可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成。它的功能不仅是整流,还可以用作无触点开关的快速接通或切断;实现将直流电变成交流电的逆变;将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样,有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、农业、交通运输、科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。目前可控硅在自动控制、机电应用、工业电气及家电等方面都有的应用。可控硅从外形上区分主要有螺旋式、平板式和平底式三种。螺旋式应用较多。可控硅工作原理解析可控硅结构原件可控硅有三个极----阳极(A)、阴极(C)和控制极(G),管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构,共有三个PN结,与只有一个PN结的硅整流二极管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引入,为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。可控硅应用时,只要在控制极加上很小的电流或电压,就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。淄博正高电气技术力量雄厚,工装设备和检测仪器齐备,检验与实验手段完善。菏泽进口晶闸管移相调压模块组件

以上六个端口为模块基本端口,其它端口为特殊端口,只在具有多功能产品中使用,普通调压产品其余脚为空脚。6、导通角与模块输出电流的关系模块的导通角与模块能输出的大电流有直接关系,模块的标称电流是大导通角时能输出的大电流。在小导通角(输出电压与输入电压比值很小)下输出的电流峰值很大,但电流的有效值很小(直流仪表一般显示平均值,交流仪表显示非正弦电流时比实际值小),但是输出电流的有效值很大,半导体器件的发热与有效值的平方成正比,会使模块严重发热甚至烧毁。因此,模块应选择在大导通角的65%以上工作,及控制电压应在5V以上。7、模块规格的选取方法考虑到晶闸管产品一般都是非正弦电流,存在导通角的问题并且负载电流有一定的波动性和不稳定因素,且晶闸管芯片抗电流冲击能力较差,在选取模块电流规格时必须留出一定余量。推荐选择方法可按照以下公式计算:I>K×I负载×U大�MU实际K:安全系数,阻性负载K=,感性负载K=2;I负载:负载流过的大电流;U实际:负载上的小电压;U大:模块能输出的大电压;(三相整流模块为输入电压的,单相整流模块为输入电压的,其余规格均为);I:需要选择模块的小电流,模块标称的电流必须大于该值。河南三相晶闸管移相调压模块分类淄博正高电气竭诚为您服务,期待与您的合作,欢迎大家前来!

TC=℃)------通态平均电流VTM=V-----------通态峰值电压VDRM=V-------------断态正向重复峰值电压IDRM=mA-------------断态重复峰值电流VRRM=V-------------反向重复峰值电压IRRM=mA------------反向重复峰值电流IGT=mA------------门极触发电流VGT=V------------门极触发电压执行标准:QB-02-091.晶闸管关断过电压(换流过电压、空穴积蓄效应过电压)及保护晶闸管从导通到阻断,线路电感(主要是变压器漏感LB)释放能量产生过电压。由于晶闸管在导通期间,载流子充满元件内部,在关断过程中,管子在反向作用下,正向电流下降到零时,元件内部残存着载流子。这些载流子在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流,使残存的载流子迅速消失,这时反向电流减小即diG/dt极大,产生的感应电势很大,这个电势与电源串联,反向加在已恢复阻断的元件上,可导致晶闸管反向击穿。这就是关断过电压(换相过电压)。数值可达工作电压的5~6倍。保护措施:在晶闸管两端并接阻容吸收电路。2.交流侧过电压及其保护由于交流侧电路在接通或断开时出现暂态过程,会产生操作过电压。高压合闸的瞬间,由于初次级之间存在分布电容,初级高压经电容耦合到次级,出现瞬时过电压。
可控硅这一晶体管元件,在上个世纪七十年代,就已得到了的应用,主要用于大功率的整流和逆变设备,所承受的电流从一安培到一千安培,耐压值由一百伏到一千五百伏,二千五百伏,关断速度快的只有五微秒。它的特点是由较小的电流和较低的电压去控制较大电流和较高的电压,实际上他也就是一个无触点开关。这可控硅实际上就是一只二极管,只不过比二极管多了一个控制极,由控制极控制可控硅的通断。大功率的可控硅,电流在200安培以上这通常采用强制性冷却,冷却的方式有风冷水冷,和油冷,但是由于风冷不那么理想,油冷其费用较高,都不宜采用。因而普遍采用水冷的方式,给可控硅降温,但对水质的要求比较高,其ph值小于或等于8,否则碱性过高,容易使水的通道结洉,酸度过高容易腐蚀冷却器材。冷却跟不上,极容易造成热量的集中,而造成可控硅工作温度较高而击穿。可控硅这种电子元件,它是一个故障性较高的元件。它的主要故障是阴阳极间击穿,控制极与阳极击穿,控制即失效,不能控制可控硅的通断,耐压值下降,造成软击穿现象。我们判断他的方式,只需一只万用表,或者九伏以上的直流电源,外加一指示灯。如若可控硅阴阳极击穿,控制极未加信号,其电阻值就是零。淄博正高电气在客户和行业中树立了良好的企业形象。

1可控硅模块是有PNPN四层半导体构成的元件,有三个电极,阳极a,阴极K和控制机G所构成的。21、可控硅模块的应用领域模块应用详细说明介绍:可控硅模块应用于控温、调光、励磁、电镀、电解、充放电、电焊机、等离子拉弧、逆变电源等需对电力能量大小进行调整和变换的场合,如工业、通讯、**等各类电气控制、电源等,根据还可通过可控硅模块的控制端口与多功能控制板连接,实现稳流、稳压、软启动等功能,并可实现过流、过压、过温、缺相等保护功能。32、可控硅模块的控制方式:通过输入可控硅模块控制接口一个可调的电压或者电流信号,通过调整该信号的大小即可对可控硅模块的输出电压大小进行平滑调节,实现可控硅模块输出电压从0V至任一点或全部导通的过程。电压或电流信号可取自各种控制仪表、计算机D/A输出,电位器直接从直流电源分压等各种方法;控制信号采用0~5V,0~10V,4~20mA三种比较常用的控制形式。43、满足可控硅模块工作的必要条件:(1)+12V直流电源:可控硅模块内部控制电路的工作电源。①可控硅模块输出电压要求:+12V电源:12±,纹波电压小于20mv。②可控硅模块输出电流要求:标称电流小于500安培产品:I+12V>。淄博正高电气公司狠抓产品质量的提高,逐年立项对制造、检测、试验装置进行技术改造。聊城交流晶闸管移相调压模块批发
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