EVG ® 520 IS晶圆键合机系统
单腔或双腔晶圆键合系统,用于小批量生产
特色
技术数据
EVG520 IS单腔单元可半自动操作**/大200 mm的晶圆,适用于小批量生产应用。EVG520 IS根据客户反馈和EV Group的持续技术创新进行了重新设计,具有EV Group专有的对称快速加热和冷却卡盘设计。诸如**的顶侧和底侧加热器,高压键合能力以及与手动系统相同的材料和工艺灵活性等优势,为所有晶圆键合工艺的成功做出了贡献。
特征
全自动处理,手动装卸,包括外部冷却站
兼容EVG机械和光学对准器
单室或双室自动化系统
全自动的键合工艺执行和键合盖移动
集成式冷却站可实现高产量
选项:
高真空能力(1E-6毫巴)
可编程质量流量控制器
集成冷却
技术数据
**/大接触力
10、20、60、100 kN
加热器尺寸 150毫米 200毫米
**小基板尺寸 单芯片 100毫米
真空
标准:1E-5 mbar
可选:1E-6 mbar
EVG键合机软件,支持多语言,集成错误记录/报告和恢复和单个用户帐户设置,可以简化用户常规操作。中国澳门键合机中芯在用吗
EVG ® 610 BA键对准系统
适用于学术界和工业研究的晶圆对晶圆对准的手动键对准系统
特色
技术数据
EVG610键合对准系统设计用于**/大200mm晶圆尺寸的晶圆间对准。EV Group的键合对准系统可通过底侧显微镜提供手动高精度对准平台。EVG的键对准系统的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中**苛刻的对准过程。
特征
**适合EVG ® 501和EVG ®
510键合系统
晶圆和基板尺寸**/大为150/200 mm
手动高精度对准台
手动底面显微镜
基于Windows 的用户界面
研发和试生产的**/佳总拥有成本(TCO) 中国澳门键合机中芯在用吗晶圆级涂层、封装,工程衬**造,晶圆级3D集成和晶圆减薄等用于制造工程衬底,如SOI(绝缘体上硅)。
EVG®501 晶圆键合机(系统)
■ 研发和试生产的**/低
购置成本
■ 真正的低强度晶圆楔形补偿系统,可实现**/高产量
■ 强劲的压力和温度均匀性
■ 自动键合和数据记录
■ 高真空键合室
(使用真空涡轮增压泵,低至10-5
mbar)
■ 开放式腔室设计,可实现快速转换和维护
■ Windows®操作软件和控制界面
■ **小占地面积的200 mm键合系统,只有 0.88 m2
EVG®510 晶圆键合机(系统)
■ 拥有EVG®501键合机的所有功能
■ 150和200mm晶圆的单腔系统
■ 研发和试生产的**/佳购置成本
■ 强劲的压力和温度均匀性
■ 通过楔形补偿实现高产量
■ 兼容EVG的HVM 键合系统
■ 高产量,加速加热和优异的泵送能力
EVG ® 320自动化单晶圆清洗系统
用途:自动单晶片清洗系统,可有效去除颗粒
特色
技术数据
EVG320自动化单晶圆清洗系统可在处理站之间自动处理晶圆和基板。机械手处理系统可确保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自动预对准和装载晶圆。除了使用去离子水冲洗外,配置选项还包括兆频,刷子和稀释的化学药品清洗。
特征
多达四个清洁站
全自动盒带间或FOUP到FOUP处理
可进行双面清洁的边缘处理(可选)
使用1 MHz的超音速喷嘴或区域传感器(可选)进行高/效清洁
先进的远程诊断
防止从背面到正面的交叉污染
完全由软件控制的清洁过程 EVG的 GEMINI系列,在**小占地面积上,一样利用EVG **/高精度的Smart View NT对准技术。
完美的多用户概念(无限数量的用户帐户,各种访问权限,不同的用户界面语言)
桌面系统设计,占用空间**小
支持红外对准过程
EVG ® 610 BA 键合机技术数据
常规系统配置
桌面
系统机架:可选
隔振:被动
对准方法
背面对准:±2 µm 3σ
透明对准:±1 µm 3σ
红外校准:选件
对准阶段
精密千分尺:手动
可选:电动千分尺
楔形补偿:自动
基板/晶圆参数
尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米,200毫米
厚度:0.1-10毫米
**/高堆叠高度:10毫米
自动对准
可选的
处理系统
标准:2个卡带站
可选:**多5个站
EVG键合可选功能:阳极,UV固化,650℃加热器。河北键合机优惠价格
EVG键合机跟应用相对应,键合方法一般分类页是有或没有夹层的键合操作。中国澳门键合机中芯在用吗
EVG ® 850 LT
特征
利用EVG的LowTemp™等离子激/活技术进行SOI和直接晶圆键合
适用于各种熔融/分子晶圆键合应用
生产系统可在高通量,高产量环境中运行
盒到盒的自动操作(错误加载,SMIF或FOUP)
无污染的背面处理
超音速和/或刷子清洁
机械平整或缺口对准的预键合
先进的远程诊断
技术数据
晶圆直径(基板尺寸)
100-200、150-300毫米
全自动盒带到盒带操作
预键合室
对准类型:平面到平面或凹口到凹口
对准精度:X和Y:±50 µm,θ:±0.1°
结合力:**/高5 N
键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活
真空系统:9x10 -2 mbar(标准)和9x10 -3 mbar(涡轮泵选件) 中国澳门键合机中芯在用吗
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