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光刻机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG610,EVG620NT,EVG®6200NT,IQ Aligner,HERCULES
  • 是否定制
光刻机企业商机

HERCULES 光刻轨道系统技术数据:

对准方式:

上侧对准:≤±0.5 µm;

底侧对准:≤±1,0 µm;

红外校准:≤±2,0 µm /具体取决于基材


先进的对准功能:

手动对准;

自动对准;

动态对准。


对准偏移校正:

自动交叉校正/手动交叉校正;

大间隙对准。


工业自动化功能:盒式磁带/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄,弯曲,翘曲,边缘晶圆处理

曝光源:汞光源/紫外线LED光源

曝光设定:真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式


楔形补偿:全自动软件控制;非接触式

曝光选项:

间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光


系统控制

操作系统:Windows

文件共享和备份解决方案/无限制 程序和参数

多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR

实时远程访问,诊断和故障排除 EVG101是光刻胶处理,EVG105是光刻胶烘焙机,EVG120、EVG150是光刻胶处理自动化系统。河北光刻机可以用于研发吗

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这使得可以在工业水平上开发新的设备或工艺,这不仅需要高度的灵活性,而且需要可控和可重复的处理。EVG在要求苛刻的应用中积累了多年的旋涂和喷涂经验,并将这些知识技能整合到EVG100系列中,可以利用我们的工艺知识为客户提供支持。


光刻胶处理设备有:EVG101光刻胶处理,EVG105光刻胶烘焙机,EVG120光刻胶处理自动化系统;EVG150 光刻胶处理自动化系统。如果您需要了解每个型号的特点和参数,请联系我们,我们会给您提供**/新的资料。或者访问我们的官网获取相关信息。


河北光刻机可以用于研发吗HERCULES光刻机系统:全自动光刻跟/踪系统,模块化设计,用于掩模和曝光,集成了预处理和后处理能力。

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光刻胶处理系统


EVG100系列光刻胶处理系统为光刻胶涂层和显影建立了质量和灵活性方面的新标准。EVG100系列的设计旨在提供**广/泛的工艺变革,其模块化功能可提供旋涂和喷涂,显影,烘烤和冷却模块,以满足个性化生产需求。这些系统可处理各种材料,例如正性和负性光刻胶,聚酰亚胺,薄光刻胶层的双面涂层,高粘度光刻胶和边缘保护涂层。这些系统可以处理多种尺寸的基板,直径从2寸到300 mm,矩形,正方形甚至不规则形状的基板,而无需或只需很短的加工时间。


EVG®610 掩模对准系统

■   晶圆规格

:100 mm / 150 mm / 200 mm

■   顶/底部对准精度达到 ± 0.5 µm / ± 1.0 µm

■   用于双面对准高/分辨率顶部和底部分裂场显微镜

■   软件,硬件,真空和接近式曝光

■   自动楔形补偿

■   键合对准和NIL可选

■   支持**/新的UV-LED技术

EVG®620 NT / EVG®6200 NT

掩模对准系统(自动化和半自动化)

■   晶圆产品规格

:150 mm / 200 mm

■   接近式楔形错误补偿

■   多种规格晶圆转换时间少于5分钟

■   初次印刷高达180 wph / 自动对准模式为140 wph

■   可选**的抗震型花岗岩平台

■   动态对准实时补偿偏移

■   支持**/新的UV-LED技术 EVG同样为客户提供量产型掩模对准系统。

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掩模对准系统:EVG的发明,例如1985年世界上较早的拥有底面对准功能的系统,开创了顶面和双面光刻,对准晶圆键合和纳米压印光刻的先例,并设定了行业标准。EVG通过不断开发掩模对准器产品来增强这些**光刻技术,从而在这些领域做出了贡献。

EVG的掩模对准系统可容纳尺寸**/大,尺寸和形状以及厚度**/大为300 mm的晶片和基板,旨在为高级应用提供先进的自动化程度和研发灵活性的复杂解决方案。EVG的掩模对准器和工艺能力已经过现场验证,并已安装在全球的生产设施中,以支持众多应用,包括高级封装,化合物半导体,功率器件,LED,传感器和MEMS制造。 HERCULES平台是“一站式服务”平台。进口光刻机竞争力怎么样

可以使用用于压印光刻的工具,例如紫外光纳米压印光刻,热压印或微接触印刷。河北光刻机可以用于研发吗

EVG ® 105—晶圆烘烤模块

设计理念:单机EVG ® 105烘烤模块是专为软或后曝光烘烤过程而设计。

特点:可以在EVG105烘烤模块上执行软烘烤,曝光后烘烤和硬烘烤过程。受控的烘烤环境可确保均匀蒸发。可编程的接近销可提供对光刻胶硬化过程和温度曲线的**/佳控制。EVG105烘烤模块可以同时处理300 mm的晶圆尺寸或4个100 mm的晶圆。


特征

**烘烤模块

晶片尺寸**/大为300毫米,或同时**多四个100毫米晶片

温度均匀性≤±1°C @ 100°C,**/高250°C烘烤温度

用于手动和安全地装载/卸载晶片的装载销

烘烤定时器

基材真空(直接接触烘烤)

N 2吹扫和近程烘烤0-1 mm距离晶片至加热板可选

不规则形状的基材


技术数据

晶圆直径(基板尺寸):高达300毫米

烤盘:

温度范围:≤250°C


手动将升降杆调整到所需的接近间隙


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