BONDSCALE与EVG的行业基准GEMINI FB XT自动熔融系统一起出售，每个平台针对不同的应用。虽然BONDSCALE将主要专注于工程化的基板键合和层转移处理，但GEMINI FB XT将支持要求更高对准精度的应用，例如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明的CMOS图像传感器堆叠以及管芯分区。
特征
在单个平台上的200 mm和300
mm基板上的全自动熔融/分子晶圆键合应用
通过等离子活化的直接晶圆键合，可实现不同材料，高质量工程衬底以及薄硅层转移应用的异质集成
支持逻辑缩放，3D集成（例如M3），3D VLSI（包括背面电源分配），N＆P堆栈，内存逻辑，集群功能堆栈以及超越CMOS的采用的层转移工艺和工程衬底
BONDSCALE™自动化生产熔融系统的技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
200、300毫米
**/高 数量或过程模块
8
通量
每小时**多40个晶圆
处理系统
4个装载口
特征
多达八个预处理模块，例如清洁模块，LowTemp™等离子活化模块，对准验证模块和解键合模块
XT框架概念通过EFEM（设备前端模块）实现**/高吞吐量
光学边缘对准模块：Xmax / Ymax = 18 µm 3σ EVG的EVG®501 / EVG®510 / EVG®520 IS这几个型号用于研发的键合机。ComBond键合机推荐厂家
对准晶圆键合是晶圆级涂层，晶圆级封装，工程衬**造，晶圆级3D集成和晶圆减薄方面很有用的技术。反过来，这些工艺也让MEMS器件，RF滤波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS图像传感器）的生产迅速增长。这些工艺也能用于制造工程衬底，例如SOI（绝缘体上硅）。
主流键合工艺为：黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩。采用哪种键合工艺取决于应用。EVG500系列可灵活配置选择以上的所有工艺。
键合机厂家EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验，拥有累计2000多年晶圆键合经验的员工。同时，EVG的GEMINI是使用晶圆键合的HVM的行业标准。 中国台湾键合机可以免税吗键合机供应商EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验，拥有累计2000多年晶圆键合经验的员工。
EVG®560自动晶圆键合机系统全自动晶圆键合系统，用于大批量生产特色技术数据EVG560自动化晶圆键合系统**多可容纳四个键合室，并具有各种键合室配置选项，适用于所有键合工艺和**/大300mm的晶圆。EVG560键合机基于相同的键合室设计，并结合了EVG手动键合系统的主要功能以及增强的过程控制和自动化功能，可提供高产量的生产键合。机器人处理系统会自动加载和卸载处理室。特征全自动处理，可自动装卸键合卡盘多达四个键合室，用于各种键合工艺与包括Smaiew的EVG机械和光学对准器兼容同时在顶部和底部快速加热和冷却自动加载和卸载键合室和冷却站远程在线诊断技术数据**/大加热器尺寸150、200、300毫米装载室使用5轴机器人**/高键合模块4个。
Smart View NT键合机特征
适合于自动化和集成EVG键合系统（EVG560®，GEMINI ® 200和300mm配置）
用于3D互连，晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠
通用键合对准器（面对面，背面，红外和透明对准）
无需Z轴运动，也无需重新聚焦
基于Windows的用户界面
将键对对准并夹紧，然后再装入键合室
手动或全自动配置（例如：在GEMINI系统上集成）
Smart View ® NT选件
可以与EVG组合® 500系列晶圆键合系统，EVG ® 300系列清洁系统和EVG ®有带盒对盒操作完全自动化的晶圆到晶圆对准动作EVG810 LT等离子体系统
技术数据
基板/晶圆参数
尺寸：150-200、200-300毫米
厚度：0.1-5毫米
**/高堆叠高度：10毫米
自动对准
标准
处理系统
3个纸盒站（**/大200毫米）或2个FOUP加载端口（300毫米） 清洁模块-适用于GEMINI和GEMINI FB，使用去离子水和温和的化学清洁剂去除颗粒。
EVG ® 510晶圆键合机系统
用于研发或小批量生产的晶圆键合系统-与大批量生产设备完全兼容
特色
技术数据
EVG510是一种高度灵活的晶圆键合系统，可以处理从碎片到200 mm的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺，例如阳极，玻璃粉，焊料，共晶，瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化，转换时间不到5分钟。这种多功能性非常适合大学，研发机构或小批量生产应用。EVG大批量制造工具（例如EVG GEMINI）上的键合室设计相同，键合程序易于转移，可轻松扩大生产规模。 EVG键合机的特征有：压力高达100 kN、基底高达200mm、温度高达550°C、真空气压低至1·10-6 mbar。福建键合机推荐产品
以上应用工艺也让MEMS器件，RF滤波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS图像传感器）的生产迅速增长。ComBond键合机推荐厂家
EVG ® 301技术数据
晶圆直径（基板尺寸）：200和100-300毫米
清洁系统
开室，旋转器和清洁臂
腔室：由PP或PFA制成（可选）
清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）
旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成
旋转：**/高3000 rpm（5秒内）
超音速喷嘴
频率：1 MHz（3 MHz选件）
输出功率：30-60 W
去离子水流量：**/高1.5升/分钟
有效清洁区域：Ø4.0 mm
材质：聚四氟乙烯
兆声区域传感器
频率：1 MHz（3 MHz选件）
输出功率：**/大 2.5 W /cm²有效面积（**/大输出200 W）
去离子水流量：**/高1.5升/分钟
有效的清洁区域：三角形，确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性
材质：不锈钢和蓝宝石
刷子
材质：PVA
可编程参数：刷子和晶圆速度（rpm）
可调参数（刷压缩，介质分配）
ComBond键合机推荐厂家
岱美仪器技术服务（上海）有限公司创建于2002-02-07 00:00:00，注册资金 100-200万元，是一家专注磁记录、半导体、光通讯生产及测试仪器的批发、进出口、佣金代理（拍卖除外）及其相关配套服务，国际贸易、转口贸易，商务信息咨询服务 的公司。公司目前拥有11~50人员工，为员工提供广阔的发展平台与成长空间，为客户提供高质高效的产品服务，深受员工与客户好评。公司以诚信为本，业务领域涵盖[ "半导体工艺设备", "半导体测量设备", "光刻机 键合机", "膜厚测量仪" ]，我们本着对客户负责，对员工负责，更是对公司发展负责的态度，争取做到让每位客户满意。公司凭着雄厚的技术力量、饱满的工作态度、扎实的工作作风、良好的职业道德，树立了优良的[ "半导体工艺设备", "半导体测量设备", "光刻机 键合机", "膜厚测量仪" ]形象，赢得了社会各界的信任和认可。
