半导体探测器是60年代以来迅速发展起来的一种新型的射线探测器。它经常被应用于各个领域，不同类型的半导体探测器在不同的方面都有其自身的特点。按形成半导体探测器PN结的方法，可将其分为两种：离子注入型和表面位垒型。离子注入半导体探测器在我国尚未被普遍使用，其辐射剂量特性正在开发当中，因而有很大的研究空间。钝化离子注入平面硅 (Pas-sivated Implanted Planar Silian，简称PIPS) 探测器，是半导体钝化离子注入的新工艺产品。 新漫研发项目针对市场需求，符合各项标准，接受使用和环境的挑战。
谱图分析中可以进行寻峰、核素识别。只要点击寻峰，谱分析软件就会自动寻峰。若已加载核素库和能量刻度，点击核素识别，就可以直接寻峰并核素识别。还可以点击峰信息，显示谱峰信息，查看峰位、峰边界、半高宽、峰面积等信息。
谱图分析中可以进行能量刻度，进行能量刻度是定性分析的前提条件，能量刻度后可对所测样品进行定性分析。用户可以填写已知刻度源的能量信息（道址与核素库能量），点击“校准”，进行拟合校准，点击“使用刻度”应用到当前谱图。可将刻度好的信息进行保存，方便下次使用。
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