EVG ® 510键合机特征
独特的压力和温度均匀性
兼容EVG机械和光学对准器
灵活的设计和配置，用于研究和试生产
将单芯片形成晶圆
各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接键合）
可选的涡轮泵（<1E-5 mbar）
可升级用于阳极键合
开室设计，易于转换和维护
生产兼容
高通量，具有快速加热和泵送规格
通过自动楔形补偿实现高产量
开室设计，可快速转换和维护
200 mm键合系统的**小占地面积：0.8
m 2
程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容
技术数据
**/大接触力
10、20、60 kN
加热器尺寸 150毫米 200毫米
**小基板尺寸 单芯片 100毫米
真空
标准：0.1毫巴
可选：1E-5 mbar
EVG键合机键合卡盘承载来自对准器对准的晶圆堆叠，用来执行随后的键合过程。四川EVG850 DB键合机
GEMINI ® FB自动化生产晶圆键合系统
集成平台可实现高精度对准和熔融
特色
技术数据
半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系统扩展了当前标准，并结合了更高的生产率，更高的对准度和覆盖精度，适用于诸如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统具有新的Smart View NT3键合对准器，该键合对准器是专门为<50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。 绝缘体上的硅键合机推荐产品业内主流键合机使用工艺：黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（含共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩。
EVG ® 6200键合机选件
自动对准
红外对准，用于内部基板键对准
NanoAlign ®包增强加工能力
可与系统机架一起使用
掩模对准器的升级可能性
技术数据
常规系统配置
桌面
系统机架：可选
隔振：被动
对准方法
背面对准：±2 µm 3σ
透明对准：±1 µm 3σ
红外校准：选件
对准阶段
精密千分尺：手动
可选：电动千分尺
楔形补偿：自动
基板/晶圆参数
尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米
厚度：0.1-10毫米
**/高堆叠高度：10毫米
自动对准
可选的
处理系统
标准：3个卡带站
可选：**多5个站
EVG ® 850 LT
特征
利用EVG的LowTemp™等离子激/活技术进行SOI和直接晶圆键合
适用于各种熔融/分子晶圆键合应用
生产系统可在高通量，高产量环境中运行
盒到盒的自动操作（错误加载，SMIF或FOUP）
无污染的背面处理
超音速和/或刷子清洁
机械平整或缺口对准的预键合
先进的远程诊断
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
100-200、150-300毫米
全自动盒带到盒带操作
预键合室
对准类型：平面到平面或凹口到凹口
对准精度：X和Y：±50 µm，θ：±0.1°
结合力：**/高5 N
键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活
真空系统：9x10 -2 mbar（标准）和9x10 -3 mbar（涡轮泵选件） EVG键合机键合工艺可在真空或受控气体条件下进行。
EVG ® 850
特征
生产系统可在高通量，高产量环境中运行
自动盒带间或FOUP到FOUP操作
无污染的背面处理
超音速和/或刷子清洁
机械平整或缺口对准的预键合
先进的远程诊断
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
100-200、150-300毫米
全自动盒带到盒带操作
预键合室
对准类型：平面到平面或凹口到凹口
对准精度：X和Y：±50 µm，θ：±0.1°
结合力：**/高5 N
键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活
真空系统：9x10 -2 mbar（标准）和9x10 -3 mbar（涡轮泵选件）
清洁站
清洁方式：冲洗（标准），超音速喷嘴，超音速面积传感器，喷嘴，刷子（可选）
腔室：由PP或PFA制成（可选）
清洁介质：去离子水（标准），NH 4 OH和H 2 O 2（**/大）。2％浓度（可选）
旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成
旋转：**/高3000 rpm（5 s）
清洁臂：**多5条介质线（1个超音速系统使用2条线）
可选功能
ISO 3 mini-environment（根据ISO 14644）
LowTemp™等离子活化室
红外检查站
EVG键合机顶部和底部晶片的**温度控制补偿了不同的热膨胀系数，实现无应力键合和出色的温度均匀性。键合机研发可以用吗
GEMINI FB XT适用于诸如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明的CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。四川EVG850 DB键合机
EVG ® 810 LT技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
50-200、100-300毫米
LowTemp™等离子活化室
工艺气体：2种标准工艺气体（N 2和O 2）
通用质量流量控制器：自校准（高达20.000 sccm）
真空系统：9x10 -2 mbar
腔室的打开/关闭：自动化
腔室的加载/卸载：手动（将晶圆/基板放置在加载销上）
可选功能
卡盘适用于不同的晶圆尺寸
无金属离子活化
混合气体的其他工艺气体
带有涡轮泵的高真空系统：9x10 -3 mbar基本压力
符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统
Si：Si / Si，Si / Si（热氧化，Si（热氧化）/
Si（热氧化）
TEOS / TEOS（热氧化）
绝缘体锗（GeOI）的Si / Ge
Si/Si3N4
玻璃（无碱浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃
化合物半导体：GaAs，GaP，InP
聚合物：PMMA，环烯烃聚合物
用户可以使用上述和其他材料的“**/佳已知方法”配方（可根据要求提供完整列表）
四川EVG850 DB键合机
岱美仪器技术服务（上海）有限公司成立于2002-02-07，是一家贸易型的公司。公司业务涵盖[ "半导体工艺设备", "半导体测量设备", "光刻机 键合机", "膜厚测量仪" ]等，价格合理，品质有保证。公司注重以质量为中心，以服务为理念，秉持诚信为本的理念，打造仪器仪表质量品牌。截止当前，我公司年营业额度达到100-200万元，争取在一公分的领域里做出一公里的深度。
