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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

EV Group开发了MLE™(无掩模曝光)技术,通过消 除与掩模相关的困难和成本,满足了HVM世界中设计灵活性和蕞小开发周期的关键要求。 MLE™解决了多功能(但缓慢)的开发设备与快 速(但不灵活)的生产之间的干扰。它提供了可扩展的解决方案,可同时进行裸片和晶圆级设计,支持现有材料和新材料,并以高可靠性提供高速适应性,并具有多级冗余功能,以提高产量和降低拥有成本(CoO)。

EVG的MLE™无掩模曝光光刻技术不仅满足先进封装中后端光刻的关键要求,而且还满足MEMS,生 物医学和印刷电路板制造的要求。 EVG501键合机:卓/越的压力和温度均匀性、高真空键合室、自动键合和数据记录。西藏EVG850 DB键合机

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EVG ® 320自动化单晶圆清洗系统

用途:自动单晶片清洗系统,可有效去除颗粒


特色

技术数据

EVG320自动化单晶圆清洗系统可在处理站之间自动处理晶圆和基板。机械手处理系统可确保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自动预对准和装载晶圆。除了使用去离子水冲洗外,配置选项还包括兆频,刷子和稀释的化学药品清洗。


特征

多达四个清洁站

全自动盒带间或FOUP到FOUP处理

可进行双面清洁的边缘处理(可选)

使用1 MHz的超音速喷嘴或区域传感器(可选)进行高/效清洁

先进的远程诊断

防止从背面到正面的交叉污染

完全由软件控制的清洁过程 海南微流控键合机EVG所有键合机系统都可以通过远程通信的。

西藏EVG850 DB键合机,键合机

键合机特征

高真空,对准,共价键合

在高真空环境(<5·10 -8 mbar)中进行处理

原位亚微米面对面对准精度

高真空MEMS和光学器件封装原位表面和原生氧化物去除

优异的表面性能

导电键合

室温过程

多种材料组合,包括金属(铝)

无应力键合界面

高键合强度

用于HVM和R&D的模块化系统


多达六个模块的灵活配置

基板尺寸**/大为200毫米

完全自动化


技术数据

真空度

处理:<7E-8 mbar

处理:<5E-8毫巴

集群配置

处理模块:**小 3个,**/大 6个

加载:手动,卡带,EFEM

可选的过程模块:

键合模块

ComBond ®激/活模块(CAM)

烘烤模块

真空对准模块(VAM)

晶圆直径


高达200毫米


EVG ® 850 TB 临时键合机特征

开放式胶粘剂平台

各种载体(硅,玻璃,蓝宝石等)

适用于不同基板尺寸的桥接工具功能

提供多种装载端口选项和组合

程序控制系统

实时监控和记录所有相关过程参数

完全集成的SECS / GEM接口

可选的集成在线计量模块,用于自动反馈回路


技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

**长300毫米,可能有超大的托架

不同的基材/载体组合

组态

外套模块

带有多个热板的烘烤模块

通过光学或机械对准来对准模块

键合模块

选件

在线计量

ID阅读

高形貌的晶圆处理

翘曲的晶圆处理 清洁模块-适用于GEMINI和GEMINI FB,使用去离子水和温和的化学清洁剂去除颗粒。

西藏EVG850 DB键合机,键合机

 Plessey工程副总裁John Whiteman解释说:“ GEMINI系统的模块化设计非常适合我们的需求。在一个系统中启用预处理,清洁,对齐(对准)和键合,这意味着拥有更高的产量和生产量。EVG提供的质量服务对于快 速有 效地使系统联机至关重要。”

      EVG的执行技术总监Paul Lindner表示:“我们很荣幸Plessey选择了我们蕞先进的GEMINI系统来支持其雄心勃勃的技术开发路线图和大批量生产计划。”

      该公告标志着Plessey在生产级设备投 资上的另一个重要里程碑,该设备将GaN-on-Si硅基氮化镓单片microLED产品推向市场。 EVG键合机晶圆键合类型有:阳极键合、瞬间液相键合、共熔键合、黏合剂键合、热压键合。EVG850 DB键合机

EVG键合机可以使用适合每个通用键合室的**卡盘来处理各种尺寸晶圆和键合工艺。西藏EVG850 DB键合机

EVG ® 850 LT

特征

利用EVG的LowTemp™等离子激/活技术进行SOI和直接晶圆键合

适用于各种熔融/分子晶圆键合应用

生产系统可在高通量,高产量环境中运行

盒到盒的自动操作(错误加载,SMIF或FOUP)

无污染的背面处理

超音速和/或刷子清洁

机械平整或缺口对准的预键合

先进的远程诊断


技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

100-200、150-300毫米

全自动盒带到盒带操作

预键合室

对准类型:平面到平面或凹口到凹口

对准精度:X和Y:±50 µm,θ:±0.1°

结合力:**/高5 N

键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活

真空系统:9x10 -2 mbar(标准)和9x10 -3 mbar(涡轮泵选件) 西藏EVG850 DB键合机

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