镜包含X- Y平台及照明光纤. 需另选购物镜. 通常使用显微镜内建照明。SS-Trans-Curved用于平坦或弯曲表面的透射平台,包括光纤,和 F10-AR 一起使用。 波长范围 250nm -2500nm。T-1SS-3 平台的透射测量可选件。包括光纤、平台转接器和平台支架。 用于平坦的样品。WS-300用于小于 300mm 样品的平移旋转平台。干涉膜厚仪24小时在线服务

岱美仪器技术服务(上海)有限公司致力于仪器仪表,以科技创新实现***管理的追求。公司自创立以来,投身于半导体工艺设备,半导体测量设备,光刻机 键合机,膜厚测量仪,是仪器仪表的主力军。岱美中国始终以本分踏实的精神和必胜的信念,影响并带动团队取得成功。岱美中国始终关注仪器仪表市场,以敏锐的市场洞察力,实现与客户的成长共赢。

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