可控硅模块属于电气元器件，目前双向可控硅模块是比较理想的交流开关器件，它是从普通可控硅模块的基础上发展而来的，使用更加方便、安全可靠。下面正高来带您了解下双向可控硅模块的特点与性能。
双向可控硅模块是由一对反并联连接的普通可控硅的集成，工作原理与普通单向可控硅相同。双向可控硅模块有两个主电极T1和T2和一个门极G， 门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通，所以双向可控硅在第 1和第 3象限有对称的伏安特性。双向可控硅模块门极加正、负触发脉冲都能使管子触发导通，因此有四种触发方式。双向可控硅应用为正常使用双向可控硅模块，需定量掌握其主要参数，对双向可控硅模块进行适当选用并采取相应措施以达到各参数的要求。 不断开发新的产品，并建立了完善的服务体系。江苏可控硅模块哪家好
过电压会对可控硅模块造成损坏，如果要想保护可控硅不受其损坏，就要了解过电压的产生原因，从而去避免防止受损，下面正高电气就来讲讲过电压会对可控硅模块造成怎样的损坏？以及过电压产生的原因。
可控硅模块对过电压非常敏感，当正向电压超过udrm值时，可控硅会误导并导致电路故障；当施加的反向电压超过urrm值时，可控硅模块会立即损坏。因此，需要研究过电压产生的原因和过电压的方法。
过电压主要是由于供电电源或系统储能的急剧变化，使系统转换太晚，或是系统中原本积聚的电磁能量消散太晚。主要研究发现，由于外界冲击引起的过电压主要有两种类型，如雷击和开关开启和关闭引起的冲击电压。雷击或高压断路器动作产生的过电压是几微秒到几毫秒的电压尖峰，对可控硅模块非常危险。
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任何的东西都有其使用的寿命，可控硅也不例外，可控硅模块使用时间长了，它的温度就会升高，如果温度过高就容易损坏，并且降低使用寿命，这就需要大家来看看可控硅模块的升温方法：
1 可控硅模块环境温度的测定：在距被测可控硅模块表面1.5m处放置温度计，温度计测点距地面的高度与减速机轴心线等高，温度计的放置应不受外来辐射热与气流的影响，环境温度数值的读取与工作温度数值的读取应同时进行。
2 可控硅模块温升按下式计算：式中：Δt--可控硅模块的温升(℃)。
3 可控硅模块工作温度的测定：被测可控硅模块温升的测定，通常与减速机的承载能力及传动效率测定同时进行，也可单独进行，被测减速机在符合规定时，读取它在额定转速、额定输入功率下的工作温度
可控硅模块的操控端口与操控线
可控硅模块操控端接口有5脚、9脚和15脚三种办法，别离对应于5芯、9芯、15芯的操控线。选用电压信号的商品只用**脚端口，其他为空脚，选用电流信号的9脚为信号输入，操控线的屏蔽层铜线应焊接到直流电源地线上,联接时注意不要同其它的端子短路,避免不能正常作业或能够烧坏模块。
可控硅模块操控端口插座和操控线插座上都有编号，请一一对应，不要接反。以上六个端口为模块根柢端口，其它端口为分外端口，只在具有多功用商品中运用，一般调压商品其他脚为空脚。 淄博正高电气有限公司以发展求壮大，就一定会赢得更好的明天。
双向可控硅晶闸管使用中，应特别注意以下事项：
1.灵敏度
双向可控硅是一个三端元件，但我们不再称其两极为阴阳极，而是称作T1和T2极，G为控制极，其控制极上所加电压无论为正向触发脉冲或负向触发脉冲均可使控制极导通，但是触发灵敏度互不相同，即保证双向可控硅能进入导通状态的较小门极电流IGT是有区别的。
2.可控硅过载的保护
可控硅元件优点很多，但是它过载能力差，短时间的过流，过压都会造成元件损坏，因此为保证元件正常工作，需有条件：
（1）外加电压下允许超过正向转折电压，否则控制极将不起作用；
（2）可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按较大电流的1.5~2倍来取；
（3）为保证控制极可靠触发，加到控制极的触发电流一般取大于其额值，除此以外，还必须采取保护措施，一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器，其额定电流取可控硅电流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流侧或直流侧，当在交流侧时额定电流取大些，一般多采用前者，过电压保护常发生在存在电感的电路上，或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于，过电压的尖峰高，作用时间短，常采用电阻和电容吸收电路加以。
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可控硅元件控制大电感负载时会有干扰电网和自干扰的现象，其原因是当可控硅元件控制一个连接电感性负载的电路断开或闭合时，其线圈中的电流通路被切断，其变化率极大，因此在电感上产生一个高电压，这个电压通过电源的内阻加在开关触点的两端，然后感应电压一次次放电直到感应电压低于放电所必须的电压为止，在这一过程中将产生极大的脉冲束。这些脉冲束叠加在供电电压上，并且把干扰传给供电线或以辐射形式传向周围空间，这种脉冲具有很高的幅度，很宽的频率，因而具有感性负载的开关点是一个很强的噪声源。江苏可控硅模块哪家好
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